安森美半导体的串行SRAM系列包括几个集成的存储器件,包括这个1Mb串行访问的静态随机存取存储器,内部组织为128 K字节8位。这些器件采用北美半导体先进的CMOS技术设计和制造,可提供高速性能和低功耗。这些器件采用单片选(CS)输入工作,并使用简单的串行外设接口(SPI)协议。在SPI模式下,单个数据输入(SI)和数据输出(SO)线与时钟(SCK)一起用于访问器件内的数据。在DUAL模式下,使用两个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO1)线,在QUAD模式下,四个多路复用数据输入/数据输出(SIO0-SIO3)线与时钟一起使用以访问存储器。这些器件可在-40°C至+ 85°C的宽温度范围内工作,采用8引脚TSSOP封装。 N01S830xA设备有两种不同的变体,一种是允许与设备暂停通信的HOLD版本,另一种是与电池一起使用的备用电池(BBU)版本,用于在电源丢失时保留数据。
特性 |
|
|
|
- 简单串行接口 - 单位SPI访问 - DUAL位和QUAD位SPI类访问
|
- 灵活的操作模式 - 字模式 - 页面模式 - 突发模式(全阵列)
|
|
- 功能选项
- 暂停操作的HOLD引脚 - VBAT P.用于电池备份 |
|
|
终端产品 |
- 智能电表
- 心脏监护设备
- 视频处理
- 事件记录器
- 警报系统
- 汽车MP3接口
- 医疗监控设备
- 游戏控制器
- IP摄像头缓冲器
- 电池充电器
- 激光接收器系统
- GPS罪犯追踪
- 可编程逻辑控制器
- IP无线电
|
电路图、引脚图和封装图