LM5114 单路 7.6A 峰值电流低侧闸极驱动器

数据： LM5114 Single 7.6-A Peak Current Low-Side Gate Driver 数据表

描述

LM5114设计用于驱动升压型配置中的低端MOSFET或驱动隔离拓扑中的次级同步MOSFET。 LM5114具有强大的灌电流能力，可以并联驱动多个FET。 LM5114还具有驱动低侧增强型氮化镓（GaN）FET所需的功能。 LM5114提供反相和同相输入，以满足单个器件类型的反相和同相栅极驱动的要求。 LM5114的输入兼容TTL /CMOS逻辑，无论VDD电压如何，均可承受高达14 V的输入电压。 LM5114具有分离栅极输出，可灵活调节开启和关断强度。 LM5114具有快速切换速度和最小化传播延迟，便于高频操作。 LM5114采用6引脚SOT-23封装和6引脚WSON封装，带有裸露焊盘，有助于散热。

特性

可控上升和下降时间的独立源和汇输出
4 V至12.6 V单电源
7.6-A /1.3-A峰值接收器和源极驱动电流
0.23-Ω漏极开路下拉式漏极输出
2-ΩOpen-漏极上拉源输出
12-ns（典型值）传播延迟
匹配反相和同相输入之间的延迟时间
TTL /CMOS逻辑输入< /li>
0.68-V输入滞后
高达14 V逻辑输入（无论VDD电压如何）
低输入电容：2.5 pF（典型值）
-40°C至125°C工作温度范围
引脚对引脚与MAX5048兼容
6引脚SOT-23

参数与其它产品相比低侧驱动器


Number of Channels (#)
Power Switch
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Channel Input Logic
Input Negative Voltage (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group

LM5114	UCC27511	UCC27511A	UCC27512	UCC27517	UCC27611
1	1	1	1	1	1
MOSFET GaNFET	MOSFET IGBT GaNFET	MOSFET IGBT GaNFET	MOSFET IGBT GaNFET	MOSFET IGBT GaNFET	MOSFET GaNFET
7.6	8	8	8	4	6
4	4.5	4.5	4.5	4.5	4
12.6	18	18	18	18	18
12	9	9	9	9	9
3	7	7	7	7	4
12	13	13	13	13	14
CMOS TTL	CMOS TTL	CMOS TTL	CMOS TTL	CMOS TTL	CMOS TTL
Inverting Non-Inverting	Inverting Non-Inverting	Inverting Non-Inverting	Inverting Non-Inverting	Inverting Non-Inverting	Inverting Non-Inverting
0	0	-5	0	0	0
Controllable Rise and Fall Times	Split Output	Split Output	Hysteretic Logic	Hysteretic Logic	Split Output
Catalog	Catalog	Catalog	Catalog	Catalog	Catalog
-40 to 125	-40 to 140	-40 to 140	-40 to 140	-40 to 140	-40 to 140
SOT-23 WSON	SOT-23	SOT-23	SON	SOT-23	WSON