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中科微电半导体

中科微电半导体科技(深圳)有限公司是一家专业功率器件研发和销售的科技型公司,在台湾设有研发中心、深圳设有工程团队和销售团队

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动态

  • 发布了文章 2025-11-05 16:15

    中科微电ZK60N04NF:DFN封装加持的中低压功率控制核心

    在中低压功率电子系统中,MOS管的性能参数与封装形式直接决定了电路的效率、可靠性与集成度。ZK60N04NF作为一款聚焦实用化的N沟道MOS管,以60V耐压、40A电流承载能力及DFN5*6封装的精准组合,在消费电子、工业控制、新能源等领域的功率转换电路中脱颖而出,成为平衡性能、成本与空间的核心元器件,彰显了功率器件“按需定制”的研发理念。
  • 发布了文章 2025-11-05 11:40

    中科微电ZG2131:赋能单相系统的高耐压驱动芯片新选择

    ZG2131单相驱动芯片凭借300V高耐压、10V-20V宽电源适配、1.0A/1.5A强劲驱动等核心优势,搭配SOP8紧凑封装,在众多驱动芯片中脱颖而出,成为小家电、工业控制、照明电源等领域的优选方案,为单相系统的性能升级提供了有力支撑。
  • 发布了文章 2025-11-05 11:24

    中科微电ZK60N04NF:N沟槽MOS管中的场景适配专家

    在功率半导体的细分赛道中,MOS管的性能参数直接决定着电路系统的效率与可靠性。ZK60N04NF这款明确标注“N沟槽”属性的MOS管,以60V额定电压、40A额定电流与DFN5*6封装的精准组合,成为衔接中低压功率场景与工程实践的关键元器件。它既承载着N沟槽结构的天然优势,又通过参数优化与封装创新,在工业控制、汽车电子、消费电子等领域展现出强劲的适配能力,为
  • 发布了文章 2025-11-04 16:27

    中科微电ZK150G05T:中压小封装功率器件的适配型创新

    中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G05T,以150V耐压、51A连续电流、TO-252-2L薄型封装为核心标签,精准匹配3-8kW级中压场景的功率控制需求,其参数设计与应用表现,为理解中压小功率器件的适配性发展逻辑提供了典型样本。
  • 发布了文章 2025-11-04 16:20

    中科微电ZK150G09T:SGT工艺驱动的中压小封装MOSFET创新实践

    中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G09T,以150V耐压、90A连续电流、TO-252-2L薄型封装及SGT(屏蔽栅沟槽)工艺为核心特征,精准匹配中压场景的小型化与高效化诉求,其技术设计与应用表现,为理解中压小封装功率器件的发展逻辑提供了典型范例。
  • 发布了文章 2025-11-04 16:00

    ZK150G130B:SGT工艺加持的中压功率控制新选择

    在60V-200V中压功率电子领域,无论是工业自动化中的电机驱动,还是新能源场景下的储能变流,都对MOSFET提出了“大电流承载、低能量损耗、小封装适配”的三重诉求。中科微电研发的N沟道MOSFET ZK150G130B,以150V耐压、132A连续电流、TO-263-2L薄型封装及SGT(屏蔽栅沟槽)工艺为核心特征,精准匹配中压场景的性能痛点,其技术设计与
  • 发布了文章 2025-11-04 15:20

    ZK150G002B:SGT工艺赋能的中压大电流MOSFET技术解析

    在60V-200V中压功率控制场景中,如工业电机驱动、新能源储能、大功率电源等领域,对MOSFET的电流承载能力、导通损耗与封装适配性提出了严苛要求。中科微电推出的N沟道MOSFET ZK150G002B,以150V耐压、200A电流、TO-220封装及SGT(屏蔽栅沟槽)工艺为核心标签,构建起“高压耐受、大流低耗”的性能特征,成为中压大电流场景下功率控制的
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  • 发布了文章 2025-11-03 16:25

    中科微电:MOS管原厂实力,为产业筑牢功率控制“芯”基石

    在半导体供应链中,“原厂”身份意味着技术源头、品质可控与服务保障的三重核心价值。中科微电作为国内资深的MOS管(场效应管)原厂,深耕功率器件领域十余年,构建了从芯片设计、晶圆制造协同、封装测试到终端应用的全链条服务体系,以自主核心技术与规模化生产能力,为工业控制、新能源、消费电子等领域提供高可靠、高性价比的MOS管产品,成为产业链上下游信赖的核心合作伙伴。
    1.1k浏览量
  • 发布了文章 2025-11-03 16:18

    中科微电:场效应管领域的创新领航者

    在半导体产业飞速发展的今天,场效应管(MOSFET)作为电子设备的核心功率控制单元,其性能直接决定了终端产品的能效、可靠性与小型化水平。中科微电作为深耕场效应管领域的高新技术企业,自成立以来便以“技术创新为核,市场需求为导向”,在低压、中压、高压场效应管研发与制造领域不断突破,成为推动工业控制、新能源、消费电子等行业升级的重要力量。
  • 发布了文章 2025-11-03 16:13

    ZK3030DG:N+P互补架构,低压双向功率控制的革新方案

    ZK3030DG的出现打破了这一困局——这款采用N+P互补双管集成结构的MOSFET,将±30V双向耐压、±20A对称电流的性能精准融合,依托Trench工艺与PDFN5x6-8L封装优势,实现了“单器件承载双向控制”的突破,成为直流驱动、能源管理等领域的优选核心器件。本文将从架构价值、参数解析、应用落地三个维度,重构ZK3030DG的技术竞争力。

企业信息

认证信息: 中科微电

联系人:冯小姐

联系方式:
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地址:深圳市龙华新区民治梅坂大道民乐科技园1栋611

公司介绍:中科微电半导体科技(深圳)有限公司是一家专业功率器件研发和销售的科技型公司,在台湾设有研发中心、深圳设有工程团队和销售团队。主营产品为功率器件(中低压Trench MOS、SGT MOS、车规MOS以及半桥栅级驱动器。自成立以来,始终聚焦功率器件研发,凭借多年的科研攻关已成功量产低内阻与超低内阻的产品,同时具备低压、中压全系列功率MOSFET半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖广泛,应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等领域 。

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