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高通将重启对恩智浦的收购?高通官方回应:交易已经终结,将专注于5G

芯智讯 2018-12-05 16:32 次阅读

北京时间7月26日上午11点59分,这是此前高通以440亿美元收购恩智浦交易的最后期限,然而高通并未收到中国国家市场监督管理总局(SAMR)对于该交易案的批复,这也标志着这场历时21个月的全球第一大半导体收购案最终以失败告终。随后,高通也正式终止了对恩智浦的收购。不过,现在事情似乎有了新的转机。

高通将重启对恩智浦的收购?

据新华社昨日报道,中美双方在阿根廷布宜诺斯艾利斯就中美稳定双方贸易关系达成重要共识。双方决定停止升级关税等贸易限制措施,立即着手解决彼此关切的问题。而随后美方发布的声明显示,在会谈中,“习主席表示,如果再次提交给他,他愿意批准以前未经批准的高通与恩智浦交易”。

这一消息也引发了业内的极大关注,不少业内人士认为,后续高通可能将重启对恩智浦的收购。不过,显然这种可能性并不大。

首先,此前收购交易的失败,使得的高通需要向恩智浦支付20亿美元分手费。而这笔分手费目前应该是已经支付了。这对于高通来说是个不小的损失。

其次,高通CEO Steve Mollenkopf此前在宣布终止收购恩智浦交易时就曾表示,“根据此前的计划,若协议终止,我们将开启最高可达300亿美元的股票回购,为股东创造价值。”而随后,高通也开始执行了这一计划。这也意味着本来准备用来收购恩智浦的资金,现在已经是被用于股票回购和其他方面的投入。

可以说,现在高通已经没有足够的资金来重启对恩智浦的收购。再加上之前历时21个月的收购交易被否,而且还白白损失了20亿美金,这也已经是够让高通“累觉不爱”了。

高通官方回应:交易已经终结,将专注于5G

针对“高通将重启对恩智浦收购”的传闻,今天下午,高通官方做出了回应。

路透社报道称,高通发布今日声明表示,高通恩智浦收购案的截止日期已经超过,交易已经终结,接下来将完全聚焦于公司的5G无线的路线图。

高通国内发言人在接受媒体采访时也表示:“得知特朗普总统与习近平主席在会谈中提到Qualcomm此前对恩智浦的收购提议,对此我们表示感谢。该收购的截止日期已过,预期的交易已经终止。Qualcomm认为此事已经结束,我们正全力专注于继续实施公司的5G路线图。”

值得一提的是,目前高通与苹果之间的专利诉讼仍在继续,而且目前也没有和解的迹象。这也意味着高通或将丢失苹果的5G订单。

苹果拒绝和解,高通或将丢失苹果5G基带订单

近日,美国联邦法院已经确定,苹果与高通的专利诉讼案将会在2019年4月15日进行开庭审理,另外据《圣地亚哥联合论坛报》报道称,苹果的律师已经驳回了与高通达成和解的可能性。

上个月29日,高通CEO史蒂夫·莫伦科夫(SteveMollenkopf)接受CNBC采访时曾表示,虽然近 2 年内高通与苹果之间的法律纠纷不断,但双方仍然在保持沟通,最快会在今年年底或明年初找到解决方案。

同时莫伦科夫还称,高通「愿意和苹果合作开发 5G技术」。此番表态被视为是高通与苹果即将和解的信号。

但苹果方面似乎更倾向于上法庭。有知情人士向路透社透露,苹果和高通之间并没有展开有意义的讨论,双方仍然会陷入到法律战之中。

现在,苹果公司的首席律师威廉·艾萨克森(William Isaacson)也向美国联邦法院表示,近期有关和解的报道可能被误读了,事实上双方在近几个月内并不存在沟通,也不存在和解的可能性。

苹果和高通之间的对抗早在 2017 年初就开始了,当时苹果率先将高通告上了法庭,诉讼点主要是芯片专利费和不平等排他协议等方面的问题,比如说高通会按照手机的整机售价来收取专利费策略,苹果认为这是不合理的商业模式。

但高通则认为苹果侵犯了它的专利技术,同时还向美国国际贸易委员会(ITC)要求禁止销售那些使用了英特尔基带的新iPhone。

目前,双方已经展开了超过 50 场的诉讼,同时涉及到数十亿美元的赔偿。

与高通闹翻后,苹果在最新的iPhone XS / XS Max系列上放弃高通的基带芯片,转为全部采用英特尔的基带芯片。而最新的消息显示,苹果的首款 5G 版 iPhone将会在2020年上市。如果高通无法尽快与苹果达成和解,那么将丢失苹果的5G基带订单。

而随着5G的积极商用,高通当下的主要精力也确实是应该放在其“5G路线图”上。一方面需要想办法与苹果达成有成效的和解,使得苹果继续采用高通的基带芯片。此外,高通也需要进一步加强与其他手机厂商的在5G上的合作,争取更多的订单来对冲与苹果彻底分手所带来的损失。

原文标题:高通将重启对恩智浦的收购?官方正式回应

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BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
发表于 04-18 19:13 50次 阅读
BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器