高介电栅介质材料研究进展

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上传日期: 2010-11-11

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摘要t传统的栅介质材料Si02不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近
几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高
介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

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