MDD辰达半导体

动态

• 发布了文章 2025-07-17 10:57

  如何通过实验测试验证整流二极管在极端环境下的可靠性？

  

  为确保整流二极管在高温、高湿、振动、冲击等极端环境下的可靠性，需通过一系列标准化实验测试进行验证。以下结合国际测试标准与工程实践，系统介绍测试方法及实施要点：​​一、环境应力测试​​​​1.高温存储测试（HTSL）​​​​目的​​：评估高温对材料老化的影响。​​测试条件​​：温度：150℃（硅器件）或175℃（SiC器件）时长：168–1000小时（不通电）

  整流二极管 测试

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• 发布了文章 2025-07-16 10:51

  在高温或高振动环境下，整流二极管的降额曲线应该如何调整？

  

  在高温或高振动环境下，整流二极管的降额曲线需结合热力学和机械应力进行综合调整，以确保长期可靠性。以下是具体调整策略及设计要点：一、高温环境下的降额曲线调整1.温度对电流能力的限制整流二极管的额定电流随环境温度升高而显著下降，需遵循“温度-电流降额曲线”：降额原理：结温（Tj）是核心限制参数。硅二极管最高结温通常为125℃~175℃，需满足：Tj=Ta+(IF

  振动 整流二极管

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• 发布了文章 2025-07-08 09:43

  浅谈辰达MOSFET在USB PD快充电源中的应用挑战与应对

  

  在USBPD快充电源设计中，MOSFET作为功率控制与转换的核心器件，发挥着关键作用。随着充电功率向65W、100W甚至更高迈进，对MOSFET的性能提出了更严苛的挑战。本文将从应用挑战出发，结合FAE工程实践，分析MOSFET在USBPD快充中的关键设计要求与应对策略。一、应用背景：MOSFET在USBPD快充中的位置USBPD（PowerDelivery

  MOS MOSFET USB PD

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• 发布了文章 2025-07-07 10:23

  MOSFET与IGBT的选择对比：中低压功率系统的权衡

  

  在功率电子系统中，MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统设计的效率与稳定性。本文将详细分析MOSFET与IGBT的选择对比，特别是在中低压功率系统中的权衡。一、MOSFET与IGBT的基本原理MOSFET工作原理：MO

  IGBT MOS MOSFET 开关器件

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• 发布了文章 2025-07-04 10:03

  并联MOSFET设计指南：均流、寄生参数与热平衡

  

  在现代高效电源设计中，MOSFET并联技术广泛应用于要求大电流承载能力的电路中，如电动汽车、电源供应、功率放大器等。通过并联多个MOSFET，可以大幅提高电路的电流处理能力、降低导通损耗，并增强系统的整体可靠性。然而，MOSFET并联设计并非简单的“多加几个”过程，必须考虑到均流、寄生参数与热平衡等诸多因素。本文将探讨如何在实际设计中有效应对这些挑战，优化并

  MOS MOSFET 并联

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• 发布了文章 2025-07-03 09:42

  同步整流MOSFET的设计要点与效率提升技巧

  

  在现代高效率电源系统中，同步整流技术已成为主流选择，尤其是在DC-DC变换器、USB快充适配器、服务器电源和车载电源等场景中。同步整流相比传统的肖特基二极管整流，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。其核心器件——MOSFET，在设计中扮演着至关重要的角色。本文将深入探讨同步整流MOSFET的选型要点和提升效率的设计技巧。一、同步整流的基本原理传统整流使用二极

  MOS MOSFET 二极管 同步整流

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• 发布了文章 2025-07-02 10:04

  辰达MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用与优化策略

  

  一、MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用开关功能DC-DC变换器的核心工作原理是通过高频开关操作将输入直流电压转换为所需的输出直流电压。MOSFET作为开关元件，在此过程中起着至关重要的作用。MOSFET的开关频率决定了变换器的工作频率，同时它的开关速度、导通电阻（RDS(on)）和门极电荷（Qg）等特性直接影响变换器的效率和响应时间。开关损耗控制在D

  MOS MOSFET 变换器

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• 发布了文章 2025-07-01 14:12

  从开关速度看MOSFET在高频应用中的性能表现

  

  一、MOSFET开关速度的定义与影响因素开关速度是MOSFET在导通（开）和关断（关）状态之间的切换速度，通常以上升时间（tr）、下降时间（tf）和开关时间（ts）来描述。开关速度越快，MOSFET切换的响应时间越短，意味着更小的开关损耗和更高的工作效率。MOSFET的开关速度主要受以下几个因素的影响：门极电荷（Qg）：门极电荷是MOSFET开关过程中的一个

  MOS MOSFET 开关速度

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• 发布了文章 2025-06-27 10:00

  MDD快恢复整流器失效模式详解：过热、浪涌与封装问题一网打尽

  

  在高频开关电源、电焊机、电动工具和PFC电路中，MDD快恢复整流器因其恢复时间短、反向恢复电荷小的特性，成为工程师优先考虑的整流器件。然而，快恢复整流器并非“无懈可击”，在实际应用中仍然存在诸如过热失效、浪涌损伤及封装老化等风险。本文将深入解析快恢复整流器的主要失效模式，并提供工程应对策略。一、过热失效：热设计不可忽视的关键快恢复整流器的功率损耗主要来自导通

  MDD 整流器 浪涌

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• 发布了文章 2025-06-26 09:54

  快恢复整流器在电动车控制器中的典型应用与热管理策略

  

  在电动车控制器中，功率器件的稳定性与效率直接影响整车的性能与可靠性。其中，快恢复整流器因其反向恢复时间短、切换损耗低等特点，广泛应用于PFC（功率因数校正）、逆变器、DC-DC转换以及电机驱动等环节。本文将聚焦快恢复整流器在电动车控制器中的典型应用，并探讨其热管理策略。一、快恢复整流器的作用机理简述快恢复整流器是一类具有短反向恢复时间（通常在几十纳秒以内）的

  控制器 整流器 电动车

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