深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2025-06-17 10:15

  英飞凌科技宣布全新本土化战略 迎接中国市场新机遇

  

  近日，英飞凌科技股份公司在庆祝进入中国市场30周年之际，正式发布了名为“在中国，为中国”的全新本土化战略。这一战略的推出，标志着英飞凌在华发展的新阶段，同时也表明了其对中国市场的坚定信心与承诺。根据英飞凌全球高级副总裁及大中华区总裁潘大伟的介绍，未来五年内，公司将加大对中国市场的投入，尤其是在生产制造和供应链韧性方面。这一举措不仅是对市场需求变化的积极响应，

  半导体 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-17 10:10

  浮思特 | 揭开(IGBT)的神秘面纱，结构原理与应用解析

  

  在(绝缘栅双极型晶体管)IGBT出来之前，最受欢迎和常用的功率电子开关器件是双极结晶体管(BJT)和场效应晶体管(MOSFET)。然而，这两种组件在高电流应用中都有一些限制。因此，我们转向了另一种受欢迎的功率电子开关器件，称为IGBT。TRINNOIGBT你可以将IGBT看作BJT和MOSFET的结合体，这些组件具有BJT的输入特性和MOSFET的输出特性。

  IGBT 功率电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-06-11 10:35

  罗姆发布高效能100V功率MOSFET，助力AI服务器电源管理升级

  

  近日，罗姆半导体集团(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，专为AI服务器的48V电源热插拔电路设计。旨在提升数据中心的效率和可靠性，满足日益增长的人工智能计算需求。根据罗姆的介绍，新产品现在已在月产100万个的规模上投入量产。这一产品的前道工序生产基地位于日本滋贺工厂，后道工序则是在泰国的OSAT(封装和测试服务)设施进行。这种全球化的生产布

  AI服务器 MOSFET 罗姆

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• 发布了文章 2025-06-11 10:34

  红外温度计还是热成像摄像机?哪种红外传感技术更适合

  

  在现代工业、科学和消费应用中，非接触式温度测量已变得至关重要。无论您是在管理工业设备、监测电气系统、进行医疗筛查还是开展研发实验，红外(IR)感测技术都能够在无需直接接触的情况下实现精确的表面温度评估。AI红外摄像模组本文将探讨两种主流的红外感测方法——红外测温仪和热成像相机，帮助您确定哪种解决方案最适合您的技术需求。我们将深入了解它们的基本原理、性能差异以

  热成像 红外传感器 红外温度计

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• 发布了文章 2025-05-29 11:33

  Real RGB OLED屏幕技术：开启显示屏新纪元

  

  近日，有消息透露，一种名为RealRGBOLED的新型屏幕技术正在测试中，预计将在今年年底至明年迎来大规模应用。这一突破性的技术不仅有望改善现有OLED屏幕的性能，还将为各类电子设备的显示效果带来显著提升。RealRGBOLED是一种改进型OLED(有机发光二极管)显示技术，旨在解决传统OLED屏幕常见的像素折损和烧屏等问题。传统OLED屏幕通常采用PenT

  OLED Real 显示屏技术

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• 发布了文章 2025-05-29 11:30

  浮思特 | 紧凑型SiC模块助力高功率密度车载充电器发展

  

  电动汽车领域的发展日新月异：电动动力系统正朝着更高效率、更紧凑化的方向演进，以提升车辆自主性和续航里程。车载充电器(OBC)作为这一发展的核心部件，必须在保持高效率的同时实现最小化的重量与体积。这一技术挑战的解决还需确保成本控制在限定范围内。OBC用于交流充电，需接入电网单相或三相电压。单相充电功率限制在3.6kW至7.5kW之间，三相充电则可支持11kW至

  SiC 模块 车载充电器

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• 发布了文章 2025-05-28 11:42

  Power Integrations发布1700 V SiC开关集成电路，专为800 V电动汽车设计

  

  在全球电动汽车市场快速发展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)开关集成电路，专门为800V电动汽车系统设计。此款新产品基于InnoSwitch3-AQ反激式集成电路，旨在满足电动汽车行业对高效、安全和紧凑电力转换方案的需求。电动汽车的电池系统正逐渐向高电压平台(如800V)迈进，以提高能量密度和充电效率。然

  SiC 电动汽车 集成电路

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• 发布了文章 2025-05-28 11:38

  浮思特 | 在工程衬底上的GaN功率器件实现更高的电压路径

  

  横向氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)在中低功率转换应用领域正呈现强劲增长态势。将这一材料体系扩展至更高电压等级需要器件设计和衬底技术的创新。本文总结了台湾研究团队在工程衬底上开发1500V击穿电压(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis衬底技术(QST®)硅基氮化镓(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首选技术，其主流最高工作电压范

  GaN 功率器件 晶体管

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• 发布了文章 2025-05-27 11:18

  台积电加大投资布局 2纳米制程研发取得积极进展

  

  近期，台积电(TSMC)执行副总经理暨共同营运长秦永沛在一次公开活动中表示，公司的2纳米制程研发进展顺利，未来将进一步推动技术创新与市场需求的匹配。为了实现这一目标，台积电计划对位于高雄的晶圆22厂进行全期投资，预计总额将超过新台币1.5万亿元(约合500亿美元)。在全球半导体行业中，台积电一直处于领导地位，其先进制程的技术实力备受瞩目。作为全球最大的半导体

  半导体 台积电

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• 发布了文章 2025-05-27 11:15

  浮思特 | 攻克GaN材料挑战：实现性能突破的关键

  

  GaN技术正迎来其高光时刻——这绝非偶然。这种材料具备快速开关、低能耗和优异热性能等优势，完美契合当今AI基础设施、电动汽车平台、可再生能源和工业控制等领域对高效高密度电源系统的需求。但对于试图将氮化镓投入量产的工程师而言，这些性能提升并非唾手可得——它们植根于材料层面而非器件层面，这意味着我们必须直面一系列持续存在的材料挑战。晶体生长的奥秘首要认知是：氮化

  GaN 材料 氮化镓

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