中科微电半导体

动态

• 发布了文章 2025-11-05 16:15

  中科微电ZK60N04NF：DFN封装加持的中低压功率控制核心

  

  在中低压功率电子系统中，MOS管的性能参数与封装形式直接决定了电路的效率、可靠性与集成度。ZK60N04NF作为一款聚焦实用化的N沟道MOS管，以60V耐压、40A电流承载能力及DFN5*6封装的精准组合，在消费电子、工业控制、新能源等领域的功率转换电路中脱颖而出，成为平衡性能、成本与空间的核心元器件，彰显了功率器件“按需定制”的研发理念。

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  231浏览量

• 发布了文章 2025-11-05 11:40

  中科微电ZG2131：赋能单相系统的高耐压驱动芯片新选择

  

  ZG2131单相驱动芯片凭借300V高耐压、10V-20V宽电源适配、1.0A/1.5A强劲驱动等核心优势，搭配SOP8紧凑封装，在众多驱动芯片中脱颖而出，成为小家电、工业控制、照明电源等领域的优选方案，为单相系统的性能升级提供了有力支撑。

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  136浏览量

• 发布了文章 2025-11-05 11:24

  中科微电ZK60N04NF：N沟槽MOS管中的场景适配专家

  

  在功率半导体的细分赛道中，MOS管的性能参数直接决定着电路系统的效率与可靠性。ZK60N04NF这款明确标注“N沟槽”属性的MOS管，以60V额定电压、40A额定电流与DFN5*6封装的精准组合，成为衔接中低压功率场景与工程实践的关键元器件。它既承载着N沟槽结构的天然优势，又通过参数优化与封装创新，在工业控制、汽车电子、消费电子等领域展现出强劲的适配能力，为

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  193浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 16:27

  中科微电ZK150G05T：中压小封装功率器件的适配型创新

  

  中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G05T，以150V耐压、51A连续电流、TO-252-2L薄型封装为核心标签，精准匹配3-8kW级中压场景的功率控制需求，其参数设计与应用表现，为理解中压小功率器件的适配性发展逻辑提供了典型样本。

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  427浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 16:20

  中科微电ZK150G09T：SGT工艺驱动的中压小封装MOSFET创新实践

  

  中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G09T，以150V耐压、90A连续电流、TO-252-2L薄型封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心特征，精准匹配中压场景的小型化与高效化诉求，其技术设计与应用表现，为理解中压小封装功率器件的发展逻辑提供了典型范例。

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  219浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 16:00

  ZK150G130B：SGT工艺加持的中压功率控制新选择

  

  在60V-200V中压功率电子领域，无论是工业自动化中的电机驱动，还是新能源场景下的储能变流，都对MOSFET提出了“大电流承载、低能量损耗、小封装适配”的三重诉求。中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G130B，以150V耐压、132A连续电流、TO-263-2L薄型封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心特征，精准匹配中压场景的性能痛点，其技术设计与

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  185浏览量

• 发布了文章 2025-11-04 15:20

  ZK150G002B：SGT工艺赋能的中压大电流MOSFET技术解析

  

  在60V-200V中压功率控制场景中，如工业电机驱动、新能源储能、大功率电源等领域，对MOSFET的电流承载能力、导通损耗与封装适配性提出了严苛要求。中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G002B，以150V耐压、200A电流、TO-220封装及SGT（屏蔽栅沟槽）工艺为核心标签，构建起“高压耐受、大流低耗”的性能特征，成为中压大电流场景下功率控制的

  MOS MOSFET 场效应管

  222浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 16:25

  中科微电：MOS管原厂实力，为产业筑牢功率控制“芯”基石

  

  在半导体供应链中，“原厂”身份意味着技术源头、品质可控与服务保障的三重核心价值。中科微电作为国内资深的MOS管（场效应管）原厂，深耕功率器件领域十余年，构建了从芯片设计、晶圆制造协同、封装测试到终端应用的全链条服务体系，以自主核心技术与规模化生产能力，为工业控制、新能源、消费电子等领域提供高可靠、高性价比的MOS管产品，成为产业链上下游信赖的核心合作伙伴。

  MOS 场效应管

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 16:18

  中科微电：场效应管领域的创新领航者

  

  在半导体产业飞速发展的今天，场效应管（MOSFET）作为电子设备的核心功率控制单元，其性能直接决定了终端产品的能效、可靠性与小型化水平。中科微电作为深耕场效应管领域的高新技术企业，自成立以来便以“技术创新为核，市场需求为导向”，在低压、中压、高压场效应管研发与制造领域不断突破，成为推动工业控制、新能源、消费电子等行业升级的重要力量。

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  519浏览量

• 发布了文章 2025-11-03 16:13

  ZK3030DG：N+P互补架构，低压双向功率控制的革新方案

  

  ZK3030DG的出现打破了这一困局——这款采用N+P互补双管集成结构的MOSFET，将±30V双向耐压、±20A对称电流的性能精准融合，依托Trench工艺与PDFN5x6-8L封装优势，实现了“单器件承载双向控制”的突破，成为直流驱动、能源管理等领域的优选核心器件。本文将从架构价值、参数解析、应用落地三个维度，重构ZK3030DG的技术竞争力。

  MOS 场效应管 电子元器件 驱动芯片

  333浏览量