云镓半导体

动态

• 发布了文章 2025-11-11 13:44

  应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

  

  云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知，GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势，如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗，从而提供更优的整体效率，这使得GaN器件在高频、高效率的应用中展现出明显优势。我们的应用指导将帮助客户更好地使用云镓的GaN器件，更大限度去挖掘云镓的GaN器件的

  FET GaN SPICE

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• 发布了文章 2025-11-11 13:43

  双向创“芯” — 云镓半导体国内首发高压 GaN 双向器件 （GaN BDS）

  

  云镓半导体双向创“芯”—云镓半导体国内首发高压GaN双向器件MBDS1.前言长期以来，器件工程师都在追求一种可双向导通且双向耐压的开关元件，该类器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC变换的应用场景中广泛应用。典型拓扑有双开关有源桥拓扑、Cyclo-converter、Vienna整流器、MatrixConverter等，此类拓扑在数据中心、光伏微逆、车载充

  GaN 双向器件

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• 发布了文章 2025-11-11 13:43

  云镓半导体发布 3kW 无桥图腾柱 GaN PFC 评估板

  

  云镓半导体云镓半导体发布3kW无桥图腾柱GaNPFC评估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技术文档将重点介绍基于云镓半导体650VGaN器件的3kW无桥图腾柱PFC(BTP-PFC)评估板。对于服务器电源/通信电源/移动储能等产品设计有借鉴意义。2.云镓GaN参数优势传统PFC电路基于整流桥和boost拓扑构成

  GaN PFC 评估板

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• 发布了文章 2025-11-11 11:47

  乐高化组装，一键式测试 | 云镓GaN自动化双脉冲测试平台

  

  云镓半导体乐高化组装，一键式测试|云镓GaN自动化双脉冲测试平台作为一种新型开关器件，GaN功率器件拥有开关速度快、开关损耗低等优点。当前不同GaN工艺平台下器件行为表现差异较大，且GaN器件的静态特性和动态特性存在较大不同，传统的静态测试表征不足以反映器件在实际工作中的动态行为，如何全面评估GaN器件的动态表现对于系统应用意义重大。云镓半导体具有多年的Ga

  GaN 功率器件 自动化

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• 发布了文章 2025-11-11 11:47

  喜报 | 第十四届纳博会创新创业大赛首场路演，云镓半导体一举夺魁，直通决赛！

  

  云镓半导体喜报|第十四届纳博会创新创业大赛首场路演，云镓半导体一举夺魁，直通决赛！创新引领未来，创业铸就辉煌3月21日下午第十四届中国国际纳米技术产业博览会创新创业大赛启动仪式暨首场行业赛在苏州纳米城顺利举行园区党工委委员、管委会副主任倪乾，园区科技创新委员会党组书记、主任潘瑜，苏州纳米科技发展有限公司董事长张淑梅、副总裁李寿祥等领导出席本次活动。来自广发证

  功率器件 半导体

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• 发布了文章 2025-11-11 11:46

  世界第一！云镓发布650V/150A增强型GaN芯片，向汽车电子进发

  

  云镓半导体世界第一！云镓发布650V/150A增强型GaN芯片，向汽车电子进发1.GaN—引领新能源汽车领域的未来随着GaN器件在数据中心及光伏逆变等领域的渗透，其在工业级的应用已日趋成熟。而在全球能源变革的浪潮中，新能源汽车作为一种环保高效的出行方式，逐渐成为市场主流，其核心技术的提升也成为关键课题。在这一背景下，高可靠性的GaN大电流芯片的应用逐渐受到瞩

  GaN 汽车电子 芯片

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• 发布了文章 2025-11-11 11:46

  应用指导 | CGAN002: How to read GaN datasheet

  

  云镓半导体应用指导CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名规则以CG65030TAD产品为例，"C"为公司名CloudSemi,"G"代表GaN产品，"65"代表产品建议的最大耐压为650V，"030"代表器件的最大导通电阻为30mΩ，"TA"代表使用TOLL封装，除此以外云镓还有DFN、TOLT、TO220F和TO252等多种封装

  GaN MOS 寄生电感

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• 发布了文章 2025-11-11 11:46

  “芯”品发布 | 高可靠GaN专用驱动器，便捷GaN电源设计

  

  芯品发布高可靠GaN专用驱动器，便捷GaN电源设计GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势，逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V，驱动窗口相较于传统SiMOSFET较小。若采用传统MOSFET驱动器来驱动GaN器件，需要增加额外的外围R/C元件（如下图所示），造成一定的驱动复杂度以及可靠度问题。另一种解决方案——

  GaN 电源设计 驱动器

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