2.5D与矽传孔 - 新兴封装技术：小型化趋势永无止境

　　讨论封装技术时当然也不容错过2.5D 与矽穿孔（TSV）封装整合，例如AMD的Fury X绘图卡。图7显示在其2.5D整合方案中的GPU覆晶封装至晶片中介层，周围并围绕4个海力士（Hynix）高频宽记忆体（HBM） DRAM模组。该HBM模组利用中介层表面顶部形成的铜互连以电连接至GPU。

　　图7：AMD Fury X GPU

　　图8是AMD Fury X GPU的封装横截面图，显示连接至矽中介层与底层FR4基板的Hynix HBM模组部份。AMD GPU也以覆晶封装至相同的中介层，但连接至HBM右侧（超出此图范围之外）。矽中介层连同4个HBM模组与GPU依次嵌入于FR4基板上。

　　图8：AMD Fury X封装横截面

　　图9可以看到用于连接HBM模组至FR4基板与GPU的铜走线，这些都是使用传统65nm双金属镶嵌制程形成的。我们还可以看到用于连接中介层至FR4基板的铜填充TSV。

　　图9：矽中介层与铜互连

　　本文简要地介绍了三种主要的封装整合方案：多晶片模组（MCM）、嵌入式元件封装（ECP）以及 2.5D的TSV封装。这些方案都是针对需要提高封装整合度的理想解决方案。

　　新兴封装技术的出现，主要的驱动力量就来自于永无止境地追求更轻薄短小的智慧型手机。如今，业界盛传Apple将为即将推出的iPhone 7取消耳机孔，目的就是为了打造更纤薄的手机。然而我们并不确定元件制造商将会采用哪一种封装技术来搭配。iPhone 7预计要到今年九月才会发布，这漫长的等待时间怎不教人心急？