中科微电半导体

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• 上传了资料 2025-10-15 17:54

  中科微电mos管ZK30N100G 30V 90A

  MOS 场效应管 电子元器件

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• 发布了产品 2025-10-15 17:45

  中科微电ZK30N140T 30V 140A

  

  产品型号：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±20

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• 发布了文章 2025-10-15 16:38

  普诚PT5139：中低压电机驱动领域的“兼容型利器”

  

  随着中国工业自动化、消费电子市场的持续增长，对中低压电机驱动IC的需求将进一步扩大。普诚PT5139凭借技术适配性、场景灵活性与成本优势，正成为连接芯片技术与产业需求的重要纽带，为国产化驱动IC在细分市场的突破奠定基础。

  MOS 流驱动 电子元器件 驱动

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• 发布了文章 2025-10-15 11:20

  中科微电ZK100G200P：100V大电流MOS管的性能突破与场景革命

  

  在功率半导体国产化浪潮中，ZK100G200P凭借“性能对标进口、成本更具优势”的特点，成为打破国际品牌垄断的关键力量。其100V/205A参数组合、SGT工艺带来的高频低损耗特性。

  MOS 场效应管 电子元器件

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• 发布了文章 2025-10-15 10:24

  100V/245A大功率突破！中科微电ZK100G245TL SGT MOS管重塑工业电源效率

  

  这款产品的推出，标志着中科微电在中低压功率半导体领域实现技术赶超。其“低损耗+高可靠+高性价比”的组合，打破国外品牌在大功率MOS管市场的垄断，推动工业、能源等关键领域供应链自主可控。据行业数据，中科微电MOS管2024年工业领域渗透率已达12%，ZK100G245TL正成为光伏逆变器、工业电源厂商的“首选国产器件”。

  MOS 场效应管 电子元器件

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• 发布了文章 2025-10-14 17:00

  大功率场景的能效标杆：中科微电MOS管ZK100G325TL技术解析

  

  中科微电ZK100G325TL以SGT工艺突破损耗瓶颈，用TOLL封装破解体积与散热矛盾，通过100V/411A的参数组合精准切入工业驱动、新能源快充、储能等核心场景。这款器件不仅展现了中国功率半导体在先进工艺与封装技术上的突破能力，更以实际应用推动着大功率系统的能效升级。随着国产半导体技术的持续迭代，此类高性能MOS管将在更多场景实现进口替代，为“双碳”目

  MOS 场效应管 电子元器件

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• 发布了文章 2025-10-14 16:53

  SGT工艺赋能的功率核心：中科微电MOS管ZK150G09P深度解析

  

  中科微电ZK150G09P以SGT工艺为核心，通过低损耗、高可靠、易集成的特性组合，为中大功率电子设备提供了高性能的国产解决方案。从工业电机的高效驱动到储能系统的安全防护，该器件不仅彰显了中国功率半导体在先进工艺领域的突破能力，更以实际应用推动着“双碳”目标下的能效升级。随着SGT工艺的进一步成熟，这类高性能MOS管将在更多场景实现国产替代，为电子产业的高质

  MOS 半桥驱动 电子元器件

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• 发布了文章 2025-10-13 17:55

  中科微电mos管ZK60N80T：一款高性能Trench MOSFET的技术解析与应用展望

  

  在电力电子领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为核心功率器件，其性能直接决定了各类电子设备的效率、可靠性与小型化水平。ZK60N80T 作为一款采用 Trench（沟槽）工艺的 N 沟道 MOSFET，凭借其精准的参数设计与卓越的性能表现，在工业控制、新能源、消费电子等领域展现出广阔的应用前景。

  MOS 半桥驱动 场效应管

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• 发布了文章 2025-10-11 14:52

  普诚PT2432与PT2432C：同系列功率MOS管的场景适配与性能升级

  

  作为功率半导体领域的同系列产品，PT2432 与 PT2432C 虽共享核心技术架构，却在参数细节与场景适配性上形成互补，精准覆盖不同功率控制需求。

  MOS 半桥驱动 场效应管 电子元器件

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• 发布了文章 2025-10-10 17:51

  中科微电ZK60N120G：SGT工艺赋能的高压大电流MOS管标杆

  

  中科微电ZK60N120G是一款专为中大功率场景设计的N 沟道增强型功率MOS管，其型号编码精准勾勒出核心性能边界：“60” 代表60A连续漏极电流（ID），可稳定承载电机、电源等重型负载的持续电流需求；“120” 指向1200V漏源极击穿电压（BVdss），适配220V交流整流后的高压母线环境，为电路提供充足的电压冗余。

  MOS管 半桥驱动芯片 场效应管 电子元器件

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