深圳市浮思特科技有限公司

动态

• 发布了文章 2025-07-09 09:58

  混合SiC/IGBT逆变器能否成为电动汽车的最优解?

  

  绝缘栅双极晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是现代电动汽车牵引系统的核心元件。尽管IGBT以鲁棒性和成本效益著称，但其固有的高开关损耗和较慢开关速度会降低系统效率，尤其在高频和低负载工况下表现更为明显。相比之下，基于SiC的逆变器虽具有更低开关损耗和更高效率，但其制造成本较高且依赖先进工艺。混合SiC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速与IG

  IGBT SiC 电动汽车 逆变器

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• 发布了文章 2025-07-08 10:28

  浮思特 | SiC MOSFET 封装散热优化与开尔文源极结构

  

  本文探讨了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封装与设计方面的进展，重点关注顶部冷却封装方案及其在提升热性能、降低开关损耗方面的作用，以及开尔文源极连接结构对高频应用效率的优化效果。同时分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定导通电阻(Rsp)与短路耐受时间(SCWT)方面的结构设计思路。PowerMaster扩展了其增强型碳化硅(eSiC)MOSFE

  MOSFET SiC 封装

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• 发布了文章 2025-07-07 10:33

  台积电宣布逐步退出氮化镓晶圆代工业务，力积电接手相关订单

  

  近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务，预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注，尤其是在当前竞争激烈的半导体市场环境中。据供应链消息，台积电退出GaN市场的原因主要与中国大陆市场的低价竞争有关。近年来，随着氮化镓技术的成熟和应用需求的增长，许多厂商纷纷进入这一领域，导致价格竞争加剧。面对不断上

  力积电 台积电 晶圆 氮化镓

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• 发布了文章 2025-07-07 10:32

  触控芯片核心技术解析与选型指南

  

  触摸控制器芯片是一种电路，它将输入信号(接触屏幕表面的手指或物体)转换为可测量的信号。该信号经过控制器软件算法的计算和处理，以确定屏幕上的触摸位置。触摸屏控制器芯片设计有专用的外设引脚，以便与触摸传感器和主机处理器连接。通常，该电路安装在柔性印刷电路板(FPC)上，该电路板将传感器连接到主机处理器。触摸芯片的功能是什么?无论采用何种触摸技术(无论是电阻式还是

  控制器芯片 触控芯片 触摸控制器

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• 发布了文章 2025-07-04 09:59

  浮思特 | 红外热成像原理与技术应用详解

  

  红外热成像技术，如同赋予人类“感知温度”的视觉，通过捕捉物体散发的红外辐射，将不可见的温度分布转化为清晰的图像。这项技术正深刻地改变着我们观察和理解世界的方式，从工业设备的精密检测、安防监控的穿透洞察，到智能环境的高效控制，其应用日益深入生活与生产的方方面面。本文将带您了解红外热成像的基础原理、核心波段特性及其广泛的应用前景，探索这项技术如何将无形的热能转化

  红外热成像 红外线 红外辐射

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• 发布了文章 2025-07-03 10:23

  ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服务器和工业电源高效能

  

  近期，ROHM半导体公司发布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。这款器件专为48V电源架构中的热插拔电路设计，广泛应用于AI服务器及工业电源，尤其是在需要电池保护的场合。随着人工智能技术的迅猛发展，数据中心面临着前所未有的计算需求，促使服务器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技术和高性能GPU的普及，进一步加大了对提高电源效率的需求。为

  AI服务器 MOSFET Rohm

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• 发布了文章 2025-07-03 10:20

  电子设备NMB散热风扇核心技术：从基础选型到耐环境设计

  

  散热风扇是电子设备内部用于关键热管理的核心组件，其作用远超简单的“吹风”，涵盖散热、通风及空气循环等多种功能。理解其技术特性对于设备设计与可靠性至关重要。散热风扇的基本分类散热风扇主要依据输入电源和气流动力学原理分类：按电源：交流风扇(ACFan)：直接使用交流电网供电。直流风扇(DCFan)：使用直流电源，通常电压较低(如5V,12V,24V,48V)，功

  散热 电子设备

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• 发布了文章 2025-07-02 09:52

  东京大学开发氧化铟(InGaOx)新型晶体管，延续摩尔定律提供新思路

  

  据报道，东京大学的研究团队近日成功开发出一种基于掺镓氧化铟(InGaOx)晶体材料的新型晶体管。这一创新在微电子技术领域引起了广泛关注，标志着微电子器件性能提升的重要突破。该研究团队的环绕式金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)展现出卓越的性能，迁移率高达44.5cm²/Vs。在严苛的应力测试中，这款晶体管连续稳定工作近三小时，显示出其在高压和高温等极端条件

  摩尔定律 晶体管

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• 发布了文章 2025-07-02 09:47

  浮思特 | IGBT与MOSFET哪种才是最有效的电力开关解决方案

  

  电子设备正逐渐融入越来越多的产品中。无论产品是便携式还是固定式，大多数电子设备都需要高效地将电能(或开关)从一种形式转换为另一种形式。为此，采用了电力电子技术，供应商们开发了丰富的开关器件供各种应用选择。如今电力电子的趋势是使用半导体开关器件来整流、切换和控制电压和电流。随着二极管、晶闸管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(I

  IGBT MOSFET 电力开关

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• 发布了文章 2025-07-01 10:15

  大基金三期聚焦微影技术与芯片设计工具，助力中国半导体产业发展

  

  近日，彭博社报道，国家集成电路产业投资基金三期(以下简称“大基金三期”)正计划将投资重点放在微影技术、芯片设计工具等关键领域。这一举措旨在减少中国在高端半导体技术方面对国际巨头的依赖，尤其是在荷兰ASML、美国益华电脑(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主导的领域。大基金三期的成立是中国政府推动半导体产业发展的重要举措之一。自2014年以来

  半导体 芯片设计

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