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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;压力传感器;相机等方案开发

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深圳市致知行科技有限公司文章

  • 9.3.13 外延缺陷∈《集成电路产业全书》2022-01-08 01:23

    9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装机,提供SiC晶圆、GaN基板、蓝
    集成电路 602浏览量
  • 6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-07 01:15

    6.3.4.4Terman法6.3.4.3确定表面势6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.2MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.1SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用
    SiC 1663浏览量
  • 9.3.12 氧化诱生层错∈《集成电路产业全书》2022-01-07 01:14

    9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装机,提供S
    集成电路 599浏览量
  • 6.3.4.2 MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 01:14

    6.3.4.2MOS电容等效电路6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.4.1SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.2氧
    MOS 1119浏览量
  • 9.3.11 失配位错∈《集成电路产业全书》2022-01-06 01:12

    9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装机,提供SiC晶圆、GaN基板、
    集成电路 564浏览量
  • MCR:MOS Controlled Rectifier,MOS控制的二极管/整流器,超低反向漏电、175°结温、高浪涌2022-01-05 01:20

    晶圆型号选型表欢迎索样测试验证:张先生18676796057(微信)相关链接:1、长期提供:耐高温、超低漏电工业级二极管晶圆、SBD8寸晶圆MCR二极管-8寸晶圆NCD15S10W-MCR8寸晶圆:150V10A,性能优于Diodes同规格产品NCD20S10W-MCR8寸晶圆:200V10A,性能优于Diodes同规格产品NCD30S10W-MCR8寸晶圆
    二极管 1618浏览量
  • 6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-05 01:19

    6.3.4.1SiC特有的基本现象6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.1氧化速率
    SiC 1170浏览量
  • 9.3.10 滑移位错∈《集成电路产业全书》2022-01-05 01:17

    9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装机,提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝
    集成电路 585浏览量
  • 6.3.3 热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 01:17

    6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用
    元器件 1420浏览量
  • 9.3.9 直拉单晶硅中的金属杂质∈《集成电路产业全书》2022-01-04 01:16

    9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情:切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备,大量装机,提供SiC晶
    集成电路 732浏览量