飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

　　射频（RF）功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。

　　全新Airfast LDMOS功率晶体管提供了稳定性、增益和耐用性的完美结合。 新型Airfast GaN器件主要面向多频带应用，减少了对大型、复杂甚至是多个无线基站需求。 综上所述，这些解决方案为地面移动应用提供了高级设计选择组合。

　　飞思卡尔新型AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N LDMOS功率放大器的设计意图是在极端恶劣的运行条件下完美运行，为地面移动无线射频应用提供卓越的性能、稳定性和增益。这些器件是公共安全、专业移动无线基站和其他恶劣的M2M通信环境使用的移动VHF、UHF和700-900 MHz收发器的理想选择。

　　即使同时让电压及驱动都超载来压迫放大器及RF功率晶体管，这三款新型Airfast RF LDMOS功率产品仍能够承受》65:1的VSWR。他们整合了许多维持稳定性所需的电路，因此能够简化设计，并且在各种操作条件下都能维持稳定。飞思卡尔面向地面移动市场的最新LDMOS Airfast RF功率产品附带全面、广泛的参考设计，仅需少量电感器和电容器便可完成设计，与基于模块的解决方案相比，在类似的体积内提供了更高效率和线性。另外，Airfast RF功率器件的效益通常可达65%或更高，显著高于模块化和竞争性的分立器件。

　　飞思卡尔高级副总裁兼RF业务部总经理Ritu Favre表示：“直到目前，工程师在开发需要大型、复杂且设计昂贵的多频带系统时仍然面临巨大的挑战。我们Airfast RF功率组合的新产品可为地面移动设计师提供卓越的宽带性能，所有特性均封装于超紧凑的空间。”

　　对于无线运营商和公共安全人员，能够与多个机构通信的能力对于在发生紧急情况时采取快速、有序且高效的措施至关重要。飞思卡尔的新型Airfast AFG30S010 GaN器件的宽带性能使单一功率放大器可以支持许多地面移动频带，避免了为多机构通信设计大型、昂贵、复杂的多频带系统的需求。AFG30S010 GaN器件具有高效、先进的热性能，提供的功能可以减小放大器占用的空间，对于在更小的产品空间中满足客户需求非常关键。

　　产品规格

　　在手持对讲机应用中，新型Airfast LDMOS器件在额定7.5 Vdc电源下运行，在移动无线应用中，新型Airfast LDMOS器件在12.5 Vdc电源下运行，同时集成ESD保护。 Airfast GaN器件在28 Vdc电源下运行。

　　AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N

　　● 可承受>65:1的VSWR，具有同步过压和过载

　　● 优化系统可靠性，降低维护成本

　　● 高功率增益需要较少的阶段并提高稳定性

　　● 更高的效率，简化散热并实现更小的基站。

　　AFG30S010

　　● 整个136-941 MHz频带功耗10 W

　　● 可承受> 20:1的VSWR，具有同步过压和过载

　　● 优化系统可靠性，降低维护成本

　　● 避免使用复杂的保护电路，降低了总体系统成本

　　● 在宽泛频率范围内实现高效率

　　供货

　　AFT09MS007N 7 W和AFT09MP055N 55 W器件计划于2013年第2季度投产。AFT09MS015N 15 W和AFG03S010器件的样品计划于2013年第4季度供货。为设计工程师提供参考设计和其他支持工具。