中科微电半导体

动态

• 发布了文章 2025-10-10 17:26

  普诚PT2432：集成化三相无感驱动IC的技术突破与场景革命

  

  普诚 PT2432 并非单一功能芯片，而是一款整合控制、驱动与保护单元的三相无传感器无刷直流电机驱动 IC，是台湾普诚科技（PTC）针对中小功率驱动场景打造的里程碑产品。其核心创新在于通过 Multi-power BCD 工艺，将三相 MOS 管功率桥、反电动势检测电路、速度控制模块及保护机制压缩至单芯片，彻底改变了传统 “控制 IC + 外置 MOS 管

  电子元器件 芯片 驱动IC

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• 发布了文章 2025-10-09 16:49

  中科微电MOS管ZK30N100G的技术优势与场景革命

  

  中科微电ZK30N100G的型号命名，是对其核心性能的直观注解：“30” 对应30A持续漏极电流（I_D） ，满足中大功率设备的电流承载需求；“100” 代表1000V漏源极击穿电压（V_DS） ，轻松应对工业高压、光伏逆变等高压工况；后缀 “G” 则标志着其采用中科微电自研的优化封装与SGT工艺，为性能释放提供硬件支撑。

  MOS管 场效应管 电子元器件 驱动芯片

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• 发布了文章 2025-10-09 16:25

  中科微电mos管ZK60N120G：高压大电流场景下的N沟道MOS管性能标杆

  

  ZK60N120G 作为一款高性能 N 沟道增强型 MOS 管，凭借其在高压耐受与大电流承载方面的突出表现，成为工业自动化、新能源设备等中大功率场景的关键器件。该器件采用先进的功率半导体工艺制造，通过优化的芯片结构设计，实现了击穿电压、导通损耗与开关速度的精准平衡，为复杂电气环境下的功率控制提供了可靠解决方案。

  MOS管 场效应管 驱动芯片

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• 发布了文章 2025-09-30 13:50

  中科微电车规MOS管ZK60G270G：汽车核心系统的高效功率控制解决方案

  

  中科微电车规MOS管ZK60G270G：汽车核心系统的高效功率控制解决方案

  MOS管 场效应管 驱动芯片

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• 发布了产品 2025-09-30 11:20

  中科微电mos管ZK60N20DG

  

  产品型号：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±20

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• 发布了产品 2025-09-30 11:13

  中科微电mos管ZK30N100Q

  

  产品型号：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±20

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• 发布了文章 2025-09-30 11:08

  MOS管ZK30N100Q：高压大电流场景的可靠功率控制解决方案

  

  在工业加热控制、光伏逆变、电机驱动等高压大电流场景中，功率器件的性能直接决定了系统的效率、稳定性与安全性 —— 既要耐受上千伏的高压冲击，又要稳定承载数十安培的工作电流，还需尽可能降低导通损耗以控制能耗。而 N 沟道功率 MOS 管 ZK30N100Q，恰好以 1000V 漏源极耐压、30A 持续漏极电流的核心参数，以及优化的开关特性与散热设计，精准匹配这类

  MOS管 N沟道管 场效应管

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• 发布了产品 2025-09-30 10:59

  中科微电MOS管ZK60N20DS

  

  产品型号：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20

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• 发布了文章 2025-09-29 17:45

  中科微电N沟道MOS管：ZK60N20DQ技术解析特性、应用与设计指南

  

  在便携式电子、物联网、小型电机驱动等中小功率场景中，兼具低功耗、快速响应与高可靠性的MOS管成为核心器件。ZK60N20DQ作为一款高性能N沟道增强型MOS管，凭借 “高耐压、大电流、微型封装” 的特性组合，以及兼容3.3V MCU直接驱动的优势，在多领域展现出显著的应用潜力。本文将从核心参数、技术特性、典型场景及设计要点四大维度，全面拆解其技术价值与工程实

  MOS管 场效应管 驱动芯片

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• 发布了文章 2025-09-28 10:48

  MOS管：新能源汽车电子系统的 “动力神经”

  

  在新能源汽车从概念走向普及的过程中，半导体器件扮演着至关重要的角色。其中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电力电子系统的核心开关元件，如同汽车的“动力神经”，贯穿于能量转换、动力驱动和整车控制的各个环节，直接影响着车辆的续航能力、动力性能和安全系数。

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