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H11F3M 6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器

数据:

H11FXM系列包含一个韵铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。
特性
  • 作为一个远程可变电阻:
  • ≤100Ω至≥300MΩ
  • ≤15pF分流电容
  • ≥100GΩI/ O隔离电阻作为模拟开关:
  • 极低失调电压
  • 60 V pk-pk 信号能力
  • 无电荷注入或闩锁
  • UL认证(文件编号E90700)
应用
  • 消费型设备
  • 工业级电机

电路图、引脚图和封装图




技术文档

数据手册(1) 相关资料(8)
元器件购买 H11F3M 相关库存

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