RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案
2012-09-27 09:17:24
2873 本文针对LTE引入后多模多频段选择对终端产品体积、成本、性能等方面所带来的挑战进行了深入分析和研究，并给出了现阶段解决上述挑战的射频芯片和射频前端参考设计架构。##为了提高多模多频段终端产品的接收
2015-03-31 11:48:3418680 
4G到5G的升级，给射频前端带来了怎样的挑战射频前端(RFFE) 是移动电话的射频收发器和天线之间的功能区域，主要由功率放大器 (PAs) 、低噪声放大器 (LNAs) 、开关、双工器、滤波器和其他
2017-07-20 13:08:34
调谐器尤为明显。射频器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统射频开关芯片和调谐器，用于当今的4G无线网络。最近，GlobalFoundries为未来的5G网络推出了45nm
2017-07-13 08:50:15
多项关键技术直接推动射频前端芯片市场成长。5G时代会有更多的频段资源被投入使用，多模多频使射频前端芯片需求增加，同时Massive MIMO和波束成形、载波聚合、毫米波等关键技术将助长这一趋势。物联网
2017-04-14 14:41:10
功率检测器兼容低电压（1.2V）CMOS控制逻辑或VDD级所有端口上的ESD保护电路直流去耦射频端口所有VDD偏压管脚上的内部射频去耦接收通道的低噪声系数接收信号的高功率能力极低的直流功耗全片匹配去耦电路所需的最小外部组件50欧姆输入/输出匹配市场认可的CMOS技术
2019-11-08 17:07:27
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55:10
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准
2021-07-29 07:00:00
传统设计模式所应对的挑战是什么嵌入式系统开发工具的发展趋势是什么
2021-04-27 06:08:56
`2.4 GHz CMOS工艺 高效单芯片射频前端集成芯片 产品介绍 AT2401C 是一款面向Zigbee，无线传感网络以及其他2.4GHz 频段无线系统的全集成射频功能的射频前端单芯片
2018-07-28 15:18:34
目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备，如手机端的功率放大器（PA）和低噪声放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射频（RF）开关主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-12-20 16:51:12
)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片，一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后，锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
牛逼，这是什么软件制作的，求解答
2012-11-29 10:09:42
产品介绍AT2401C 是一款面向Zigbee，无线传感网络以及其他2.4GHz 频段无线系统的全集成射频功能的射频前端单芯片。AT2401C 是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成
2019-07-17 12:22:28
/家庭自动化等市场批量生产七种新的CMOS射频前端集成电路RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat表示：“RFaxis已经打破了所有的技术障碍，这些障碍一度使得纯CMOS无法超越GaAs
2018-07-09 15:16:33
AT2402E 是一款应用于无线通信的集成收发功能的射频前端单芯片，芯片内部集成了所需要的射频电路模块，集成度非常高，主要包括功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)，收发模式切换的开关控制电路等
2020-08-03 11:22:26
高速模拟IO、甚至一些射频电路集成在一起，只要它不会太复杂。 由于工艺技术的不兼容性，RF集成通常被认为是一种基本上尚未解决的SoC挑战。在数字裸片上集成RF电路会限制良品率或导致高昂的测试成本，从而
2019-07-05 08:04:37
我们都知道处理器芯片， 是依靠不断缩小制程实现技术升级，而作为模拟电路中应用于高频领域的一个重要分支，射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合。大家都知道现在已经进入了5G时代，而射频
2019-11-09 10:29:19
SoC测试技术传统的测试方法和流程面临的挑战是什么？SoC测试技术一体化测试流程是怎样的？基于光子探测的SoC测试技术是什么？有什么目的？
2021-04-15 06:16:53
AT2402E 采用 CMOS 工艺实现，具有非常低的成本并且具有非 常好的射频性能，比如发射模式时高的功率增益，发射线性度和发射效率，以及 接收模式下极低的噪声系数。得益于 AT2402E 优秀的性价比
2023-02-22 18:39:55
。射频前端芯片AT2401C是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成了功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)，芯片收发开关控制电路，输入输出匹配电路以及谐波滤波电路。集成度超高，使用方便
2018-10-19 11:45:00
。射频前端芯片AT2401C是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成了功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)，芯片收发开关控制电路，输入输出匹配电路以及谐波滤波电路。集成度超高，使用方便
2018-10-22 13:59:54
神器可以解决之。集成射频前端芯片AT2401C。射频前端芯片AT2401C是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成了功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)，芯片收发开关控制电路，输入输出匹配
2019-03-15 18:20:53
【非常牛逼资料分享】深入理解MOSFET规格书datasheet需要原版稳定的朋友，请自行回帖下载。 [hide]https://pan.baidu.com/s/1o85LQWE[/hide] 文章比较长，截了一部分资料的图片如下
2017-10-24 16:45:30
对样品的测试结果作了简单分析。随着现代无线通讯技术的发展，射频微波器件和功能模块的小型化需求日益迫切。本文介绍的L波段收发射频前端采用LTCC工艺，利用无源电路的三维叠层结构，大大缩小了电路尺寸。在
2019-06-24 07:40:47
，同时此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块，组成GSM/DCS双频段射频前端模块，如图1所示。 图1 GSM/DCS双频段射频前端模块示意图。
2019-07-08 08:21:18
完全解决的。这些挑战包括：多于10万个器件的设计复杂度、大于几GHz的时钟主频、纳米级的CMOS工艺技术、低功耗、工艺变化、非常明显的非线性效应、极度复杂的噪声环境以及无线/有线通讯协议的支持问题。
2019-10-11 06:39:24
随着射频无线通信事业的发展和移动通讯技术的进步，射频微波器件的性能与速度成为人们关注的重点，市场对其的需求也日益增多。目前，CMOS工艺是数字集成电路设计的主要工艺选择，对于模拟与射频集成电路来说，有哪些选择途径？为什么要选择标准CMOS工艺集成肖特基二极管？
2019-08-01 08:18:10
随着移动行业向下一代网络迈进，整个行业将面临射频组件匹配，模块架构和电路设计上的挑战。射频前端的一体化设计对下一代移动设备真的有影响吗？
2019-08-01 07:23:17
进入3G/4G/Pre-5G时代，射频前端，一个手机SoC里不起眼的小角色，开始在高端智能手机市场挑大梁。一旦连上移动网络，任何一台智能手机都能轻松刷朋友圈、看高清视频、下载图片、在线购物，这完全是
2019-07-30 08:24:01
什么是量子点技术？量子点技术如何应用于液晶面板的？量子点技术牛在哪？量子点技术的有什么特点？
2021-06-02 06:20:39
本文提出一种具有射频监测能力的雷达接收前端技术，解决了现有雷达及雷达测试系统无法在接收过程中对复杂电磁环境的影响效应进行有效分析和测量的问题。该技术用于对多干扰源及多要素叠加的电磁环境作用下的接收机
2020-12-21 07:29:50
查询了一些资料，知道了分频器是锁相环电路中的基本单元．是锁相环中工作在最高频率的单元电路。传统分频器常用先进的高速工艺技术实现。如双极、GaAs、SiGe工艺等。随着CMOS器件的尺寸越来越小，可用
2021-04-07 06:17:39
产生的原理和固态射频能量产生原理图例，从中可以看出，传统的射频能量一般由磁控管产生，作用于物品或者工艺需要，固态射频能量由射频合成器产生，受控于射频功率放大器的闭环控制调节，作用于物品或者工序需要
2018-08-21 10:57:30
模式下有非常低的噪声系数和非常强的功率处理能力· 非常低的直流静态功耗· 发射模式下非常低的工作电流· 全集成射频输入输出端口的阻抗匹配电路，电阻均为 50Ω· 只需要非常少的外围器件· 仅使用了可靠的 CMOS 工艺制作· 采用 16 管脚的 QFN 封装(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
119%。高增长的背后是射频市场的机遇，但同时也是挑战。如何解决5G通信高带宽和大功率的射频技术挑战？就成了一个非常棘手的问题。
2019-08-01 08:25:49
基本的NMOS管串联结构基础上，采用深N阱工艺的NMOS器件，运用一种改进型的体悬浮(body-floating)技术，实现了 一个宽带射频收发开关。与传统的串并联结构开关电路相比，该结构具有更高的线性度
2019-07-31 06:22:33
直接影响着接收机的性能。另一方面，LNA的设计也是无线电设备相关电路设计中最具有挑战性的内容之一。这主要表现在它同时需要满足高增益、低噪声、良好的输入输出匹配和在尽可能小的工作电流时的无条件稳定性。那么，大家知道我们该如何设计CDMA射频前端低噪声放大器电路吗？
2019-08-01 06:34:15
感觉这是个很牛逼的论坛 这辈子就他了， 技术宅屌丝就这样过一生了 新人报道{:4_95:}
2014-07-14 23:30:04
嵌入式 超牛逼 的语言 C++学习宝典！！！
2012-09-19 11:42:04
。老牌的飞利浦、FREESCALE、意法半导体和瑞萨仍然坚持用传统工艺，主要是SiGeBiCMOS工艺，诺基亚仍然大量使用意法半导体的射频收发器。而欧美厂家对新产品一向保守，对RFCMOS缺乏信任
2016-09-15 11:28:41
即使是最自信的设计人员，对于射频电路也往往望而却步，因为它会带来巨大的设计挑战，并且需要专业的设计和分析工具。怎么优化射频和微波设计挑战？来简化任何射频PCB 设计任务和减轻工作压力！这个问题急需解决。
2019-08-21 06:38:27
本文介绍的L波段收发射频前端采用LTCC工艺，利用无源电路的三维叠层结构，大大缩小了电路尺寸。在电路设计上，使用单节λ/4短截线收发开关电路，既保证了高收发隔离和低损耗接收的电路性能，又比传统的并联式开关电路节省了一节λ/4短截线占据的空间，缩小了电路尺寸。
2021-05-24 07:03:25
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构，使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能。同时将此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块，组成GSM/DCS双频段射频前端模块，其中射频开关采用高隔离开关设计，使得谐波满足通信系统要求。
2021-05-28 06:28:14
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准
2019-08-22 06:24:40
射频前端模块性能关系到整个接收机的性能。本文通过对接收机进行研究，分析了超外差接收机的特点，提出了一种采用PLL技术的接收机的射频前端方案，及对射频前端的关键技术指标进行了分析。并通过软硬件平台进行
2019-08-22 07:38:30
–4%的重量百分比范围内（wt%），同时扩散通常是在低于1%的Tb或Dy的质量分数范围内进行的。晶界扩散技术可以使用1/3~1/2的传统工艺使用的镝或铽的用量达到和传统工艺磁体一样高的剩磁(Br
2018-10-17 10:33:33
。 射频前端芯片AT2401C是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成了功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)，芯片收发开关控制电路，输入输出匹配电路以及谐波滤波电路。集成度超高，使用方便
2018-11-26 10:26:16
神器可以解决之。集成射频前端芯片AT2401C。射频前端芯片AT2401C是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成了功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)，芯片收发开关控制电路，输入输出匹配
2018-11-09 10:18:57
随着数字移动电视不断向移动设备的应用转移，应用和系统工程师正面临着各种挑战，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信号完整性。对现有移动电视标准的研究重点将放在了DVB-H上。本文将从系统角度讨论DVB-H接收器设计所面临的机遇和挑战，并重点介绍射频前端。
2019-06-03 06:28:52
LTCC技术实现SIP的优势特点有哪些？怎样去设计一种射频接收前端SIP？
2021-04-26 06:05:40
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
高速ADC前端设计的挑战和权衡因素
2021-04-06 07:18:55
在研究移动电视技术发展趋势时需要区分产品功能组合、封装、性能、采用的半导体工艺和最重要的射频接收器性能。目前大多数单制式解调器都采用130纳米至65纳米CMOS工艺制造。多数情况下，它们与射频接收器
2019-07-29 06:49:39
硅锗技术改善射频前端性能
2006-05-07 13:20:01
36 摘 要 无线通信系统的多功能、小型化、低成本的趋势，对射频前端模块的设计提出了很大的挑战。人们对滤波器、巴伦、蓝牙模块和功放模块的设计已经进行过大量的研究。在这
2010-06-19 10:31:5248 多重标准射频前端可能是独立的集成电路，或是一个较大、且整合了射频及调制解调器之芯片系统(SoC)解决方案的一部份。在这两种情况中，射频电路系统的关键设计需求基本上相同
2011-04-22 11:19:44650 专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新、下一代射频解决方案的无厂半导体公司RFaxis宣布，该公司将在2012年台北国际电脑展览会上推出纯CMOS、RFX5000射频前端集成电路（RFeIC），该集
2012-05-14 08:49:42891 近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利
2012-05-21 10:06:191850 
。 其中，通过无线网络进行连接已逐渐成为主流，但射频前端芯片作为移动网络连接的关键部分，却还是面临着一些挑战。目前，产业界在射频前端芯片方面主要采用GaAs/SiGe技术来实现，但其工艺复杂，成本较高、产能低下，难以实现低成本的规
2017-11-09 16:28:0210 （硅锗）BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代该结束了，纯CMOS工艺RF前端 IC将在未来十年内主宰移动互联网和物联网时代。 业界对CMOS PA产品的热情一直没有减退。2014年6月，高通（Qualcomm）并购CMOS PA供应商Black Sand，借以强化其RF360方案竞争力；而在2013
2017-11-09 16:35:510 硅是上帝送给人类的礼物。电路板中绝大多数器件都采用体硅CMOS工艺（硅 的原材料是沙子）制造，但有一个部分却难以实现，那就是射频前端。目前射频前端主要采用GaAs或SiGe工艺制造，但由于材料
2017-11-14 10:06:384 作为接收机重要组成部分的接收机射频前端是接收机动态性能的关键部件，它工作于中频放大器之前。诸如动态范围、互调失真、-1dB压缩点和三阶互调截获点等，都与接收机前端的性能有直接关系。本文以下将介绍接收机中的射频前端设计技术。
2017-11-23 16:30:536906 
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准
2017-11-25 11:07:014628 
供应商，汉天下计划使用其提供的RFSOI工艺设计和制造用于射频前端（FEM）和天线开关模块（ASM）中的开关芯片。相比传统的GaAs和SOS工艺，RFSOI可以同时提供优良的性能和低廉的成本。 RFSOI工艺非常适合用来做射频开关的设计，基于这种先进的工艺，我们可以将MI
2017-12-05 13:22:37557 加州欧文--(美国商业资讯)--专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis宣布发布射频前端技术白皮书《面向移动手持设备应用的CMOS Wi-Fi射频前端
2019-03-18 12:30:07728 简单来说就是上面这张图，把PA、LNA、开关和外部元件都集成到单一的CMOS工艺的芯片中去。目前该公司推出单芯片射频前端可用于WLAN（2.4G和5G）、蓝牙、802.11n/MMO、WHDI及ZigBee等无线传输设备上。
2018-05-11 09:16:004828 为满足下一代蜂窝电话设计对更多特性、多模式及工作频率的需求，工程师们必须寻找提高射频前端集成度的途径。通过采用CMOS工艺的最新集成方案，他们找到了应对这一挑战的答案。 消费者对更小、更便宜手机
2018-09-17 00:56:01186 本文档的主要内容详细介绍的是锂电池的传统工艺详细资料介绍主要包括了：配料，涂布，制片，极耳焊接，卷绕，短路检验，入壳，滚槽，注液，封口，密封性检验，化成，分容，外包装，出厂检验
2018-12-03 08:00:0030 在很多分析师和厂商看来，2019年将会是5G元年，但这个高速、低延迟和广泛覆盖网络到来，除了在应用方面带来了变革的机会，给上游供应商也带来了不小的挑战，尤其是射频前端方面。
2019-05-02 17:32:003495 
随着射频无线通信事业的发展和移动通讯技术的进步，射频的性能与速度成为人们关注的重点，市场对其的需求也日益增多。目前，CMOS工艺是数字集成电路设计的主要工艺选择，对于模拟与射频集成电路来说，选择
2020-09-25 10:44:002 射频前端模块性能关系到整个接收机的性能。本文通过对接收机进行研究，分析了超外差接收机的特点，提出了一种采用PLL 技术的接收机的射频前端方案，及对射频前端的关键技术指标进行了分析。并通过软硬件平台
2020-09-23 10:45:003 CMOS器件是在硅材料上逐层制作而成的。虽然蚀刻和沉积是标准工艺，但它们主要使用光刻和等离子蚀刻在裸片上创建图案。另一方面，MEMS是采用体硅加工工艺嵌入到硅中，或通过表面微加工技术在硅的顶部形成。
2020-09-01 11:21:323490 射频（RF）前端与链路是雷达、通信、电子战等系统中的核心功能模块。新一代智能无线系统的大带宽、多频段、可重构信号处理与传输需求对RF 前端与链路的研发提出一系列挑战。
2020-09-08 11:32:344680 
刀剪生产自动化，科技力量打磨传统工艺 在刀剪制造领域，珞石机器人经过多年工艺、技术积累，凭借机器人产品高精高速的运动性能，融合丰富的自动化产业经验，成功的实现了机器人开刃、水磨等关键核心生产技术
2020-09-09 09:16:222005 不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议
2022-12-13 11:42:001674 5G作为移动通信领域的重大变革点，是当前新基建的领衔领域。在5G的影响下，射频前端器件正发生什么样的变化？近日在中国MEMS制造大会上，左蓝微电子创始人、总经理张博士以5G时代射频前端的机遇与挑战
2020-11-11 15:33:553043 射频前端模组之滤波器技术简要分类
2020-12-02 16:33:101860 DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。 射频前端是无线通信的必备器件，其负责IT设备之间的发射
2022-01-13 09:35:294114 ，对后张法预应力孔道压浆的质量检测，确保有效预应力体系的建立，是保证桥梁达到设计要求，满足使用耐久性的一个重要环节。 一、传统压浆工艺存在问题 1、水泥浆液的配制 水泥浆液的配制存在很大的人为性因素，配制浆液的设备也不标准，
2022-10-21 15:26:39327 
一体成型电感工艺流程，PIM绕线代替传统工艺 一体成型电感传统工艺流程： 绕线：将铜线依规定要求绕至固定形状尺寸。 点焊：将绕至好的线圈使用电流熔焊接到料片脚上。 成型：将点焊好料片放入模具使用液压
2023-07-09 14:55:45644 
和天线技术的集成电路，主要实现处理射频信号的功能。下面详细讲解射频前端和射频芯片的关系。 首先，射频前端是指从天线开始到最后一级放大器之间的电路系统。射频前端包括天线、跨越器、调节器、偏置器、放大器和滤波器等
2023-09-05 09:19:141805 最近十几年中，射频前端方案快速演进。“模组化”是射频前端演进的重要方向。
2023-11-08 09:24:00535 
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