IIC-2012参展商芯愿景详解三大优势服务

 

　　芯愿景公司从创建之初就一直对外提供设计服务，但今年公司第一次把设计服务的定位确定为兼容性设计服务，这样公司的定位就同其他设计服务公司进行了区分。芯愿景公司这一次的服务定位与自身的发展历史和优势有着密切关系。芯愿景公司在业界是一家知名的反向设计服务公司，而反向设计最大的优点就是产品具有良好的兼容性。随着国内集成电路设计能力提高和知识产权保护意识的提升，国内不少设计企业开始由纯粹的反向设计转向在借鉴创新的思路上。芯愿景公司也在满足其服务要求的同时掌握并积累了正向设计和芯片改进的技术。芯愿景公司通过研究原芯片和系统的资料，重新定义产品规格书，经用户确认后即可进行兼容性设计方案确定。下表列出了各种的设计方案流程。

　　专利分析

　　当集成电路知识产权受到侵犯时，传统的司法取证方式一般很难实施，利用反向分析的方式获取侵权证据成为最主要的技术手段。随着技术发展，这种服务于集成电路侵权取证的反向分析技术逐步发展成一门独立的技术，服务于布图设计侵权的称为版图相似性分析，服务于专利侵权的称为专利分析(patent analysis, PA)。由于布图设计保护制度成文较晚，且保护的层次上远不如专利高阶，因此版图相似性分析的司法实践很少，而专利分析则应用广泛，其技术方案和商务模式也比较成熟。

　　2006年，芯愿景公司开始承接海外专利分析项目，起初客户仅将纯粹的反向分析工作外包出来，而专利分析工作并不外包给芯愿景公司。随着芯愿景公司专利分析能力的不断提升，专利分析的内容逐渐得到扩展，从原先单纯的反向工程逐渐扩展到专利地图制作、侵权可能性分析、专利侵权报告撰写、专利交易估价以及专利战略咨询等方面。同时，专利分析项目的数量也在快速增加，2010年承接的专利分析项目已经超过了100个，占全球专利分析项目数量的20%以上。

　　45纳米以下工艺芯片解剖技术

　　芯片工艺在45纳米以下时，芯片解剖变得异常困难。绝大部分130纳米以下工艺的芯片基本上都是采用铜互连，铜互连的解剖技术在芯片分析领域一直是一个国际性难题。这主要是因为铜工艺采用了双大马士革(Dual Damascene)技术，互连线和通孔的材质都是金属铜，因此靠化学反应选择性去除互连线而保留通孔的传统去层方法，已经无法发挥作用，更何况在到45纳米时，金属层间介质已经薄到50纳米以下，传统的去层方法根本无法满足解剖要求。而且45纳米以下的金属栅工艺，存在由金属钨制作的M0层，由于M0层和“多晶层”同是金属，如何把二者进行成功分离，且不破坏金属栅结构，是一个非常大的技术难题。

　　芯愿景公司经过大量的实验研发，已经完全解决了45纳米以下工艺的解剖难题，在集成电路分析领域走到了国际最前列，最近两年已经顺利完成了诸如苹果A4、Intel Z5和Core i7等10多款45纳米以下工艺的芯片解剖和电路分析工作，在业内赢得广泛的赞誉。

　　芯愿景公司在没有融资和投资的情况下，从一个只有几个员工的小公司，逐渐发展成有300多人的业界领先企业。公司负责人表示，这和芯愿景公司从开始就定位在分析服务上的决心密不可分。这样明确的定位至少起到了两方面的作用：一是坚持不懈地做一件事情，容易把事情做精做透;二是作为一个服务型公司，明确的定位会加强客户信任感，容易建立长期的合作关系，芯愿景公司认为营销成本降低的最大因素是客户对公司的信任