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三星希望在今年成为仅次于台积电的全球第二大芯片铸造商

39度创意研究所 2018-06-06 11:46 次阅读

三星电子计划大力发展其芯片铸造业务,在这一背景下,该公司22日在美国召开了其年度铸造论坛(Foundry Forum)。三星希望,在今年成为仅次于台积电的全球第二大芯片铸造商。 今年的三星铸造论坛在加州圣克拉拉举行。许多没有晶圆厂的芯片公司参加了活动,包括高通。在第三届年度活动上,三星展示了7纳米芯片制造工艺,和用于物联网和指纹识别领域的半导体生产技术等等。三星还将分别于6月14日、7月5日、9月4日和10月18日在上海、首尔、东京和慕尼黑举办相同的活动。

三星希望在今年成为仅次于台积电的全球第二大芯片铸造商

在去年5月,三星电子将其System LSI部门的铸造业务团队升级成了单独的业务部门。三星执行副总裁Jung Eun-seung目前正领导该部门,对他的任命显示出,三星十分渴望增强其非内存业务。

与内存业务相比,三星的铸造业务还有很长的路要走。据市场研究公司IHS Markit,按营收计算,三星截至2017年年底在全球芯片铸造市场的份额为6.72%,而台积电的市场份额高达50.41%。

不过,三星正计划在今年将其市场份额增至10%以上,营收至少达100亿美元,从而超过GlobalFoundries和联华电子。为此,三星正计划在今年下半年开始试产基于EUV的7纳米芯片。

为了吸引更多的铸造客户,三星于今年年初推出了“先进铸造生态系统”计划,为自动化系统提供设计工具。

此外,它还开始为关键客户提供“多项目晶圆”(Multi Project Wafer)服务,在单个晶片上生产多种芯片。

三星电子决定在7纳米或更先进制程中采用EUV设备,以提高它在精密加工市场的竞争力。一台EUV设备定价高达2000亿韩元,因此维护和运行这些设备需要很高的成本和技术水平。EUV可以绘制更复杂的电路,因为它的波长很短,但同时它也需要极高的精度。

尽管存在诸多风险,三星电子还是购买了超过10套EUV设备,并成功地以稳定方式使用。高通是新技术的首家客户。据报道,三星电子将利用7纳米工艺为高通制造骁龙855处理器,时间预计在今年底或明年初。

三星电子还在向其他客户推广其7纳米工艺。相比10纳米工艺,7纳米工艺可以让产品面积缩小40%,并将芯片性能提高10%,在性能相同时将能耗减少35%。这意味着,三星电子将能够为移动设备、网络设备、服务器和加密货币采矿业制造出更先进的半导体芯片。

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A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 40次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 38次 阅读
CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
发表于 04-18 19:13 48次 阅读
CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
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MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器