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6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 08:50
6.2.1反应性离子刻蚀6.2刻蚀第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和碳化硅 1864浏览量 -
9.3.4 体缺陷∈《集成电路产业全书》2021-12-31 08:49
9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝石晶圆及集成电路 636浏览量 -
BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 选型说明2021-12-31 07:45
晶圆 1721浏览量 -
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 07:44
6.1.5高温退火和表面粗糙化6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.碳化硅 1293浏览量 -
9.3.2 线缺陷∈《集成电路产业全书》2021-12-31 07:42
9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝石晶圆及集成电路 635浏览量 -
6.1.6 离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 07:41
6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、碳化硅 1206浏览量 -
9.3.3 面缺陷∈《集成电路产业全书》2021-12-31 07:40
9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝石集成电路 534浏览量 -
9.2.4 切片工艺∈《集成电路产业全书》2021-12-31 05:34
点击上方蓝字关注我们SilicingTechnology撰稿人：浙江金瑞泓科技股份有限公司梁兴勃http://www.zjjrh.com/审稿人：浙江大学余学功https://www.zju.edu.cn/9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸集成电路 472浏览量 -
肖特基二极管(SBD) 与普通二极管的区别制2021-12-31 05:33
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。1、二极管 5082浏览量 -
9.2.5 研磨工艺∈《集成电路产业全书》2021-12-31 05:30
9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册相关链接：8.2.8研磨机LappingMachineADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.8集成电路 677浏览量