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LP0701 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm

数据:

产品信息

这些增强型(常关)晶体管采用横向MOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和负温度系数。所有MOS结构的特点是,这些器件不受热失控和热致二次击穿的影响。低阈值电压和低导通电阻特性非常适合手持式电池供电应用。

超低阈值

高输入阻抗

低输入电容

快速切换速度

低导通电阻

免于二次故障

低输入和输出泄漏

电路图、引脚图和封装图

技术文档

数据手册(0)
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