MDD辰达半导体

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• 发布了文章 2025-05-06 14:28

  高速接口如何选用低电容MDDTVS管？信号完整性与防护性的双重考量

  

  在当今高速数字通信系统中，如USB3.x/4、HDMI2.1、Thunderbolt、PCIe5.0/6.0、10G以太网等，高达数Gbps甚至Tbps的数据传输速率对信号完整性提出了极高要求。与此同时，这些高速接口暴露在外部环境中，也面临着静电放电（ESD）等瞬态干扰的威胁。为了兼顾信号完整性与防护效果，低电容TVS（瞬态电压抑制）管成为高速接口ESD防护

  MDD TVS二极管 高速接口

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• 发布了文章 2025-04-29 10:06

  从选型到布局：MDDTVS二极管在ESD防护中的工程实战指南

  

  在现代电子设计中，ESD（静电放电）防护已成为系统可靠性设计不可或缺的一环。作为一名FAE，我们在实际应用中发现，许多电子故障并不是源自设计原理错误，而是由于ESD防护不到位导致的隐患。MDDTVS（瞬态电压抑制）二极管作为最常用的ESD防护元件，从选型到布局，每一个细节都直接影响系统的抗干扰能力。一、TVS二极管选型要点工作电压匹配首先，需要根据保护电路的

  esd防护 MDD TVS二极管

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• 发布了文章 2025-04-28 13:37

  MDDTVS管失效模式大起底：热击穿、漏电流升高与反向击穿问题解析

  

  在电子设计中，MDD-TVS管是保护电路免受瞬态电压冲击的重要器件。然而，TVS管本身在恶劣环境或选型、应用不当时，也可能出现失效问题。作为FAE，本文将系统梳理TVS管常见的三大失效模式——热击穿、漏电流升高与反向击穿，帮助大家深入理解失效机理，提升电路防护的可靠性。一、热击穿：过载能量导致的不可逆损伤热击穿是TVS管最常见、也最致命的失效方式之一。它通常

  TVS管 二极管 漏电流

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• 发布了文章 2025-04-27 17:44

  关于MDD-TVS二极管工作原理全解析：如何在瞬间保护你的电路？

  

  在电子系统中，瞬态电压冲击（如ESD、雷击、浪涌等）是导致电路损坏的常见原因之一。为了有效防护，MDD-TVS二极管成为工程师们的重要选择。一、TVS二极管的基本原理TVS二极管是一种专门设计用于保护电子器件免受瞬态高能量冲击的半导体器件。它通常在正常工作电压下呈高阻抗状态，不影响电路的正常运行。而当输入端遭遇瞬态过电压时，TVS管能在极短的时间内（纳秒级响

  MDD TVS 二极管

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• 发布了文章 2025-04-25 09:43

  如何布线才能降低MDDESD风险？PCB布局的抗干扰设计技巧

  

  在现代电子产品日益集成化、小型化的趋势下，MDDESD（静电二极管）防护设计变得至关重要。除了元器件选型，PCB的布线与布局也是影响ESD抗扰性能的关键因素。作为FAE，本文将结合实战经验，分享一些降低ESD风险的PCB布线与布局技巧。一、ESD路径最短优先原则ESD是一种高频、瞬态干扰，它往往会选择阻抗最小的路径泄放。因此，在布线时，必须确保ESD电流能快

  ESD PCB布局 抗干扰设计

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• 发布了文章 2025-04-24 09:51

  ESD防护设计中的10个常见误区，你中招了吗？

  

  在现代电子产品中，ESD（静电放电）防护已成为设计中不可忽视的一环。然而，即便是经验丰富的工程师，也常会在ESD设计中掉进一些看似“理所当然”的误区。以下总结了10个在实际设计中最常见的陷阱，看看你是否也中招了？1.只在输入口加ESD元件，忽略其他暴露节点很多人只在USB、HDMI等外部接口加ESD防护，却忽略了调试口、天线、键盘矩阵等接口，留下隐患。2.选

  ESD 电压 静电放电

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• 发布了文章 2025-04-23 10:25

  如何选择合适的MDDESD保护二极管？关键参数与选型技巧解析

  

  在电子设备日益小型化和高集成化的今天，静电放电（ESD）已成为导致器件失效的主要威胁之一。某智能手表项目因ESD防护不足，导致30%的产品在用户佩戴初期出现触控失灵，直接损失超百万元。一、ESD保护二极管的四大核心参数钳位电压（VCL）定义：器件在ESD冲击下限制的最高电压。选型规则：VCL必须低于被保护器件的最大耐受电压（如USB接口选VCL1pF会导致高

  ESD 二极管 静电放电

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• 发布了文章 2025-04-22 09:33

  移动设备中的MDDESD防护挑战：微型化封装下的可靠性保障

  

  随着智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动终端的发展，整机集成度不断提升，芯片封装和电路板设计愈发微型化。在追求轻薄与性能的同时，电子元件在静电放电（MDDESD）冲击下的可靠性面临前所未有的挑战。如何在有限空间内实现有效的ESD防护，已成为FAE（现场应用工程师）在设计阶段必须重点考虑的问题。一、微型化趋势带来的挑战在移动设备中，主控芯片、触控IC、射频模块

  ESD 二极管 移动设备

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• 发布了文章 2025-04-21 10:01

  MDDESD静电放电对电子元器件的影响：从损坏机制到防护策略

  

  MDD静电放电（ElectrostaticDischarge,ESD）是电子系统中极为常见又极易被忽视的威胁之一。特别是在半导体分立器件和IC封装日趋微型化、敏感度逐步提升的今天，MDDESD成为导致电子元件失效、系统异常甚至整机故障的“隐形杀手”。一、ESD的产生与危害ESD通常来源于人体活动、设备接触、带电物体靠近等场景。当两个不同电位的物体接触或靠近时

  ESD ESD静电二极管 电子元器件

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• 发布了文章 2025-04-18 09:36

  MDD肖特基二极管并联与串联设计：如何提高电流承载能力？

  

  在电源设计、DC-DC转换、逆变器等高功率应用中，单颗肖特基二极管（SchottkyDiode）往往无法满足电流或电压的需求，此时就需要通过并联或串联的方式来提升器件的承载能力。但由于肖特基二极管的结构特点和温度特性，其并联与串联设计面临诸多挑战。合理的匹配与电路设计，是确保系统可靠运行的关键。一、并联设计：提高电流承载能力并联是提升总电流能力的常用方法，理

  MDD 电流承载值 肖特基二极管

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