MDD辰达半导体

动态

• 发布了文章 2025-10-29 09:39

  MDD 逻辑IC的逻辑电平不兼容问题与解决方案

  

  在现代电子系统中，MDD辰达半导体逻辑IC（集成电路）扮演着至关重要的角色，广泛应用于数据处理、时序控制、信号转换等各类电路中。随着技术的进步，不同逻辑系列的IC（如TTL、CMOS、BiCMOS等）不断被引入市场，它们具有各自的优势，但也带来了逻辑电平不兼容的问题，尤其是在多个不同类型的逻辑IC互联时，电平不匹配的问题显得尤为突出。作为FAE，帮助客户理解

  逻辑IC 逻辑电平 集成电路

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• 发布了文章 2025-10-23 09:54

  MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

  

  在功率电子系统中，MOSFET以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而，FAE在现场调试和失效分析中发现，栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控制端，虽然不直接承载大电流，但其电压的稳定性却直接决定了MOS的导通状态与系统安全。任何一次“栅极失控”，都可能导致器件击穿、短路甚至整机损坏

  MOSFET MOSFET管 功率电子 栅极电压

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• 发布了文章 2025-10-22 10:17

  多颗MOS并联时热分布不均，导致个别器件过热失效的原因与对策

  

  在高功率应用中，为了分担电流、降低损耗，工程师往往会将多颗MOSFET并联使用。例如在DC-DC电源、马达驱动或逆变器电路中，通过并联MOS实现更大的电流承载能力与更低的导通阻抗。然而，MDDFAE在现场常遇到这样的问题：虽然设计理论上电流均分，但实测发现某颗MOS温度明显偏高，最终提前热失效。这种“热分布不均”的现象是并联设计中最常见、也最容易被忽视的隐患

  MOS MOSFET 器件

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• 发布了文章 2025-10-16 10:08

  MDD桥堆开路失效或单向导通的原因与解决方案

  

  MDD辰达半导体桥堆（BridgeRectifier）是电源电路中最基础也是最关键的整流器件，它负责将交流电（AC）转换为直流电（DC），为后级电路提供稳定的电源。然而在长期的客户应用中，FAE常常接到反馈：电源输出异常、波形畸变或设备无法启动。经排查后发现，根本原因多是桥堆出现了开路失效或单向导通的问题。这类故障虽然常见，但诊断难度较大，若处理不当可能导致

  半导体 整流器 桥堆

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• 发布了文章 2025-10-15 11:11

  MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案

  

  在电源电路中，桥堆（BridgeRectifier）是将交流电（AC）转换为直流电（DC）的关键器件。它由四个二极管组成，按特定结构连接成全波整流电路，输出经过滤波后即可得到稳定的直流电压。然而，在现场应用中，工程师常会遇到桥堆整流输出电压异常、波形畸变或不稳定等问题。这类现象不仅影响电源效率，还可能导致后级电路异常甚至损坏。作为MDD辰达半导体的FAE，我

  整流桥堆 桥堆 直流电

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• 发布了文章 2025-09-26 11:02

  三极管漏电流偏大问题解析与解决方案

  

  在电子电路应用中，MDD辰达半导体三极管作为常见的基础器件，被广泛用于放大与开关控制。然而，工程师在测试与使用中，经常会遇到一个典型现象：三极管的漏电流（主要指反向漏电流I_CBO、I_CEO）偏大。这种现象轻则带来电路功耗上升、静态电压漂移，重则导致器件发热、失效甚至影响系统稳定性。作为FAE，我们需要帮助客户理解其原因并提供优化建议。一、漏电流偏大的原因

  三极管 器件 电流

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• 发布了文章 2025-09-25 14:00

  三极管 PCB 布局问题与优化建议

  

  MDD辰达半导体三极管在电子电路中广泛应用于放大、开关、调制等场合。虽然器件本身的性能参数很重要，但在实际应用中，PCB布局往往直接决定了电路的稳定性、速度以及可靠性。很多工程师在调试时会发现：同样的三极管，换一个PCB布局，性能差异竟然非常大。这说明三极管的PCB布局问题不容忽视。下面结合常见问题和优化经验进行分析。一、三极管PCB布局常见问题走线过长，寄

  PCB布局 三极管 电子电路

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• 发布了文章 2025-09-18 09:44

  多颗二极管并联或串联时，电流/电压均分是否均衡？

  

  在高频电路设计中，半导体器件的寄生参数往往比静态指标更为关键。高压二极管或开关二极管在datasheet中，通常会标注一个结电容（Cj）参数。很多客户在初期选型时容易忽略它，只关注耐压、正向电流和反向恢复时间。但在实际的高频应用中，结电容却可能直接决定电路的速度和信号完整性。MDD辰达半导体在本文将结合物理机理和应用案例，从FAE角度进行分析。一、结电容的本

  串联 二极管 并联 高压二极管

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• 发布了文章 2025-09-17 11:42

  高压二极管应用中，是否有足够铜箔/散热片，结温是否接近极限？

  

  在半导体器件的可靠性设计中，温度始终是一个绕不开的话题。无论是功率二极管、TVS管还是高压二极管，其寿命与结温（Tj）有着直接关系。客户常常会问：我的电路中参数都选对了，为什么二极管仍然失效？作为MDD辰达半导体FAE，我们往往会追溯到一个核心问题——是否有足够铜箔/散热片支撑散热，器件结温是否已经接近极限。一、结温与器件可靠性的关系结温（Tj）是指二极管P

  半导体器件 散热 高压二极管

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• 发布了文章 2025-09-11 10:26

  MDD开关二极管的合理 PCB 布局

  

  MDD辰达半导体的开关二极管广泛应用于电源电路、射频（RF）电路和高速信号处理等领域，其主要作用是快速导通和关断，以保证电路的正常运作。然而，开关二极管的性能不仅仅依赖于选型，还与PCB布局密切相关。合理的PCB布局能有效减小寄生电感和电容，避免信号干扰，提升开关效率和可靠性。作为FAE，我们需要帮助客户优化布局设计，以提高电路的整体性能。一、开关二极管的布

  pcb PCB 射频电路 开关二极管

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