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MDD辰达半导体

匠人作 用良芯 高品质 选MDD

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动态

  • 发布了文章 2025-07-03 09:42

    同步整流MOSFET的设计要点与效率提升技巧

    在现代高效率电源系统中,同步整流技术已成为主流选择,尤其是在DC-DC变换器、USB快充适配器、服务器电源和车载电源等场景中。同步整流相比传统的肖特基二极管整流,能够显著降低导通损耗,提高转换效率。其核心器件——MOSFET,在设计中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨同步整流MOSFET的选型要点和提升效率的设计技巧。一、同步整流的基本原理传统整流使用二极
  • 发布了文章 2025-07-02 10:04

    辰达MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用与优化策略

    一、MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用开关功能DC-DC变换器的核心工作原理是通过高频开关操作将输入直流电压转换为所需的输出直流电压。MOSFET作为开关元件,在此过程中起着至关重要的作用。MOSFET的开关频率决定了变换器的工作频率,同时它的开关速度、导通电阻(RDS(on))和门极电荷(Qg)等特性直接影响变换器的效率和响应时间。开关损耗控制在D
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  • 发布了文章 2025-07-01 14:12

    从开关速度看MOSFET在高频应用中的性能表现

    一、MOSFET开关速度的定义与影响因素开关速度是MOSFET在导通(开)和关断(关)状态之间的切换速度,通常以上升时间(tr)、下降时间(tf)和开关时间(ts)来描述。开关速度越快,MOSFET切换的响应时间越短,意味着更小的开关损耗和更高的工作效率。MOSFET的开关速度主要受以下几个因素的影响:门极电荷(Qg):门极电荷是MOSFET开关过程中的一个
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  • 发布了文章 2025-06-27 10:00

    MDD快恢复整流器失效模式详解:过热、浪涌与封装问题一网打尽

    在高频开关电源、电焊机、电动工具和PFC电路中,MDD快恢复整流器因其恢复时间短、反向恢复电荷小的特性,成为工程师优先考虑的整流器件。然而,快恢复整流器并非“无懈可击”,在实际应用中仍然存在诸如过热失效、浪涌损伤及封装老化等风险。本文将深入解析快恢复整流器的主要失效模式,并提供工程应对策略。一、过热失效:热设计不可忽视的关键快恢复整流器的功率损耗主要来自导通
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  • 发布了文章 2025-06-26 09:54

    快恢复整流器在电动车控制器中的典型应用与热管理策略

    在电动车控制器中,功率器件的稳定性与效率直接影响整车的性能与可靠性。其中,快恢复整流器因其反向恢复时间短、切换损耗低等特点,广泛应用于PFC(功率因数校正)、逆变器、DC-DC转换以及电机驱动等环节。本文将聚焦快恢复整流器在电动车控制器中的典型应用,并探讨其热管理策略。一、快恢复整流器的作用机理简述快恢复整流器是一类具有短反向恢复时间(通常在几十纳秒以内)的
  • 发布了文章 2025-06-25 10:31

    并联与串联设计中的MDD快恢复整流器:均流与耐压怎么搞?

    MDD快恢复整流器因其极短的反向恢复时间和较小的反向恢复电流,被广泛应用于PFC电路、开关电源、逆变器和新能源汽车电控系统中。在某些特殊应用场景中,为了满足更高的电流输出能力或更高的耐压要求,工程师会考虑将快恢复整流器进行并联或串联设计。但看似简单的“叠加”,实际涉及一系列电气与热学挑战,尤其是均流与均压控制问题。本文将深入剖析快恢复整流器在并联与串联应用中
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  • 发布了文章 2025-06-24 09:35

    高频高效的关键:MDD快恢复整流器在开关电源中的核心作用

    在现代电源设计中,开关电源(SMPS)因其体积小、效率高、适应性强,广泛应用于通信设备、计算机系统、工业控制、电动工具及新能源汽车等领域。而实现高频、高效、高可靠性的开关电源设计,除了依赖于拓扑结构与主控芯片的优化外,功率器件的性能同样起着决定性作用。其中,MDD快恢复整流器作为关键续流与整流元件,在系统效率、EMI控制与热管理中扮演了不可或缺的角色。本文将
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  • 发布了文章 2025-06-23 10:05

    在PFC和逆变电路中使用MDD快恢复整流器:如何优化效率与EMI?

    在高频电源设计与能量转换系统中,功率因数校正电路和逆变电路是提升系统性能与能效的关键单元。随着系统开关频率日益提高,传统整流器件的性能瓶颈逐渐暴露出来,特别是在反向恢复时间长、电磁干扰(EMI)严重和能量损耗大的问题上。MDD快恢复整流器作为针对这些痛点优化的产品,已成为现代PFC与逆变拓扑中不可或缺的核心器件。本文将深入探讨快恢复整流器在这两类电路中的具体
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  • 发布了文章 2025-06-20 10:12

    双肖特基并联与整流桥一体化:适用于高功率电源的设计技巧

    在高功率电源设计中,提高系统效率、降低发热、优化布板空间是工程师必须权衡的核心目标。在整流部分,肖特基二极管因其低正向压降和快速开关特性成为首选。然而,单颗肖特基器件在承载能力或热性能上往往难以满足高电流整流需求,因此“双肖特基并联”与“整流桥一体化”的组合方案日益受到青睐。本文MDD将从原理、优势、注意事项出发,深入解析这一设计策略,助力高功率电源实现更优
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  • 发布了文章 2025-06-19 09:49

    MDD肖特基整流桥失效模式解析:温升、漏电与击穿的工程应对

    MDD肖特基整流桥因其低正向压降、高速开关特性和良好的导通能力,广泛应用于电源适配器、LED驱动、DC-DC转换器、车载电源等中低压、高频整流场合。然而,在实际应用中,工程师常常会遇到肖特基整流桥失效的问题,如温升过高、反向漏电流异常、器件击穿等。本文将系统解析肖特基整流桥的三大典型失效模式及其背后的机理,并提出具体的设计与使用建议,助力提升电路的稳定性与可
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企业信息

认证信息: MDD辰达半导体

联系人:陈小姐

联系方式:
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地址:龙华区民塘路328号鸿荣源北站中心B座13楼

公司介绍:      深圳辰达半导体是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。      公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。      公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。      展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

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