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特性 |
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品牌:Nexperia 描述:二极管配置:独立式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):500nA@80V 反向恢复时间(trr):4ns
金额:¥
去购买型号:BAS16TW-7-F 封装:SOT363
品牌:DIODES 描述:二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):1uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj)
金额:¥0.22440
去购买品牌:Nexperia 描述:二极管配置:独立式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA
金额:¥
去购买金额:¥0.10764
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