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热阻热瞬态测试仪(T3ster) 的特点/应用/功能/技术规格

2021年09月22日 09:18 次阅读

一、T3ster及其特点

热瞬态测试仪T3Ster,用于半导体器件的先进热特性测试仪,同时用于测试IC、SoC、SIP、散热器、热管等的热特性。

1.兼具 JESD51-1定义的静态测试法(StaTIc Mode)与动态测试法(Dynamic Mode), 能够实时采集器件瞬态温度响应曲线 (包括升温曲线与降温曲线),其采样率高达 1 微秒,测试延迟时间高达 1 微秒,结温分辨率高达 0.01℃。

2.既能测试稳态热阻,也能测试瞬态热阻抗。

3.满足JEDEC最新的结壳热阻(θjc)测试标准(JESD51-14)。

4.测试方法符合 IEC 60747系列标准。

5.满足 LED 的国际标准 JESD51-51,以及LED 光热一体化的测试标准 JESD51-52。

6.测试方法符合 MIL-STD-883H method 1012.1 和 MIL-750E 3100 系列的要求。

7.结构函数分析法,能够分析器件热传导路径上每层结构的热学性能(热阻和热容参数),构建器件等效热学模型。

8.可以和热仿真软件 Flotherm,FloEFD 无缝结合,将实际测试得到的器件热学参数导入仿真软件进行后续仿真优化。

测试LED产品的相关参数:

基板温度:室温~90℃

最小采样时间间隔:1μs

结温测试分辨率:0.01℃

典型电压测量分辨率:12μV

二、 T3Ster 系统及备件一览表

序号   设备名称 制造商 产地 单位 数量
1 热瞬态测试系统 热阻分析仪主机 Mentor
Graphics
匈牙利 1
2 恒温器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
3 热电偶前置放大器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
4 参考标定模型 Mentor
Graphics
匈牙利 1
5 功率放大器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
6 前置脉冲分频器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
7 前置脉冲分频器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
8 前置脉冲分频器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
9 制冷盘 Mentor
Graphics
匈牙利 1
10 直流电源 Mentor
Graphics
匈牙利 1
11 加热/制冷循环器 Mentor
Graphics
匈牙利 1
12 软件 Mentor
Graphics
匈牙利 1
序号 备件设备名称 制造商 产地 单位 数量
1 电源线 Mentor
Graphics
匈牙利 4
2 测试工具及专用工具 Mentor
Graphics
匈牙利 4

三、T3Ster 系统技术规格

1.加热功率:0-38A/43V(电流线性可调),满足大功率高压LED产品测试;

2.电流范围:0-38A,线性输出;

3.器件电压:0-43V;

4.电流准确度:0.05%;

5.K系数测试电流:0-200mA(电流线性可调),与外部控温装置联动,自动测试K系数;

6.电流范围:0-200mA,线性输出;

7.Gate控制电压:0-10V(线性可调);

8.加热状态到测试状态切换时间:1s;

9.具有循环脉冲输出功能:输出脉冲循环次数可设置一次到无数次;

10.温度测试方法:ETM测试法(器件导通电压作为温度敏感变量),兼容三大测试标准:JEDEC(JESD51-1,JESD51-14,JESD51-50,JESD51-51,JESD51-52),MIL-STD-750E,IEC60747;

11.瞬态热测试方法:提供两种测试方法:静态测试法(持续加热,热平衡后,冷却中连续测试);动态测试法(脉冲加热,单点测试);

12.电压信号采样速率:1us/次;

13.温度采样精度:0.0006℃(电压分辨率12uV模式下);

14.瞬态热测试完成后,输出的热阻热容网络模型,可以被热仿真软件使用,进行仿真分析;

15.通过分析软件可得到内部机构函数,结构函数反映了从发热源(原点)到环境(最后直线向上部分)的热流路径上的所有热容与热阻分布。根据结构函数上斜率(热容与热阻的比值)变化,可以区分出不同材料,用直观的方式,帮助分析散热路径上不同材料的热阻与热容;

16.光、热、电联合测试,可配合积分球和光学测试主机进行光、热、电联合测试;

17.热电偶测量准确度:+/-0.5℃;

18.热温测量范围:﹣50℃~200℃;

19.热阻可测量范围:0℃/W~1000℃/W;

20.温控装置温控范围:5℃~90℃,温度稳定性﹢/﹣0.2℃。

四、T3Ster 的应用范围及功能

1.应用范围:

①各种三极管二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率 IGBTMOSFET、LED 等器件;

②各种复杂的 IC以及 MCM、SIP、SoC 等新型结构 ;

③各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等 。

2.功能:

①半导体器件结温测量;

②半导体器件稳态热阻及瞬态热阻抗测量;

③半导体器件热阻和热容测量,给出器件的热阻热容结构(RC 网络结构);

④半导体器件封装内部结构分析,包括器件封装内部每层结构(芯片+焊接层+热沉等)的热阻和热容参数;

⑤半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断,帮助用户准确定位封装内部的缺陷结构;

⑥材料热特性测量(导热系数和比热容);

⑦接触热阻测量,包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。

五、 测试方法——基于电学法的热瞬态测试技术

1.测试方法——电学法

寻找器件内部具有温度敏感特性的电学参数,通过测量该温度敏感参数(TSP)的变化 来得到结温的变化。

TSP 的选择:一般选取器件内 PN 结的正向结电压。

2.测试技术:热瞬态测试

① 当器件的功率发生变化时,器件的结温会从一个热稳定状态变到另一个稳定状态,T3Ster 将会记录结温瞬态变化过程(包括升温过程与降温过程)。

② 一次测试,既可以得到稳态的结温热阻数据,也可以得到结温随着时间的瞬态变化曲线。

③ 瞬态温度响应曲线包含了热流传导路径中每层结构的详细热学信息(热阻和热容参数)。

六、应用实例

1.如何利用结构函数识别器件的结构:

LED的一般散热路径为:芯片-固晶层-支架或基板-焊锡膏-辅助测试基板-导热连接材料

如下面结构函数显示,结构函数上越靠近 y 轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构,而越远离 y 轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。

积分结构函数是热容—热阻函数,曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构,陡峭的区域代表器件内部热阻小、热容大的结构。

微分结构函数中,波峰与波谷的拐点就是两种结构的分界处,便于识别器件内部的各层结构。

在结构函数的末端,其值趋向于一条垂直的渐近线,此时代表热流传导到了空气层,由于空气的体积无穷大,因此热容也就无穷大。从原点到这条渐近线之间的 x 值就是结区到空气环境的热阻,也就是稳态情况下的热阻。

2.利用结构函数识别器件封装内部的“缺陷”:

对比上面两个器件的剖面结构,固晶层可见明显差异。左边为正常产品,右边为固晶层有缺陷的产品。

根据显示,固晶层缺陷会造成的热阻增大,影响散热性能,具体的影响程度与缺陷的大小有关。

3.测量结壳热阻:

两次测试的分别:第一次测量,器件直接接触到基板热沉上;第二次测量,器件和基板热沉中间夹着导热双面胶。由于两次散热路径的改变仅仅发生在器件封装壳之外,因此结构函数上两次测量的分界处就代表了器件的壳。如下图所示的曲线变化,可得出器件的精确热阻。

4.结构无损检测:

同批次产品,取固晶层完好、边缘缺陷以及中间缺陷的样品测试。固晶完好的固晶层应为矩形,而边缘和中间存在缺陷,则固晶层不规则,两种缺陷的图片。

测试出三条热阻曲线。由于三次测试的芯片是一样的,因此在结构函数中表征芯片部分的曲线是完全重合在一起的。随着固晶层损伤程度的增加,该结构层的热阻逐渐变大。这是由于空洞阻塞了有效的散热通道造成的。

根据测试结果,不仅可以定性地找出存在缺陷的结构,而且还能定量得到缺陷引起的热阻的变化量。

5.老化试验表征手段:

为一个高温高湿老化案例中同一样品不同时期的热阻曲线。

老化前后,从芯片后波峰的移动可以清晰地看出由于老化造成的分层,导致了芯片粘结层的热阻增大。对样品不同阶段的热阻测试,可得到每层结构的热阻变化,根据变化分析老化机理,从而改善产品散热性能。

责任编辑:tzh

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