资料介绍
特性
• 具有 EEPROM 备份的 4 Kb/16 Kb SRAM:
- 内部构成为 512 x 8 位 (47X04)或
2,048 x 8 位 (47X16)
- 掉电时自动存储到 EEPROM 阵列 (使用可
选外部电容)
- 上电时自动回调至 SRAM 阵列
- 硬件存储引脚,用于手动存储操作
- 软件命令用于启动存储和回调操作
- 存储时间最大值为 8 ms (47X04)或
25 ms (47X16)
• 非易失性外部事件检测标志
• 高可靠性:
- 可对 SRAM 进行无限次读和写操作
- EEPROM 存储次数高于 1 百万次
- 数据保持时间:》200 年
- ESD 保护:》4,000V
• 高速 I
2C 接口:
- 行业标准 100 kHz、 400 kHz 和 1 MHz
- 读和写操作延时为零周期
- 施密特触发器输入,可抑制噪声
- 最多可级联 4 个器件
• 写保护:
- 软件写保护范围:1/64 SRAM 阵列到整个阵
列
• 低功耗 CMOS 技术:
- 200 µA 工作电流 (典型值)
- 40 µA 待机电流 (最大值)
• 可用温度范围:
说明
Microchip Technology Inc.生产的47L04/47C04/47L16/47C16
(47XXX)是一款具有 EEPROM 备份的 4/16Kb SRAM。该
器件由 512 x 8 位或 2,048 x 8 位存储器构成,并采用
I
2C 串行接口。47XXX 支持对 SRAM 进行无限次读写,
而 EEPROM 单元提供对数据的高耐擦写非易失性存
储。借助外部电容,SRAM 数据会在断电时自动传输到
EEPROM。还可使用硬件存储引脚或软件控制手动传
输数据。上电时, EEPROM 数据自动回调至 SRAM。
还可通过软件控制启动回调。
47XXX 提供 8 引脚 PDIP、 SOIC 和 TSSOP 封装。
框图
部件编号 密度 (位) VCC
范围
最大时钟
频率 温度范围 封装
47L04 4K 2.7-3.6V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST
47C04 4K 4.5-5.5V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST
47L16 16K 2.7-3.6V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST
47C16 16K 4.5-5.5V 1 MHz I 和 E P、 SN 和 ST
- 工业级 (I): -40°C 至 +85°C
- 汽车级 (E): -40°C 至 +125°C
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