FLASH和EEPROM的区别

　　掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的想少量参数保存在 EEPROM 中�其擦除次数较 Flash 多�Flash 用来做程序和一些掉电保护和不需要修改的数据。 Flash memory 指的是“闪存”�所谓“闪存”�它也是一种非易失性的内存�属于 EEPROM 的改进产品�它的最大特点是必须按块�Block�擦除�每个区块的大小不定�不同厂家的产品有不同的规格��而 EEPROM 则可以一次只擦除一个字节�Byte��目前“闪存”被广泛用在 PC 机的主板上�用来保存 BIOS 程序�便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品�具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点�但是将其用来取代 RAM 就显的不合适�因为 RAM 需要能够按字节改写�而 Flash ROM 做不到。 FLASH 的全称是 FLASH EEPROM�但跟常规 EEPROM 的操作方法不同。FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作�EEPROM 则按字节操作�二者寻址方法不同�存储单元的结构也不同�FLASH 的电路结构较简单�同样容量占芯片面积较小�成本自然比 EEPROM 低�因而适合用作程序存储器�EEPROM 麻烦的多�所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器�而廉价型设计往往只有 FLASH�EEPROM 在运行中可以被修改�而 FLASH 在运行时不能修改�EEPROM 可以存储一些修改的参数�Flash 中存储程序代码和不需要修改的数据�所谓的 Flash 是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以�理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为 Flash memory。EEPROM 里面也分 FF-EEPROM 和 FLASH EEPROM 的�现在大家所讲的 Flash memory 实际上分为两大类�一类是 Floating Gate Debice�一类是 Charge Trapping Debice�这里的分类标准主要是 program 与 crase 的机制不同