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STGAP1ASTR STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器

数据: STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器.pdf

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器,该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压(高达1500V)应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC,以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此,它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。

ST的新型STDRIVE系列半桥MOSFET和IGBT栅极驱动器设计用于在恶劣的工业环境中承受高达600V的高电压,同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。L6491L6494L6498高压半桥栅极驱动器具有高达4A的灌电流/拉电流能力,因此特别适合用于中高容量电源开关。

  eval6494l eval6498l 评估板支持评估L6494和L6498高压、高侧和低侧2A栅极驱动器,这些驱动器设计用于在恶劣的工业环境中工作。该器件 最高可承受600V高压,同时保持良好的抗噪性和低开关损耗。

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STMicroelectronics 意法半导体 L6491 高压高侧/低侧 4A 栅极驱动器

高压高侧/低侧 4A 栅极驱动器利用 BCD6 "OFF-LINE" 技术制成。

STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。

STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。

STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

高密度功率驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。

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