中科微电半导体

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• 发布了文章 2025-11-03 15:39

  中科微电ZK60N06DS：N+N，低压mos管功率控制的集成化新选择

  

  ZK60N06DS这款采用N+N双管集成结构的MOSFET，正是为响应这一需求而生——60V耐压覆盖主流低压系统，5.8A单管载流适配中低功率负载，32mΩ低导通电阻保障能效，再辅以成熟的Trench工艺与紧凑的SOP-8封装，成功将“双管功能、单管占位”的优势落地，成为消费电子、工业控制、车载辅助等场景的优选功率器件。

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• 发布了文章 2025-10-31 14:55

  中科微电ZK30N140T：Trench工艺加持的低压大电流MOS管新标杆

  

  在功率半导体领域，中科微电凭借多年技术积淀，持续推出契合市场需求的核心器件。针对低压大电流场景中“功率与体积难兼顾、效率与成本难平衡”的行业痛点，中科微电重磅推出N沟道MOS管ZK30N140T。

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• 发布了文章 2025-10-31 14:47

  ZK60G120T：SGT+小型化封装，60V/120A功率控制的破局者

  

  ZK60G120T以60V额定电压、120A额定电流的硬核性能为基底，融合屏蔽栅（SGT）核心技术与PDFN5x6-8L超薄封装，构建起“高性能+小体积”的双重优势，成为中低压大电流领域的新一代标杆。

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• 发布了文章 2025-10-31 14:28

  ZK30G011G：Trench工艺加持的30V/160A低压大电流功率新星

  

  ZK30G011G作为一款专为低压大电流场景设计的N沟道MOSFET，以30V额定电压、160A额定电流的硬核性能为基础，融合成熟可靠的沟槽型（Trench）工艺与PDFN5*6小型化封装，既突破了传统低压器件的电流承载上限，又实现了小体积与高稳定性的平衡，成为低压功率控制领域的优选方案。

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• 发布了文章 2025-10-31 14:09

  ZK60G120T：SGT+PDFN封装，60V/120A功率器件的小型化革命

  

  在消费电子快充、车载电源、工业伺服驱动等中低压大电流场景中，功率器件正面临“大电流承载”与“小型化设计”的双重诉求。ZK60G120T这款N沟道MOSFET，以60V额定电压、120A额定电流的硬核性能为基础，创新融合屏蔽栅（SGT）技术与PDFN5x6-8L超薄封装，既突破了传统器件“大电流必大体积”的瓶颈，又实现了低损耗与高可靠性的平衡，成为中低压大电流

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• 发布了文章 2025-10-31 11:03

  ZK150G002TP：SGT技术赋能的150V高压大电流MOSFET标杆

  

  在工业控制、新能源发电、电力电子等高压大电流应用场景中，MOSFET的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与功率密度。ZK150G002TP作为一款搭载屏蔽栅（SGT）技术的N沟道MOSFET，以150V的额定电压、200A的超大电流承载能力及优异的综合参数，成为高压功率控制领域的核心优选器件，为各类大功率电子系统提供了稳定高效的功率开关解决方案。

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• 发布了文章 2025-10-30 10:49

  中科微电ZK4030DG：N+P MOS管领域的Trench工艺性能典范

  

  在MOS管技术持续演进的当下，高效、稳定、小型化成为行业核心追求。中科微电凭借对功率半导体技术的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。该产品搭载先进的Trench（沟槽）工艺，采用PDFN5x6-8L紧凑封装，在电压、电流、损耗控制等核心参数上表现亮眼，为汽车电子、工业控制、消费电子等多领域的电路设计提供了高效解决方案，成为N+P

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• 发布了文章 2025-10-30 10:16

  160A大电流赋能低压场景：中科微电ZK30G011Q MOS管技术解析

  

  在低压大电流功率控制领域，器件的电流承载能力、能效水平与小型化适配性成为衡量性能的核心指标。中科微电推出的ZK30G011Q N沟道MOS管，凭借30V耐压与160A超大电流的参数突破，结合Trench工艺与紧凑封装设计，为消费电子、工业控制等场景提供了高效稳定的功率开关解决方案，重新定义了低压大电流器件的性能边界。

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• 发布了文章 2025-10-28 15:34

  双向控制赋能低压场景：中科微电ZK4030DS MOS管技术解析与应用探索

  

  一、参数解构：N+P双沟道的性能优势在低压功率电子领域，对器件双向电流控制能力、电压适配性及能效的要求日益严苛，中科微电ZK4030DS作为一款N+P沟道互补型MOS管，其参数组合精准契合低压场景的核心需求，为双向能量管理与电路简化提供了优质解决方案。从电压与电流承载维度来看，ZK4030DS呈现出鲜明的双沟道特性：N沟道部分具备40V的正向漏源击穿电压（B

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• 发布了文章 2025-10-28 13:49

  双沟道赋能低压场景：中科微电ZK3010DSMOS管技术解析与应用探索

  

  在低压电子系统中，对功率器件的双向控制能力、低功耗与小型化需求日益迫切，传统单沟道MOS管往往需要多器件搭配才能实现双向电流管理，不仅增加电路复杂度，还占用更多PCB空间。中科微电精准洞察这一痛点，推出ZK3010DS N+P沟道互补型MOS管，凭借30V/-30V双向耐压、5.8A/-12A电流承载、低至1.85V/-1.5V的栅极阈值电压，结合Trenc

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