简单栅极脉冲驱动电路,最短时间开启或关闭RF源?

Excelpoint世健 2018-03-06 08:36 次阅读

能否在 200 ns 内开启或关闭RF源?

在脉冲雷达应用中,从发射到接收操作的过渡期间需要快速开启/关闭高功率放大器 (HPA)。典型的转换时间目标可能小于1 μs。传统上,这是通过漏极控制来实现的。漏极控制需要在28 V至50 V的电压下切换大电流。已知开关功率技术可以胜任这一任务,但会涉及额外的物理尺寸和电路问题。在现代相控阵天线开发中,虽然要求尽可能低的SWaP(尺寸重量和功耗),但希望消除与HPA漏极开关相关的复杂问题。

本文将提出一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路,为快速开关HPA提供了另一种方法,同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于200 ns,相对于 1 μs 的目标还有一些裕量。其他特性包括:解决器件间差异的偏置编程能力,保护HPA免受栅极电压增加影响的栅极箝位,以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。

典型漏极脉冲配置

通过漏极控制开关HPA的典型配置如图1所示。一个串联FET开启输入HPA的高电压。控制电路需要将逻辑电平脉冲转换为更高电压以使串联FET导通。

图1. 传统HPA脉冲漏极配置

此配置的难点包括:

✦ 大电流的切换要求从大容量电容到HPA漏极引脚的路径是一条低电感路径。

✦ 关闭时,漏极电容保有电荷,需要额外的放电路径。这是通过额外的FET Q2来实现的,对控制电路的约束随之增加:Q1和Q2绝不能同时使能。

✦ 很多情况下,串联FET是N沟道器件。这要求控制电路产生一个高于HPA漏极电压的电压才能开启。

控制电路的设计方法已是众所周知且行之有效。然而,相控阵系统不断期望集成封装并降低SWaP,因此希望消除上述难点。实际上,人们的愿望是完全消除漏极控制电路。

推荐栅极脉冲电路

栅极驱动电路的目标是将逻辑电平信号转换成合适的GaN HPA栅极控制信号。需要一个负电压来设置适当的偏置电流,以及一个更大的负电压来关闭器件。因此,电路应接受正逻辑电平输入并转换为两个负电压之间的脉冲。电路还需要克服栅极电容影响,提供急速上升时间,过冲应极小或没有。

对栅极偏置设置的担忧是,偏置电压的小幅增加可能导致HPA电流的显著增加。这就增加了一个目标,即栅极控制电路应非常稳定,并有一个箝位器来防止受损。另一个问题是,设置所需漏极电流时,不同器件的最佳偏置电压有差异。这种差异使得人们更希望有系统内可编程栅极偏置特性。

图2所示电路达成了所述的全部目标。运算放大器U1使用反相单负电源配置。利用一个精密DAC设置运算放大器基准电压,以实现V+引脚上的增益。当逻辑输入为高电平时,运算放大器箝位到负供电轨。当输入为低电平时,运算放大器输出接近一个小的负值,该值由电阻值和DAC设置决定。反相配置是故意选择的,目的是当逻辑输入为低电平或接地时开启HPA,因为逻辑低电平的电压差异小于逻辑高电平。采用轨到轨运算放大器,它具有较大压摆率和足够的输出电流驱动能力,适合该应用。

图2. 推荐HPA栅极驱动电路

元件值选择如下:

◆ R1和R2设置运放增益。

◆ DAC设置连同R3和R4决定运算放大器V+引脚的基准电压。C1和R3针对低通滤波器噪声而选择。

◆ R5和R6用于实现重要的箝位功能。这是因为运放的VCC引脚以地为基准,所以这是运放输出的最大值。R5和R6为–5 V电源提供一个电阻分压器。

◆ R5的不利影响是由于栅极电容,它会减慢脉冲响应。这要通过增加C3来补偿,以实现陡峭的脉冲。

◆ C2的值较小,用以限制运放输出脉冲上升沿的过冲。

实测数据

用于验证电路的测试设置如图3所示。对精密DAC、运算放大器和HPA使用评估板。一个脉冲发生器用于模拟1.8 V逻辑信号。信号发生器连续工作,利用一个输入带宽高于RF频率的RF采样示波器测量HPA对RF信号的开启/关闭。

图3. 测试设置

测试所用的元器件值参见表1。

表1. 所用元器件值

实测开启时间如图4所示。时间标度为每格500 ns,RF信号的上升时间小于200 ns。对于测量从栅极脉冲开始到RF脉冲上升沿结束的时间的系统,可以看到开启时间约为300 ns,这说明系统分配1 μs用于发射到接收转换会有相当可观的裕量。

图4. 实测HPA开启时间

实测关闭时间如图5所示。时间标度同样是每格500 ns,下降时间明显快于上升时间,同样远小于200 ns,说明系统分配1 μs用于发射到接收转换会有相当可观的裕量。

图5. 实测HPA关闭时间

布局考虑

对一个代表性布局做了尺寸研究,如图6所示。栅极脉冲电路的运算放大器部分放置在通向HPA输入的RF路径附近。精密DAC未显示出来,假定其放置在控制部分中,为多个发射通道提供输入。布局研究表明,可将该电路添加到实际的低成本PWB实现方案中,发射RF电路所需的额外空间极小。

图6. 物理尺寸分配

结语

本文提出了一种独特的栅极脉冲电路,并进行了HPA快速开/关评估。其特性包括:

✔ 转换时间小于200 ns。

✔ 兼容任何逻辑输入 

✔ 通过可编程偏置消除器件间差异

✔ 提供箝位保护以设置最大栅极电压

✔ 上升时间/过冲补偿

✔ 尺寸支持高密度相控阵应用

先进电子系统集成度不断提高,要求缩小物理尺寸,因此可以想象,这种电路及其方法的其他变化,将开始在需要快速HPA转换时间的相控阵应用中激增。

原文标题:【世说设计】能否在 200 ns 内开启或关闭RF源?

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LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Ch...

发表于 10-16 11:19 35次 阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

发表于 10-16 11:19 17次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

发表于 10-16 11:19 21次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

发表于 10-16 11:19 40次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

发表于 10-16 11:19 32次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 35次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

发表于 10-16 11:19 19次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

电源管理中的热管理解决方案分析

在讨论热管理和使用诸如“散热”或“排热”等短语时总要牢记在心的一个问题是:热量要散发到哪里? 愤世嫉....

的头像 电子设计 发表于 10-15 08:16 780次 阅读
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苹果抛弃Imagination后,A系列芯片的GPU已经完成自研

苹果将以3亿美元现金收购Dialog Semiconductor(一家总部位于欧洲的芯片制造商)公司....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-12 14:10 1149次 阅读
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描述符是什么?如何在简单程序中传输数据

在第3节视频中,分别介绍8种外设管理单元(PMU)指令 — 也称为描述符,以及了解在简单程序中....

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低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

本期视频主要介绍了:1. Maxim在处理器的经验,2.在可穿戴应用中可能遇到的问题,3.MA....

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 03:07 499次 观看
低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术

Dialog公司对外宣布,已经与苹果达成深入合作。苹果将以6亿美元的代价,买通了Dialog公司的电....

发表于 10-11 16:18 322次 阅读
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在Eclipse工具中如何设置MAX32630/31评估板

Venkatesh演示如何设置MAX32630和MAX32631超低功耗、Arm Cortex-M4....

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如何用MAX32630配置微控制器进行深度睡眠

In this video, Mohamed discusses some of the low-p....

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便携式医疗仪器的电源管理模块设计

仪器配置2200 mAh的镍氢电池,经过测试,电源管理模块使整个系统的功耗降低了60%。系统在数据采....

的头像 电子设计 发表于 10-10 09:02 573次 阅读
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什么是外设管理单元?有何特点

本系列视频总共分为5部分。在第1部分视频中,介绍Maxim独有的外设管理单元(即PMU),及其如何减....

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第一部分:MAX32630微控制器的设置

在本视频短片中,Mohamed介绍利用实时时钟(RTC)电路计时的不同方法。Mohamed演示在智能....

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长虹PT50700等离子彩电的故障原因及检修分析

找到"PS-ON"端将其对地短接后开机,副电源输出的5.3V正常,副电源还输H1一路17V电压,从Q....

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电源管理芯片的未来发展趋势如何

据市调机构iSuppli预计,2016年电源管理IC市场预计将达到387亿美元,消费电子、网络通信、....

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碳化硅在电子产品中的应用(2)

功率电子是基础产业;所有电力设备都将使用某种形式的电源管理器件。因此,功率器件的进步也推动了大量应用....

的头像 电子设计 发表于 09-25 10:36 1690次 阅读
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超省电型应用设备中的电源管理设计

当考虑到需要某种形式无线连接的电池供电型设备时,无论在简单的点对点无线网络配置,或是更复杂的星型或网....

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红外热成像信号处理技术的最新科研进展

自然界中任何物体的温度都高于绝对零度,会不断向周围空间发射红外电磁能量。波长在0.75 〜 1000....

的头像 MEMS 发表于 09-23 18:12 695次 阅读
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信号处理加深度学习才能实现语音交互

本文主要详细介绍关注语音信号的拾取优化,能否进一步提升未来自然语音交互的识别能力。

的头像 LiveVideoStack 发表于 09-23 11:12 1291次 阅读
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ADI正式完成对Linear的并购,在电源管理领域有哪些创新技术和产品?

电源的EMI是最难抑制的,可能会产生电磁辐射,ADI在考虑从工程物理的角度去解决这个问题,在芯片设计....

的头像 电子技术应用ChinaAET 发表于 09-23 09:02 1552次 阅读
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单芯片电源管理和端口控制器解决方案

以太网供电 (PoE) 的主要优势体现在它的简易性上。但在 IEEE 802.3 以太网标准中引入对....

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物联网技术中的电源管理介绍

从人体生物特征识别到机器振动曲线,了解我们的技术如何测量以前无法测量的东西。了解这些解决方案如何为您....

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R&S RTP系列高性能示波器以创新科技为用户提供卓尔不凡的价值

R&S RTP系列高性能示波器完美兼顾高信号保真度和高波形捕获率的测试需要。在标准采集模式下,R&S....

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“跑分作弊”华为回应:其它厂商也是这么干的

对于这样的结果,3DMark表示这可能是因为手机针对公开版3DMark应用使用了隐藏的性能模式来覆盖....

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分享Maxim最新可穿戴健康技术

目前,针对可穿戴及预防保健应用,Maxim为客户提供4大核心技术平台,分别包括完备的生物电势和生物电....

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信号处理的概念分析 数字信号处理三大基本步骤

信号处理的目的是:削弱信号中的多余内容;滤出混杂的噪声和干扰;或者将信号变换成容易处理、传输、分析与....

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功率器件市场现状:欧美日把持,国内仍需努力

纵观整个功率器件市场,整体态势是欧美日厂商三足鼎立。 其中美国功率器件处于世界领先地位,拥有一批具有....

的头像 半导体行业联盟 发表于 09-05 11:54 3611次 阅读
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对五种改善EMD端点效应的方法进行分析

国内外很多研究者对改进EMD端点效应问题进行了研究。目前,常用的EMD 端点效应处理方法有镜像法、极....

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ATX微机开关电源工作原理和原理图及维修讲解免费下载

ATX电源作用是把交流220V的电源转换为计算机内部使用的直流5V,12V,24V的电源。

发表于 08-27 15:27 143次 阅读
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联电8吋厂产能大爆满,即便先前已启动涨价

目前半导体主流晶圆规格为12吋,全球主要晶圆厂扩产,都以12吋厂为主,8吋晶圆厂只能透过去技术瓶颈化....

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中国疯狂建设的晶圆厂的启示

这两年,中国晶圆厂进入了投资扩产热潮。在内外资的共同催生下,大陆建设了36条晶圆产线。基于2016年....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 08-22 15:00 2148次 阅读
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ADI《模拟对话》技术杂志第45卷和第46卷详细资料免费下载

《模拟对话》(Analog Dialogue)是ADI公司的技术杂志,主要讨论关于模拟、数字和混合信....

发表于 08-21 17:32 138次 阅读
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