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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、触控驱动、MCU等硬件知识,行业应用和解决方案,以及电子相关的行业资讯。

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动态

  • 发布了文章 2025-05-27 11:18

    台积电加大投资布局 2纳米制程研发取得积极进展

    近期,台积电(TSMC)执行副总经理暨共同营运长秦永沛在一次公开活动中表示,公司的2纳米制程研发进展顺利,未来将进一步推动技术创新与市场需求的匹配。为了实现这一目标,台积电计划对位于高雄的晶圆22厂进行全期投资,预计总额将超过新台币1.5万亿元(约合500亿美元)。在全球半导体行业中,台积电一直处于领导地位,其先进制程的技术实力备受瞩目。作为全球最大的半导体
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  • 发布了文章 2025-05-27 11:15

    浮思特 | 攻克GaN材料挑战:实现性能突破的关键

    GaN技术正迎来其高光时刻——这绝非偶然。这种材料具备快速开关、低能耗和优异热性能等优势,完美契合当今AI基础设施、电动汽车平台、可再生能源和工业控制等领域对高效高密度电源系统的需求。但对于试图将氮化镓投入量产的工程师而言,这些性能提升并非唾手可得——它们植根于材料层面而非器件层面,这意味着我们必须直面一系列持续存在的材料挑战。晶体生长的奥秘首要认知是:氮化
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  • 发布了文章 2025-05-26 11:36

    Wolfspeed破产重组 SiC行业格局生变

    近日,行业先驱Wolfspeed被曝拟通过破产保护程序实施业务重组。这一动向折射出SiC产业激烈竞争下的洗牌趋势,也凸显中国供应链的快速崛起对传统巨头的冲击。作为最早布局SiC领域的龙头企业,Wolfspeed曾凭借技术先发优势长期主导市场。近年来,该公司为巩固地位启动激进的产能扩张计划:投资20亿美元的纽约8英寸晶圆厂于2022年投产,并计划在北卡罗来纳州
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  • 发布了文章 2025-05-26 11:32

    浮思特 | 实现电动汽车牵引逆变器更智能的直流母线放电技术

    在汽车逆变器中,高压直流母线电容的放电通常需要庞大昂贵的外部元件,这不仅显著推高了物料清单(BOM)成本(每个逆变器约4-6美元),占用宝贵的PCB空间,更增加了设计复杂度——对于空间紧凑且成本敏感的电动汽车动力系统应用尤为突出。恩智浦GD3162栅极驱动器带来了一项高度集成的解决方案,通过将放电功能直接嵌入驱动IC,重新定义了系统设计者的放电策略实施方式。
  • 发布了文章 2025-05-22 13:42

    浮思特 | 超导与半导体单光子探测器:量子通信中的技术博弈

    近日,英国创新署宣布启动MARCONI项目,旨在研发量子密钥分发(QKD)接收器。面对当前网络安全威胁,该机构正通过两项技术推动QKD网络建设,以期构建覆盖英国的全域安全量子通信网络。作为终端设备,这些接收器通过单光子探测器(图1)实现量子密钥的解码与处理——该装置能精确测量携带加密量子密钥的单个光子量子态。图1SPAD与SNSPD系统对比在QKD网络的小型
  • 发布了文章 2025-05-21 11:58

    浮思特 | 霍尔效应传感器:非接触式电流测量的关键技术

    霍尔效应由埃德温·霍尔于1879年发现,但直到数十年后技术发展才使得集成电路能够充分利用这一现象。如今,霍尔效应传感器集成电路为实现精确电流测量提供了便捷方案,同时保持被测电流路径与测量电路之间的电气隔离。从洛伦兹力到霍尔效应霍尔效应是洛伦兹力的延伸,后者描述了运动电荷(如电子)在磁场中受到的力。当磁场方向与电子运动方向垂直时,电子将受到一个既垂直于运动方向
  • 发布了文章 2025-05-20 11:59

    霍尔效应电流传感器技术解析:开环与闭环架构的设计

    电流传感器在各类应用场景中广泛使用。传统电阻式电流检测技术通过测量分流电阻两端的压降来推算电流值,但这类方案无法实现电气隔离,且在测量大电流时能效较低。另一种主流技术基于霍尔效应原理。霍尔电流传感器通过感应被测电流产生的磁场进行非接触测量,其电气隔离特性可提供更高的安全性,同时避免了分流电阻方案中的功率损耗问题。本文将深入解析霍尔电流传感器的基本原理。开环电
  • 发布了文章 2025-05-19 11:30

    欧洲投资银行计划筹集700亿欧元:致力于AI和半导体发展

    当地时间5月17日,欧洲投资银行(EIB)行长纳迪娅·卡尔维尼奥在一次会议上透露,该行正在推进一项雄心勃勃的新计划,旨在到2027年筹集700亿欧元,以提升欧洲在人工智能和半导体等关键技术领域的能力。此项计划被视为“科技欧盟”项目的一部分,标志着欧盟在全球高科技竞争中的进一步发展和战略布局。卡尔维尼奥在会议上强调,面对全球科技竞争的加剧,尤其是在人工智能和半
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  • 发布了文章 2025-05-19 11:29

    浮思特 | 电子电路下拉电阻详解:原理、计算与应用指南

    下拉电阻是电子电路设计中的重要组成部分,尤其在处理数字逻辑、晶体管和通信接口时。本教程将系统讲解其基本原理、计算方式、应用场景、选型要点、功耗考量,以及在晶体管和串行通信线路中的实际应用。什么是下拉电阻?下拉电阻是连接在信号线(如微控制器输入引脚或晶体管栅极)与地(GND)之间的电阻元件。其主要功能是确保当信号线无主动驱动时,能稳定维持在确定的低逻辑电平(通
  • 发布了文章 2025-05-16 11:09

    AI驱动半导体产业爆发式增长 2030年全球产值或突破万亿美元大关

    全球半导体产业正迎来新一轮增长周期。台积电全球业务资深副总经理张晓强近日透露,在人工智能(AI)技术的强劲推动下,2025年全球半导体产业同比增长率预计将超过10%。更值得关注的是,到2030年,全球半导体行业总产值有望达到1万亿美元规模,其中AI相关应用将贡献近半壁江山。2024年被业界普遍视为"AI元年",生成式AI技术的爆发性发展对半导体产业产生了深远
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企业信息

认证信息: 浮思特科技

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地址:沙河西路3011号c区1栋4楼

公司介绍:深圳市浮思特科技有限公司半导体行业12年企业,为客户提供从产品选型到方案研发一站式服务。主营范围是电子方案开发业务和电子元器件代理销售,专注在新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示,4大领域的方案研发,为客户提供从方案研发到选型采购的一站式服务。公司产品线分为4大类:新能源、电动汽车及充电桩、家用电器、触控显示。各产品线已有稳定合作中的大客户群体。公司有12年的电子元器件研发经验沉淀和代理销售经验,内部流程完整、组织架构清晰,服务客户超万位。有专利信息11条,著作权信息41条,是一家长期、持续追求核心技术的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶丰明源、敦泰电子、希磁科技、奥伦德、里阳。公司主要销售电子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二极管、碳化硅二极管/碳化硅MOSFET、光耦。

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