汉通达文章

• 关于PCB飞针测试2024-02-19 12:55

  

  飞针测试是目前电气测试一些主要问题的最佳解决办法。它用探针来取代针床，使用多个由马达驱动的、能够快速移动的电气探针同器件的引脚进行接触并进行电气测量。PCB板在生产过程中，难免因外在因素而造成短路、断路及漏电等电性上的瑕疵，再加上PCB线路板不断朝高密度、细间距及多层次的演进，若未能及时将不良板筛检出来，而任其流入制程中，势必会造成更多的成本浪费，因此除了制

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• 虽然寒冷，但展望2024，中国半导体和中国半导体人更要成为一束光2024-02-19 12:55

  

  |微光凝聚，烛照长空2023的寒冬已经逝去，但2024的春天还未到来。美国制裁、去中化和行业下行让中国的产业比想象的还要寒冷，春天也因此放慢了脚步。但半导体产业是时代红利的受益者，又是战略性、基础性、引领性的产业，不应该怨天尤人，裹足不前，而应该积极乐观，奋起有为。所以，中国半导体人、半导体产业要在漫漫寒夜里成为点亮未来的那束光。成为一束光，光能驱散黑暗，带

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• 电流检测，万变不离其宗2024-01-20 08:10

  

  简介电流检测技术常用于高压短路保护、电机控制、DC/DC换流器、系统功耗管理、二次电池的电流管理、蓄电池管理等电流检测等场景。对于大部分应用，都是通过间接测量电阻两端的压降来获取待测电路电流大小的，如下图所示。在要求不高的情况下，电流检测电路可以通过运放放大转换成电压，反推算负载的电流大小。技术分类测量电流时，电流检测技术分为高端检测和低端检测。将测量电阻放

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• 日本突发7.4级地震，芯片产业是否再受影响？2024-01-06 08:10

  

  据日本气象厅信息显示，2024年1月1日下午16时10分，日本中北部地区发生了7.6级大地震，震中位于石川县能登地区。日本半导体设备、材料等大厂坐落较多，此次日本地震再次引起业界关注。据悉，石川县能登市震度为7度，新泻县中越市震度为6度以下，新泻县上越市、佐渡市东部及西部地区震度为5度以上，并且日本几乎整个西海岸都发布了海啸警报。据了解，此次的日本7.4级大

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• MEMS芯片简介及测试2023-12-23 08:11

  

  01什么是MEMSMEMS是Micro-Electro-MechanicalSystem的缩写，微电子机械系统。MEMS传感器感知环境中的各类自然信号，按一定规律将其转换成可检测量化的信号，对所得到的信号进行分析处理和识别判断，以实现智能型传感器的功能。MEMS传感器和传统传感器相比，兼具体积小，重量轻，功耗低，一致性高，可靠性高，灵敏度高等优点。传感器广泛

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• 全球半导体市场数据汇总及2024年趋势预测2023-12-16 08:11

  

  最近，SIA公布了10月份的全球半导体器件市场的数据。本月居然又是大涨，单月环比增加值高达3.9%。这个算是一个很惊人的涨幅了从今年2月份以来，器件市场数据一路单调上扬、高歌猛进，势头看起来很是不错其中中国大陆的单月涨幅高达6.1%，据全球各个国家地区之首，仅次于欧洲地区的6.6%而根据DRAMeXchange最新公布数据，全球DRAM市场在Q3也继续保持高

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• IGBT工作原理及测试2023-12-08 15:49

  

  一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱

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• 半导体封装的作用、工艺和演变2023-12-02 08:10

  

  在邮寄易碎物品时，使用合适的包装材料尤为重要，因为它确保包裹能够完好无损地到达目的地。泡沫塑料、气泡膜和坚固的盒子都可以有效地保护包裹内的物品。同样地，封装是半导体制造工艺的关键环节，可以保护芯片免受物理性或化学性损坏。然而，半导体封装的作用并不止于此。本文将详述封装技术的不同等级、作用和演变过程。半导体封装工艺的四个等级电子封装技术与器件的硬件结构有关。这

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• 先进封装，十年路线图2023-11-25 08:11

  

  Introduction（介绍）信息和通信技术（ICT）是数据呈指数增长的源头，这些数据需要被移动、存储、计算、传输和保护。依赖特征尺寸减小的传统半导体技术已接近其物理极限。随着晶体管能效和晶体管尺寸的指数级增长，系统性能的扩展面临着重大挑战。而技术跃迁速度减缓至两年以上，使得通过"MoreMoore"传统晶体管尺寸缩小以及"MorethanMoore"异构

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• MOSFET结构、原理及测试2023-11-18 08:11

  

  MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体)+FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝

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