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联电宣布不再投资12nm以下工艺,专注改善投资回报率

jXID_bandaotigu 来源:未知 作者:胡薇 2018-08-17 14:21 次阅读

同为***的晶圆代工厂,台积电TSMC去年营收320多亿,占了全球56%的份额,而台联电UMC大概只有50亿美元左右。

其实二者相比台联电比台积电更有资历,双方在代工工艺上一度不相上下,但是台积电在28nm节点上率先量产,产能及技术成熟度遥遥领先于台联电,之后在20nm、16nm、10nm上如鱼得水。

而台联电直到去年才算量产了14nm工艺,双方的差距越来越大。这致使联电不得不做出一个艰难的决定——停止12nm以下先进工艺的研发,在晶圆代工市场上不再拼技术,而是更看重投资回报率,赚钱第一。

不再投资12nm以下工艺,专注改善投资回报率

去年7月联电也启用了双CEO制度,这项决定就是联席CEO王石、简山杰调研一年后作出的,联电将彻底改变以往的增长策略,不再盲目追赶先进技术。对大多数公司来说,一旦在技术领域落后,普遍的想法是加大投入,扩大规模,研发更先进的工艺,但在晶圆代工市场上,这条路并不容易,一个重要问题就是先进工艺研发投资越来越大,成本也越来越高,但是未来能够用得起、用得上先进工艺的客户群在减少,台联电在这方面并没有把握从台积电或者其他代工厂中抢到客户。

一旦技术落后,联电面临的情况就是他们巨资研发出了新技术,别家的工艺已经成熟了,开始降价了,导致联电的新工艺缺少竞争力,然后继续亏损、落后,直到下一代工艺。

联电新任的两大CEO最终做出了这样的决定,不再投资12nm以下的先进工艺,不再追求成为市场老大,而是专注改善公司的投资回报率,公司的重点是现在已经成熟的一些工艺,联电表示在12nm及以上的工艺代工市场上,联电的占有率只有9.1%,营收规模约为50亿美元,一旦市场占有率增长到15%,那么还有60%的市场空间增长,营收将达到80亿美元以上。

根据联电所述,他们未来还会投资研发14nm及改良版的12nm工艺,不过更先进的7nm及未来的5nm等工艺不会再大规模投资了。

7月营收创单月历史新高

日前联电发公告公布了7月合并营收,月增7.4%、年增12.2%,达143.50元,创单月营收历史新高;累计今年前7个月合并营收达906.99亿元,较去年同期成长3.4%。

联电近期开始扩大成熟制程市场布局,日前宣布与美商朗格(Allegro MicroSystems,AMI)签订晶圆专工的长期合作协议,确认联电成为Allegro最主要的晶圆专工制造商,并携手抢进车用电子应用市场。

另外,联电与下一代ST-MRAM(自旋转移力矩磁阻随机存取记忆体)业者美商Avalanche也宣布合作,共同开发和生产取代嵌入式记忆体的28奈米CMOS制程的磁阻式随机存取记忆体(MRAM),联电将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司,双方也正考虑将合作范畴扩展至28奈米以下的制程技术。

中芯国际将继续推进先进工艺研发

其实国内的中芯国际也有类似的问题,在Q2季度中中芯国际的28nm产能带来的营收只有8.6%,占比很低,大量营收依然来自成熟的40nm、55nm等“落后”工艺,中芯国际联席CEO赵海军表示28nm占比低是因为产能过剩,缺少客户,而不是很多人想象中的28nm产能不够。

当然,与联电不同的是,中芯国际还会继续推进先进工艺研发,因为中芯国际作为国内最大的晶圆代工厂,背后有广阔的市场需求及政策支持。

国际电子商情早前报道过中芯国际向荷兰订购了一台最新型的使用EUV(极紫外线)技术的芯片制造机器光刻机,这台机器价值1.2亿欧元,与其去年净利润1.264亿美元大致相当,预计这一设备预计将于2019年年初交付,将用于7nm工艺研发。而14nm工艺已经进入了客户导入阶段,明年初量产。除了28纳米PolySiON和HKC,28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量,良率达到业界水平。

另外世界先进7月合并营收24.91亿元,约与6月持平,较去年同期成长28.7%,为单月营收历史次高;累计今年前7个月合并营收达159.65亿元,较去年同期成长13.5%。由于国际IDM厂扩大释出电源管理IC及功率半导体的8吋晶圆代工订单,加上涨价效应发酵,世界先进预期第三季合并营收将介于76~80亿元,季增8.5 ~14.2%,毛利率可再提升至36~38%,订单能见度已达季底。

世界先进已决定不会自建12吋晶圆厂,董事长方略表示,跨足12吋晶圆代工对现阶段的世界先进来说不是最好的选项。

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原文标题:联电宣布放弃投资12nm以下先进工艺,专注投资回报率

文章出处:【微信号:bandaotiguancha,微信公众号:半导体观察IC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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