中科微电半导体

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• 上传了资料 2025-10-22 17:55

  中科微电ZK60G270G型N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）

  MOS 场效应管 电子元器件

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• 发布了文章 2025-10-22 16:01

  ZK100G68P：一款高性能功率半导体器件的深度解析

  

  在电子电路设计领域，功率半导体器件作为能量转换与控制的核心部件，其性能直接决定了整个系统的稳定性、效率与可靠性。ZK100G68P作为一款典型的功率器件，凭借其精准的参数设计与稳定的工作特性，在工业控制、汽车电子、电源设备等领域获得了广泛应用。

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• 发布了文章 2025-10-22 10:59

  ZK30N100G：Trench工艺加持的100A低压MOS管，重构低压功率控制新生态

  

  在低压功率电子领域，“大电流承载”与“低损耗运行”始终是终端设备追求的核心目标。中科微电推出的ZK30N100G N沟道MOS管，以30V额定电压为基础，突破100A连续导通电流上限，融合先进Trench（沟槽）工艺与高适配性TO-252-2L封装，精准破解汽车电子、消费级大功率设备、工业低压控制等场景的电流瓶颈与能效痛点。

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• 发布了文章 2025-10-22 09:42

  ZK30N140T：Trench工艺赋能的30V/140AN沟道MOS管，重塑低压大电流应用新标杆

  

  在低压大电流功率电子领域，MOS管的导通损耗、电流承载能力与封装适配性，直接决定了终端设备的能效、可靠性与设计灵活性。中科微电推出的ZK30N140TN沟道MOS管，凭借30V额定电压、140A超大电流、TO-252-2L封装与先进Trench（沟槽）工艺的深度融合，精准攻克了汽车电子、工业电源、消费级大功率设备等场景的核心痛点，成为低压功率调控领域的“性能

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• 发布了文章 2025-10-21 11:38

  ZK100G08P应用全景：TO-220封装与SGT工艺驱动多场景功率控制升级

  

  在功率电子领域，“适配性”与“可靠性”是器件立足市场的核心。中科微电推出的ZK100G08PN沟道MOSFET，以100V耐压、88A连续漏极电流为性能基底，融合SGT（超结沟槽栅）先进工艺与经典TO-220封装，既延续了TO-220封装在散热与装配上的普适性，又凭借SGT工艺突破传统MOSFET的损耗瓶颈，在工业控制、消费电子、备用电源等中小型功率场景中实

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• 发布了文章 2025-10-21 10:54

  ZK100G08T：SGT工艺加持的紧凑型MOSFET，赋能中小型功率设备高效运行

  

  在中小型功率电子设备朝着“小型化、低功耗、高可靠性”升级的进程中，MOSFET作为电能控制的核心器件，其性能与尺寸的平衡成为设计关键。中科微电推出的ZK100G08TN沟道MOSFET，以100V耐压、88A电流承载能力为基础，融合SGT（超结沟槽栅）工艺与TO-252-2L紧凑型封装，精准匹配工业控制、消费电子、汽车电子等中小型功率场景需求。

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• 发布了文章 2025-10-21 09:33

  ZG6287A：集成二极管的三相电能调控芯片，赋能多场景稳定运行

  

  在功率半导体领域，高集成度、宽适配性的芯片是推动电子系统小型化、高效化的核心动力。中科微电推出的ZG6287A芯片，以260V三相输入规格为基础，融合7V-20V宽范围输出、集成二极管等关键特性，搭配TSSOP20与QFN20双封装选项，成为消费电子、工业控制等领域的理想电能调控解决方案，为设备稳定运行提供坚实支撑。

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• 发布了文章 2025-10-20 15:52

  ZG2131：300V单相驱动领域的国产精锐芯片

  

  ZG2131的价值，不仅在于其300V耐压、10V-20V宽压、SOP8封装等参数的精准适配，更在于它为国产驱动芯片提供了“细分领域突破”的思路——通过聚焦中高压单相驱动这一细分场景，针对性解决电压波动、空间限制、成本控制等实际问题，最终实现从“替代进口”到“优化体验”的跨越。未来，随着国产芯片技术的持续迭代，ZG2131有望在更多场景中发挥价值，推动国内电

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• 发布了文章 2025-10-20 14:16

  从适配到超越：ZK100G200B替代IRFB4110PBF的全场景解决方案

  

  IRFB4110PBF作为安森美等国际品牌的经典N沟道功率MOSFET，长期以来凭借100V耐压、180A电流的性能，成为工业电机驱动、新能源车载低压系统、大功率电源的“标配器件”。但近年来，受国际供应链波动、采购成本高企等问题影响，企业对高性价比国产替代方案的需求日益迫切。

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• 发布了文章 2025-10-20 10:53

  中低压MOS管：功率电子领域的“高效开关”核心

  

  在电力电子系统中，从手机充电器到工业电机驱动，从智能家居设备到新能源汽车低压辅助系统，都离不开一款关键器件——中低压MOS管。作为电压等级在100V及以下的功率场效应晶体管（MOSFET），中低压MOS管以其低导通损耗、快速开关特性与紧凑封装，成为实现电能高效转换、简化电路设计的核心“开关”，支撑着现代电子设备向小型化、低功耗、高可靠性方向发展。

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