中科微电半导体

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• 发布了文章 2025-10-28 12:03

  SGT工艺加持下的高效功率器件：中科微电ZK150G09T MOS管全面解读

  

  随着电子设备向高功率、小型化、高效能方向快速迭代，功率MOS管作为能量转换与控制的核心部件，其性能表现直接决定了整机的运行效率与可靠性。在中高压、中大功率应用场景中，如何平衡电压承载、电流控制、能量损耗与稳定性，成为行业研发的核心课题。中科微电作为国内功率半导体领域的技术先行者，凭借对SGT（屏蔽栅沟槽）工艺的深度钻研，推出了ZK150G09T N沟道MOS

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• 发布了文章 2025-10-28 11:54

  SGT工艺赋能大功率器件：中科微电ZK100G325B MOS管深度解析

  

  中科微电作为国内功率半导体领域的领军企业，凭借多年技术沉淀推出的ZK100G325B N沟道MOS管，不仅以100V耐压、411A大电流等硬核参数打破性能边界，更依托先进的SGT（屏蔽栅沟槽）工艺与TO-263-2L封装设计，为中高压、大电流场景提供了高效节能的解决方案。本文将深入剖析这款器件的性能基因、技术内核与实战价值，解码其如何成为赋能多领域发展的“功

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• 发布了文章 2025-10-27 14:36

  深度解析场效应管ZK60N50T：参数、特性与应用场景

  

  在电力电子领域，场效应管（MOSFET）作为核心开关器件，其性能直接决定了整机系统的效率、可靠性与成本控制。ZK60N50T作为一款典型的N沟道功率MOSFET，凭借其优异的电气参数与稳定的工作特性，在工业控制、新能源、消费电子等领域得到广泛应用。本文将从参数解读、封装优势、技术特点及应用场景四个维度，全面剖析ZK60N50T的核心价值，为工程师选型与电路设

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• 发布了文章 2025-10-27 14:18

  中科微电ZK60G270G：车规级MOSFET中低压场景的性能标杆

  

  在汽车电子的中低压功率控制领域，从电动助力转向（EPS）到智能水泵、风机系统，对器件的可靠性、效率与电流承载能力提出了严苛要求。中科微电推出的车规级N沟道MOSFET——ZK60G270G，凭借60V耐压、270A超大电流的精准参数设定，融合先进CLIP SGT工艺与TOLL-8L封装技术，在严苛车规认证与实际工况验证中表现突出，成为车身域与底盘域功率控制的

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• 发布了文章 2025-10-27 13:58

  中科微电ZK40N100T：Trench工艺下的中端电动工具功率控制优选

  

  在18V-36V主流电动工具市场中，功率器件的性能平衡与成本控制同样关键。中科微电推出的N沟道功率MOSFET——ZK40N100T，以40V耐压、90A持续电流的精准参数，融合成熟Trench沟槽工艺与TO-252-2L封装设计，在导通损耗、驱动灵活性与场景适配性之间实现完美平衡，成为电钻、曲线锯、小型角磨机等中端电动工具的理想功率解决方案。

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• 发布了文章 2025-10-25 13:56

  中科微电ZK200G120TP：中高压MOS管新标杆，赋能多领域高效能应用

  

  在工业电源、新能源汽车辅助系统、光伏逆变器等中高压功率场景中，MOS管的性能直接决定着系统的能效、可靠性与安全性。中科微电作为国内资深MOS管源厂，凭借多年技术积淀推出的ZK200G120TP N沟道功率MOS管，以200V耐压、高电流承载能力及先进工艺加持，成为中高压领域国产化替代的优选器件，为下游设备升级提供强劲动力。

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• 发布了文章 2025-10-25 11:32

  中科微电ZK200G120B：源厂技术赋能的中低压MOS管性能标杆

  

  在工业自动化、新能源汽车、通信电源等中低压功率场景中，功率MOS管的性能直接决定系统的能效、可靠性与成本控制。作为国产功率半导体源厂的代表性产品，中科微电ZK200G120BN沟道功率MOS管凭借200V耐压、129A大电流的核心参数，结合自主可控的SGT（屏蔽栅沟槽）工艺与优化封装设计，精准适配中低压系统的电能转换需求，成为打破进口垄断、实现供应链自主可控

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• 发布了文章 2025-10-25 11:10

  中科微电ZK200G120P：SGT工艺赋能的功率MOS管标杆

  

  中科微电深耕功率半导体领域11年，依托深厚的技术积淀与项目经验，推出的ZK200G120P N 沟道MOS管，以200V耐压、129A大电流、SGT屏蔽栅工艺及TO-220封装的黄金组合，不仅打破了传统器件在高功率场景下的性能瓶颈，更重新定义了中高压MOS管的应用标准，成为多领域设备升级的关键选择。

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• 发布了文章 2025-10-24 17:53

  ZK100G325P深度应用解析：SGT工艺赋能的中低压MOS管大功率场景革新

  

  中科微电ZK100G325P作为N沟道功率MOS管，以100V耐压、超300A持续电流的硬核参数，融合SGT（屏蔽栅晶体管）工艺与高适配封装，不仅精准破解这一行业痛点，更在工业驱动、新能源储能、消费电子三大领域构建起“高效能-高可靠-低成本”的应用生态，成为国产中低压大功率器件的标杆选择。

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• 发布了文章 2025-10-23 17:40

  中科微电ZK60N20DG场效应管：60V/20A的高效能半导体解决方案

  

  在电力电子领域，场效应管（MOSFET）作为能量转换与电路控制的核心器件，其性能参数直接决定了整机系统的效率、可靠性与集成度。ZK60N20DG作为一款专注于中低压应用场景的N沟道增强型场效应管，凭借60V耐压值、20A持续电流及先进的Trench沟槽工艺，在工业控制、消费电子与汽车电子等领域展现出显著优势。

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