ASML新财报:销售额与毛利率双双超越预期

荷兰时间2019年7月17日，ASML Holding N.V.（ASML）公布了2019年第二季度财报

第二季度净销售额（net sales）为26亿欧元，净收入（net income）为4.76亿欧元，毛利率（gross margin）为43.0％。

ASML预计2019年第三季度的净销售额（net sales）约为30亿欧元，毛利率（gross margin）在43％至44％之间。

值得注意的市ASML二季度收到10台EUV系统订单，其中部分设备将被用于生产DRAM芯片。

CEO声明

ASML总裁兼执行长Peter Wennink表示 “ASML第二季度销售额和毛利率高于预期，这得益于EUV系统制造效率提升和现场升级业务营收的增长，与第一季度相比我们已大幅排除之前的负面影响。

“在2019年下半年，我们看到内存芯片客户需求趋弱，而逻辑芯片（Logic）客户需求走强。我们预计逻辑芯片（Logic）客户强劲的需求将弥补在内存芯片市场方面的需求减缓。逻辑芯片（Logic）市场的需求主要来自于客户加速7奈米及以下先进制程节点的投资。”

“我们在第二季度收到了10台EUV系统订单，其中部分设备将被用于生产DRAM芯片。我们对于2019年的整体销售目标维持不变，今年对于ASML来说仍是成长的一年。”

2019年第二季度产品和业务亮点

ASML持续强化EUV光刻系统NXE：3400C的量产效能，不仅在ASML厂内圆满展示每小时曝光超过170片晶圆的实力，在客户实际生产内存芯片的制造环境下，也成功达到每天曝光超过2,000片晶圆的成果。

ASML已同意将EUV光罩护膜 (pellicle) 组装技术授权给日企三井化学公司 (Mitsui Chemicals)。未来，三井化学将能够为我们的客户提供大批量的光罩护膜组装及销售服务。同时，ASML将继续与其合作伙伴共同开发下一代光罩护膜，持续提升EUV光罩护膜效能。

展望

展望2019年第三季度，ASML预估销售净额可达30亿欧元，毛利率约在43~44%。研发费用约4.95亿欧元，管理支出费用 (SG&A) 约1.25亿欧元。ASML预估2019年的年化有效税率约为9%。

ASML的客户包括台积电、三星、英特尔、美光等，从预估来看，下半年包括DRAM、NAND Flash等记忆体市场仍走弱，台积电代工的逻辑芯片需求走强。

ASML今日发布2019年第2季财报，根据艾斯摩尔公布的资料显示，2019 年第2 季的营收为26 亿欧元，较第1 季的22.291 亿欧元，上涨13.63%。净收入4.76 亿欧元，也较第1 季的3.55 亿欧元，上涨34.08%。毛利率 43%，较第1 季的41.6%，成长1.4 个百分点。因上一季财报会议，艾司摩尔预估2019 年第2 季的营收将介于25.0 亿至26.0 亿欧元，毛利率则是预估在41% 到42% 之间，因此就公布的业绩来看，整体表现优于市场预期。

ASML 总裁暨执行长Peter Wennink 表示，受惠于EUV 系统制造效率提升和现场升级业务营收的挹注，艾司摩尔2019 年第2 季的营收和毛利率都优于先前财测。而对于2019 下半年，目前看到记忆体客户需求趋弱，而逻辑客户的需求走强。因此，预期逻辑芯片客户的强劲需求，预计将可补偿在记忆体市场方面的需求减缓。

Peter Wennink 强调，逻辑芯片市场的需求主要来自于客户加速7 纳米及以下先进制程节点的投资。而艾司摩尔在2019 年第2 季总计接获10 台EUV 极紫外光系统的订单。当中有部分将被用于生产DRAM 芯片。至于，面对当前市场诸多不确定因素下，艾司摩尔2019 年的整体营收目标将维持不变，2019 年对艾司摩尔来说仍是成长的一年。

ASML在第2季接获10台EUV极紫外光系统的订单，当中有部分将被用于生产DRAM芯片。公司对2019年的整体营收目标维持不变，今年对于ASML来说仍是成长的1年。

此外，ASML 已同意将EUV 光罩护膜(pellicle) 组装技术，授权给日商三井化学，未来三井化学将能为ASML 客户，提供大量的组装与光罩护膜销售。同时，ASML 将继续与其合作伙伴，共同开发下一代光罩护膜，持续改善EUV 光罩护膜效能。

ASML正在研发下一代EUV光刻机：性能提升70%

EUV光刻机未来还能怎么发展？2016年ASML公司宣布斥资20亿美元收购德国蔡司公司25%的股份，并投资数亿美元合作研发新一代透镜，而ASML这么大手笔投资光学镜头公司就是为了研发新一代EUV光刻机。

日前韩媒报道称，ASML公司正积极投资研发下一代EUV光刻机，与现有的光刻机相比，二代EUV光刻机最大的变化就是High NA（高数值孔径）透镜，通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升70%，达到业界对几何式芯片微缩的要求。

在这个问题上，ASML去年10月份就宣布与IMEC比利时微电子中心合作研发新一代EUV光刻机，目标是将NA从0.33提升到0.5以上，而从光刻机的分辨率公式——光刻机分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA数字越大，光刻机分辨率越高，所以提高NA数值孔径是下一代EUV光刻机的关键，毕竟现在EUV极紫外光已经提升过一次了。

之前ASML公布的新一代EUV光刻机的量产时间是2024年，不过最新报道称下一代EUV光刻机是2025年量产，这个时间上台积电、三星都已经量产3nm工艺了，甚至开始进军2nm、1nm节点了。