晶体管的基射输入电路，常需要用电阻限流，但是为什么一上来就是基射级输入电压减去发射结导通压降0.7（以NPN硅晶体管为例）再除以基极电阻即为基级输入电流？而不是先判断晶体管发射结是否导通或者处于何种导通程度的状态？
2024-03-07 22:56:47
Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管是单路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管是单级、不匹配晶体管
2024-02-26 19:46:40
单向导电性的，是二极管，不是PN结！
真正令 PN结 导不了电的，关非 过不去，而是 离不开及进不来，
交叉对流无障碍，背道而驰不允许，所以，当PN结成了集电结，单向导电性就被打破了。
2024-02-25 08:57:14
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
，提高 整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二级管。 DK5V100R10ST1采用TO-220F封装。 主要特点&n
2024-01-27 16:56:04
下的电流是由电荷载流子产生的。这种类型的电荷载流子产生过程会进一步增加正向和反向偏置条件下的电流。PN结二极管中的电流取决于整个PN结二极管结构中的电荷载流子密度、电场以及P型和N型的准费米级能量
2024-01-25 18:01:01
钢筋混凝土结构，详见图1。
三、负荷分级
综合管廊做为城市重要的基础设施之一，中断供电将存在重大的安全隐患，因此确定为二级负荷供电。采用两路电源供电，以保证供电的可靠性，每回路均能负担100
2024-01-19 17:32:17
电子发烧友网站提供《关于修复烘缸轴磨损的探讨.docx》资料免费下载
2024-01-05 09:18:00
0 按照参考电路设计，想把24V电压升压到240V，测了输出只有24V。我把二级升压电路去掉，上电瞬间LT8331升压器SW1和SW2引脚与GND短路，是怎么回事？电路元器件参数按照参考电路设计来设计的
2024-01-04 07:52:52
ad8346汽车级最高工作环境温度是125度，最高结温是多少摄氏度？
2023-12-05 07:44:20
我使用AD549进行nA级电流转化，使用两级放大，需要对AD549进行调零处理，使用的是AD549数据手册上提供的外部调零方法，但是在实际调试时，第一级的调零输出大概能达到几微安级，但是第二级的输出跳到微安级很难，基本只能调到几百微安，在几百微安出变化，请问原因及可行的设计方案
2023-11-27 08:28:46
请问大神，对于三运放仪用放大器芯片AD8421，把它用于第二级放大的时候，前一级的两个放大器输出的共模电压达到AD8421的工作电源的时候，AD8421是不是很容易就饱和了？
2023-11-27 08:00:06
将两个AD8367级联使用时，第一级的输出与第二级的输入之间是否还需要加匹配网络呢？根据手册上的描述，输出RL时200欧姆，而AD8367的输入也是200欧，那么是否可以不用匹配而直接将第一级的输出
2023-11-27 07:50:05
TOLL Schottky SKY 肖特基二极管，大电流应用时的应用注意事项!
48V PD3.1选用肖特基做240W,480W PD电源，48V 10A的注意事项Motive TMBS TOLL封装肖特基绍 V1.2_页面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
ADI的工程师，您好，我想问一下我使用的ADA4895-2芯片在放大时第二级会有一个1V左右的直流偏置，请问一下是怎么回事。是反馈电阻选的不对还是放大倍数一定要10倍以上
2023-11-21 08:31:03
手上有AD8602这个运放，想用作比较器，不知道是否存在隐患，另外它的内部输入级带有钳位二极管吗？
2023-11-21 08:27:53
请问OP37S和AD574S这两个宇航级型号的结温（Junction Temperature）最大范围是多少？
2023-11-21 08:17:33
LLC电源 输出次级侧使用肖特基二极管产品整流
LLC次级侧使用肖特基二极管产品，灌胶电源有优秀的散热效果
2023-11-20 21:36:35
使用ADA4817制作二级宽带放大器。输入信号为正弦波，幅度有效值为10mV-1V，频率为1Hz-100MHz。第一级放大倍数为3.6倍，第二级放大倍数为3.6倍，级间做一倍衰减，因此总共放大倍数为
2023-11-17 14:09:15
二极管滨松的S2386-5K，运放AD8615（后来又试了AD8641），负电源接了-0.3V。
使用光电二极管跨阻放大，光电二极管没有偏置，使用光伏模式，但后级输出是正弦波信号，参考了ADI官方的一些电路，不知道怎么把正弦信号转成有效稳定的直流信号
2023-11-14 07:48:26
[size=150%]如上图所示，我使用该电路处理光电二极管信号，第一级为TIA，第二级为单位增益二阶低通滤波器，当正常工作时，Vout1和Vout2会有一个几十毫伏的电压差，并且随输入的信号而
2023-11-14 07:12:09
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2023-11-01 11:15:090 BAT54CQ 产品简介DIODES 的BAT54CQ这款采用 SOT23 封装的 200mA 表面贴装肖特基势垒二极管，提供低导通电压和快速开关能力，设计有用于瞬态和 ESD 保护
2023-10-19 12:43:45
BAT54AQ 产品简介DIODES 的BAT54AQ这款采用 SOT23 封装的 200mA 表面贴装肖特基势垒二极管，提供低导通电压和快速开关能力，设计有用于瞬态和 ESD 保护
2023-10-19 12:39:54
BAS40WQ 产品简介DIODES 的BAS40WQ这是一款采用 SOT323 封装的 200mA 表面贴装肖特基势垒二极管。它提供低正向压降和快速开关功能，设计有用于瞬态
2023-10-19 11:52:02
BAS40-06Q-13-F 产品简介DIODES 的BAS40-06Q-13-F这款200mA表面贴装肖特基势垒二极管（标准）封装提供低正向电压降和快速切换能力，采用PN结保护环
2023-10-19 11:44:26
BAS40-05Q-13-F 产品简介DIODES 的BAS40-05Q-13-F这款200mA表面贴装肖特基势垒二极管（标准）封装提供低正向电压降和快速切换能力，采用PN结保护环
2023-10-19 11:40:43
BAS40-04Q-13-F产品简介DIODES 的BAS40-04Q-13-F这款200mA表面贴装肖特基势垒二极管（标准）封装提供低正向电压降和快速切换能力，采用PN结保护环设计，用于瞬态
2023-10-19 11:34:56
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2023-10-11 10:45:48
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
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2023-09-14 10:48:51
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2023-09-11 11:25:53
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2023-09-09 14:36:56
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2023-09-09 14:34:23
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2023-09-09 14:23:54
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2023-09-09 14:12:37
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2023-09-09 14:01:21
SS14肖特基二极管原厂直销，欢迎咨询洽谈订购！产品类型：肖特基势垒二极管封装形式：SMA(DO-214AC)反向电压（最大值）：40V正向电流（最大值）：1A压降（VF）：0.55V工作温度：-55°C~+150°C
2023-09-09 13:58:14
二极管的电流方向是从正极流向负极。
就是从二极管PN结的P区流向N区，在电路图中，二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
，以及优化的GaN VGS驱动电压实现较高稳健性和效率。这种集成了自举二极管的单芯片允许设计师实现GaN的性能优势，同时简化设计和减少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
的硅 MOSFET，要么需要特殊的附加层，这使得它们难以缩小。 无法生产与当前硅晶体管相同规模的 GaN 晶体管，也意味着它们不适用于 CPU 和其他微控制器。
GaN 晶体管的第二个问题是，制造
2023-08-21 17:06:18
的上升时间、下降时间、死区时间和导通延迟时间更短，栅极过充震荡更小，此外也没有体二极管的反向恢复效应。综上，GaN器件的开关波形将更接近理论开关波形，更有助于Class D系统的性能提升。
图6
2023-06-25 15:59:21
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
PDS5100H 产品简介DIODES 的 PDS5100H 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作：极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-21 10:00:27
PD3S140Q 产品简介DIODES 的 PD3S140Q 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作：极性保护二极管再循环二极管开关二极管
2023-06-20 16:29:06
贴片二极管S27是哪一种二级管有哪位大神知道请回复
2023-06-20 09:39:02
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:35
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、高速数字电路、射频电路等领域。相比于普通的 pn 结二极管，肖特基二极管的 pn 结由金属与半导体材料直接接触形成，而不是由掺杂半导体 。其工作原理为，当肖特基二极管正向偏置时，电子从金属侧进入半导体中
2023-05-23 14:47:57
是否有关于 NXP GaN 放大器长期记忆的任何详细信息。数据表说“专为低复杂性线性系统设计”。长期记忆是否不再是当前几代 GaN 器件的关注点？这是整个产品堆栈吗？
2023-04-17 06:12:19
放大状态下的三极管是两个PN结都大于0.7V吗？求解
2023-04-12 11:30:57
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
我们以6.6kW车载充电机为例，介绍SiC肖特基二级管在充电机AC-DC和DC-DC电路中的应用。
2023-04-06 10:54:11804 
（hyperfix），或由这几种器件组合而成的防雷模块（SPD）等。当然，低速信号端口也可选择箝位型器件进行第一级防护，但前提是箝位型器件的结电容不能影响通信线路的正常通信。 第二级保护 第二级防护与第一级
2023-03-30 14:42:53
电路如图所示，1点和8点引出去做了一个24V的钳位，电路输出接在第一级输出和第二级输入之间这部分具体作用是什么，什么原理？
2023-03-28 14:21:36
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