39种电子元件检验要求与方法

RFsister创客射频空间 2018-02-14 20:55 次阅读

电子元件知识——电阻器

电阻:导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。

电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)①主称 ②材料 ③分类 ④序号※电阻器的分类:①线绕电阻器 ②薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器 ③实心电阻器 ④敏感电阻器:压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

电阻器阻值标示方法:

1、直标法:用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值,其允许误差直接用百分数表示,若电阻上未注偏差,则均为±20%。

2、文字符号法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号:DFGJKM允许偏差分别为:±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%。

3、数码法:在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右,第一、二位为有效值,第三位为指数,即零的个数,单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。

4、色标法:用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%当电阻为四环时,最后一环必为金色或银色,前两位为有效数字,第三位为乘方数,第四位为偏差。当电阻为五环时,最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字,第四位为乘方数,第五位为偏差。

贴片电阻的阻值识别:(在通常的贴片电阻电阻表面都标识数字,或用字母来表示,阻值数法如下。

1.第一、二位数代表的是电阻的实数。

2.第三位开始的数字如是0就代表几十欧(10~99欧之间)列:100就为10欧的电阻、990为99欧的电阻。

3.第三位开始的数字如是1就代表几百欧(100~999欧之间)例:101为100欧、151为150欧、951为950欧。

4.第三位开始的数字如是2就代表几千欧(1000~9999欧之间)例:102为1K、152为1.5K、992为9.9K5.第三位开始的数字如是3就代表几十K(10K~99K之间)例:103为10K、223为22K、993为99K6.第三位开始的数字如是4就代表几百K(100K~999K之间)例:104为100K、204为200K、854为850K7.第三位开始的数字如是5就代表几M(1M~9.9之间)例:105为1M、155为1.5M955为9.5M8.第三位开始的数字如是6就代表十M(100K~999K之间)例:106为10M566为56M9.对于四个数字的标法就是前三位为实数,第四位为倍数.1001为1K、1002为10K、1005为10M。

电子元件知识——电容器

电容:是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。电容的符号是C。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10*6uF=10*12pF1法拉(F)=1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)※电容器的型号命名方法:国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。

电解电容器的极性判别方法:用万用表测量就可以了,先把电解电容放电,然后将表笔接到两端,摆动大的那次就对了,但要注意:指针表的正极对的是电容的负极,数字表相反,而且,两次测量之间,电容必须放电。(2)用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负;电容上面有标志的黑块为负极。在PCB上电容位置上有两个半圆,涂颜色的半圆对应的引脚为负极。※电容器的分类:按照其极性分为二大类:有极性电容器(如电解电容)和无极性电容器。按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。按电解质分类有:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。

电容器容量标示:

1、直标法:用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。

2、文字符号法:用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.3、色标法:用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

常用电容器:铝电解电容器、钽电解电容器、薄膜电容器、瓷介电容器、独石电容器、纸质电容器、微调电容器、陶瓷电容器、玻璃釉电容器、云母和聚苯乙烯介质电容器。

电子元件知识——电感器

电感器:电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。在电子制作中虽然使用得不是很多,但它们在电路中同样重要。电感器和电容器一样,也是一种储能元件,它能把电能转变为磁场能,并在磁场中储存能量。电感器用符号L表示,它的基本单位是亨利(H),常用毫亨(mH)为单位。※电感器的分类:按电感形式分类:固定电感、可变电感。按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。

电感器作用特性:它经常和电容器一起工作,构成LC滤波器、LC振荡器等。另外,人们还利用电感的特性,制造了阻流圈、变压器、继电器等;电感器的特性恰恰与电容的特性相反,它具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性。收音机上就有不少电感线圈,几乎都是用漆包线绕成的空心线圈或在骨架磁芯、铁芯上绕制而成的。有天线线圈(它是用漆包线在磁棒上绕制而成的)、中频变压器(俗称中周)、输入输出变压器等等。

常用电感器:单层线圈、蜂房式线圈、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈、铜芯线圈、色码电感器、阻流圈(扼流圈)、偏转线圈※变压器:是由铁芯和绕在绝缘骨架上的铜线圈线构成的。绝缘铜线绕在塑料骨架上,每个骨架需绕制输入和输出两组线圈。线圈中间用绝缘纸隔离。绕好后将许多铁芯薄片插在塑料骨架的中间。这样就能够使线圈的电感量显著增大。变压器利用电磁感应原理从它的一个绕组向另儿个绕组传输电能量。变压器在电路中具有重要的功能:耦合交流信号而阻隔直流信号,并可以改变输入输出的电压比;利用变压器使电路两端的阻抗得到良好匹配,以获得最大限度的传送信号功率。

继电器:就是电子机械开关,它是用漆包铜线在一个圆铁芯上绕几百圈至几千圈,当线圈中流过电流时,圆铁芯产生了磁场,把圆铁芯上边的带有接触片的铁板吸住,使之断开第一个触点而接通第二个开关触点。当线圈断电时,铁芯失去磁性,由于接触铜片的弹性作用,使铁板离开铁芯,恢复与第一个触点的接通。因此,可以用很小的电流去控制其他电路的开关。整个继电器由塑料或有机玻璃防尘罩保护着,有的还是全密封的,以防触电氧化。电子元件知识——半导体器件

※半导体:是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一样能够完全导电,又不像绝缘体那样不能导电,它介于两者之间,所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅(读“gui”)和锗(读“zhe”)。

半导体分类:半导体主要分为二极管、三极管、可控硅、集成电路。

二极管分类:用于稳压的稳压二极管,用于数字电路的开关二极管,用于调谐的变容二极管,以及光电二极管等,最常看见的是发光二极管、整流二极管……二极管在电路中用“D”表示;发光二极管用“LED”表示;稳压二极管用“Z”表示。

二极管极性判别:

(1)普通二极管:一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极,有的直接标上“-”号。

(2)发光二极管的极性判别可以从管脚和管子内部结构来判别,如果管脚不是被剪过的,目前普遍认为发光二极管的长管脚是正极,短管脚是负极,和立式电解电容的极性辨别是一致的。从管芯内部结构来看,管芯是由大小瓣两部分组成,大瓣上有一圆锥坑以便聚光提高亮度,中间通过一细金属线将两瓣连在一起,与管芯小瓣部分相接的是长脚正极,与管芯大瓣部分相接是短脚负极。

(3)万用表欧姆档来判断,当正向导通时电阻值小,用黑表笔连接的就是二极管的正极。顺口溜叫“黑小正、红大负”。※普通二极管的检测:二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)

普通发光二极管的检测:

(1)利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。

(2)用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表(指针式或数字式皆可)可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在1.4~3V之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V,且不发光,说明发光管已坏。

红外发光二极管的检测:

由于红外发光二极管,它发射1~3μm的红外光,人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW,不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。红外LED的正向压降一般为1.3~2.5V。正是由于其发射的红外光人眼看不见,所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正常,而无法判定其发光情况正常否。为此,最好准备一只光敏器件(如2CR、2DR型硅光电池)作接收器。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外LED加上适当正向电流后是否发射红外光。其测量电路如图11所示。

三极管:三极管就是由二个PN结构成三个极的电子元件,基极(B)集电极(C)、发射极(E)。

三极管作用:三极管在电路中主要起电流放大和开关作用;也起隔离作用。

三极管命名:中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

三极管分类1)按材料和极性分有硅/锗材料的NPN与PNP三极管。 2)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。3)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。

三极管引脚极性:插件引脚图示(1),贴件引脚图示(2)下图为9014。般中小功率的三极管都是遵守左向右依次为ebc(条件是中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为ebc)

场效应管:MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。当VDS≠0时,源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS>VT并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。

场效应分类:场效应管主要有结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。绝缘栅型场效应管的衬底(B)与源析(S)连在一起,它的三个极分别为栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。晶体管分NPN和PNP管,它的三个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同,结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流,绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功放输入级(前级),绝缘栅型场效应管则用在功放末级(输出级)。场效应管的工作原理和三极管其本一样,只是他们一个是压控型元件,一个是电流控制元件,场效应管只有一个PN结,如图所示1-1

场效应分类使用注意事项及检测方法:

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。对于其它相关认识,我不做细说,只要大家能认识就行了。

集成电路:集成电路是一种采用特殊工艺,将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件,英文为缩写为IC,也俗称芯片。在电路中用“U”表示。

集成电路分类:集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派别,而具体功能更是数不胜数,其应用遍及人类生活的方方面面。集成电路根据内部的集成度分为大规模中规模小规模三类。其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插”的最为常见。消费类电子产品中用软封装的IC,精密产品中用贴片封装的IC等。※集成电路使用注意事项:大部份IC采用CMOS元件为核心集成;对于CMOS型IC,特别要注意防止静电击穿IC,最好也不要用未接地的电烙铁焊接。使用IC也要注意其参数,如工作电压,散热等。数字IC多用+5V的工作电压,模拟IC工作电压各异。※集成电路型号:集成电路有各种型号,其命名也有一定规律。一般是由前缀、数字编号、后缀组成。前缀表示集成电路的生产厂家及类别,后缀一般用来表示集成电路的封装形式、版本代号等。常用的集成电路如小功率音频放大器LM386就因为后缀不同而有许多种。LM386N是美国国家半导体公司的产品,LM代表线性电路,N代表塑料双列直插。具体封装这不多作解说,我们只要能认识就OK。

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“按产值来算,若中国大陆一家芯片设计公司一年做200亿元的生意,那么其中有接近100亿元产值和台积电....

的头像 半导体动态 发表于 10-15 14:52 297次 阅读
台积电将迎下一个十年机遇但也是挑战

重庆集成电路产业将实现差异化发展并吸引更多人才

10月13日,在仙桃国际大数据谷举行的重庆市集成电路产业政企学研面对面交流活动中,来自政府部门、企业....

的头像 半导体动态 发表于 10-15 14:01 336次 阅读
重庆集成电路产业将实现差异化发展并吸引更多人才

苹果想“自己干”的态度越来越明显了

自第一款iPhone问世以来,苹果一直在与Dialog Semiconductor合作。根据Dial....

的头像 满天芯 发表于 10-15 11:06 346次 阅读
苹果想“自己干”的态度越来越明显了

华天科技投资南京集成电路先进封测产业基地项目剖析

为进一步完善公司产业布局,满足公司未来战略发展需要,提高公司对客户的服务能力和水平,并结合国内集成电....

的头像 半导体投融资 发表于 10-15 09:16 503次 阅读
华天科技投资南京集成电路先进封测产业基地项目剖析

《高频电子电路》教材的课后题目和答案资料免费下载

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发表于 10-15 08:00 32次 阅读
《高频电子电路》教材的课后题目和答案资料免费下载

华卓精科获8700万的战略投资 推动光刻机国产化

光刻机是集成电路最具关键性的基础装备之一,全球只有3-4家厂商可以生产制造,中高端产品几乎被国际厂商....

的头像 满天芯 发表于 10-14 11:15 503次 阅读
华卓精科获8700万的战略投资 推动光刻机国产化

详细分析电容的作用和用途

旁路电容:旁路电容,又称为退耦电容,是为某个器件提供能量的储能器件,它利用了电容的频率阻抗特性(理想....

的头像 电子工程技术 发表于 10-13 10:29 553次 阅读
详细分析电容的作用和用途

第92届中国电子展——凝心聚力 蓄势待发

距10月31日还剩20天!第92届中国电子展在上海新国际博览中心就要开幕啦!这一令人瞩目的电子行业盛....

的头像 人间烟火123 发表于 10-12 16:43 2683次 阅读
第92届中国电子展——凝心聚力 蓄势待发

面向实用化第二代高温超导带材研发取得的主要进展

自20世纪 80 年代钇钡铜氧化合物被发现具有超导电性以来,它受到了世界范围内研究者的广泛关注。 该....

发表于 10-12 08:00 37次 阅读
面向实用化第二代高温超导带材研发取得的主要进展

探讨我国半导体产业发展现状及对金融的需求

我国集成电路产业正处在前所末有的大好发展机遇,集成电路产业的快速增长还将持续数十年,半导体技术的发展....

的头像 集成电路园地 发表于 10-11 11:34 615次 阅读
探讨我国半导体产业发展现状及对金融的需求

三星陶瓷电容MLCC技术手册规范详细资料免费下载

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发表于 10-11 08:00 59次 阅读
三星陶瓷电容MLCC技术手册规范详细资料免费下载

紫光南京集成电路基地项目正式开工!

紫光集成电路产业基地项目由紫光集团投资建设,占地面积约1500亩,总投资超300亿美元。

的头像 芯资本 发表于 10-10 16:35 806次 阅读
紫光南京集成电路基地项目正式开工!

怎样检测CAN总线上的终端电阻阻值?

并非所有车辆都在 CAN 总线上有终端电阻。可以根据相应的电路图检查,在连接的车辆上是否安装有终端电....

发表于 10-10 14:53 196次 阅读
怎样检测CAN总线上的终端电阻阻值?

紫光南京集成电路基地项目在浦口经济开发区举行开工典礼

这是紫光集团继2016年12月30日武汉长江存储项目开工后又一“航母级”项目。12月4日,江苏省环保....

的头像 半导体行业联盟 发表于 10-10 14:49 1475次 阅读
紫光南京集成电路基地项目在浦口经济开发区举行开工典礼

三菱plc中的终端电阻的作用分析

数据收发器与传输电缆之间的阻抗不匹配。这种原因引起的反射,主要表现在通讯线路处在空闲方式时,整个网络....

的头像 沈丹 发表于 10-10 14:45 722次 阅读
三菱plc中的终端电阻的作用分析

集岑合伙以现金的方式购买承裕合伙的有限合伙份额

据披露,承裕合伙的主要资产为北京矽成半导体有限公司,承裕合伙目前合计持有北京矽成41.65%的股权。....

的头像 半导体投资联盟 发表于 10-10 11:45 536次 阅读
集岑合伙以现金的方式购买承裕合伙的有限合伙份额

智能锁选哪家?十大知名门锁品牌介绍

指纹锁凭借高效的安全性和便捷性逐渐进入人们的家庭生活中,但是大多数人在选购指纹锁的时候往往对各大品牌....

发表于 10-10 11:03 399次 阅读
智能锁选哪家?十大知名门锁品牌介绍

can 端接电阻数量 can总线终端电阻位置

如某宝马轿车的终端电阻,单独装在车头部大灯的下方,一次追尾事故造成这个终端电阻连线断路,而维修师傅不....

发表于 10-10 10:30 160次 阅读
can 端接电阻数量 can总线终端电阻位置

can总线终端电阻 can终端电阻阻值多少

CAN总线的测试和使用过程中,为了保证信号反射不至导致通讯失败,传输线上必须添加匹配终端。有多种方法....

的头像 沈丹 发表于 10-10 10:17 365次 阅读
can总线终端电阻 can终端电阻阻值多少

全球半导体产业转移启示录

得益于DRAM(动态随机存取储存器)、NAND闪存等储存器爆发,集成电路2017年增速为24.03....

的头像 中山市物联网协会 发表于 10-09 16:01 1712次 阅读
全球半导体产业转移启示录

集成电路行业和企业的特点对金融政策制定的影响

此外,技术研发也是金融政策在制定时需要考虑的重要问题。技术本身具有明显的外部性,技术和专利在企业之间....

的头像 半导体投融资 发表于 10-09 14:09 1439次 阅读
集成电路行业和企业的特点对金融政策制定的影响

中国的芯片产业到底由谁布局?

一块指甲盖大小的芯片,从设计到制造,需要技术密集的工艺线以及高度的国际协作。当某个产业链条出现变化,....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 10-09 11:48 1500次 阅读
中国的芯片产业到底由谁布局?

中美贸易战第二波加征关税政策已经祭出

亦如2008年全球金融危机爆发时,出口贸易环境极为恶劣,出口市场一片惨淡。中国企业只能将市场拓展重心....

的头像 半导体投资联盟 发表于 10-09 11:48 5030次 阅读
中美贸易战第二波加征关税政策已经祭出

为进一步促进园区产业发展 南京江北新区将探索发挥新路径

作为全省唯一的国家级新区、南京未来发展的重增长极,江北新区牢牢锁定“三区一平台”战略定位,持续推进“....

的头像 半导体动态 发表于 10-09 11:13 588次 阅读
为进一步促进园区产业发展 南京江北新区将探索发挥新路径

重金属离子检测成为一道保障“舌尖上的安全”的防线

除此之外,课题组还设计了一种利用生物酶进行重金属离子毒性评估的方法。贺军辉表示:“由于重金属离子对生....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-09 11:04 850次 阅读
重金属离子检测成为一道保障“舌尖上的安全”的防线

海外并购助力弯道超车:关注泛半导体产业链上游头部公司

对于一个多月前在美国圣克拉拉召开的全球闪存峰会上发布的突破性技术Xtacking,长江存储执行董事长....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-09 10:57 704次 阅读
海外并购助力弯道超车:关注泛半导体产业链上游头部公司

为什么有的LED灯关了以后还是会微亮?怎么解决?

开关控制零线,代表了火线直接接在电灯(电容)上了。而火线上具有高电位,如果此时的线路中存在低电位,就....

的头像 电子工程技术 发表于 10-09 10:13 495次 阅读
为什么有的LED灯关了以后还是会微亮?怎么解决?

电子元器件基础知识讲解

电容容里的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容里....

的头像 电子工程技术 发表于 10-09 10:10 521次 阅读
电子元器件基础知识讲解

电流互感器如何进行制作详细方法概述

本文档的主要内容详细介绍的是电流互感器如何进行制作详细方法概述。

发表于 10-09 08:00 92次 阅读
电流互感器如何进行制作详细方法概述

教你5分钟内认识光电耦合器!

数字高速隔离光耦将充 电桩的弱点部分( 包括控 制部分) 与外接埠进行隔 离和绝缘, 一方面防止充 ....

的头像 电子发烧友网 发表于 10-08 16:57 508次 阅读
教你5分钟内认识光电耦合器!

集成电路持续升温,中国芯片将何去何从?

胡新高认为,投资风向的转变,来自中美贸易争端的压力以及国家政策和政府引导基金的带动。

发表于 10-08 14:50 611次 阅读
集成电路持续升温,中国芯片将何去何从?

首届“青山湖”杯微纳智造创新挑战赛报名正式开始

浙江杭州青山湖科技城位于杭州西湖以西二十公里,其作为浙江省委省政府着力打造的科研机构集聚区与创新基地....

的头像 人间烟火123 发表于 10-08 14:35 976次 阅读
首届“青山湖”杯微纳智造创新挑战赛报名正式开始

wt7510开关电源工作原理 浅谈wt7510开关电源应用

脉冲的占空比由开关电源的控制器来调节。一旦输入电压被斩成交流方波,其幅值就可以通过变压器来升高或降低....

的头像 沈丹 发表于 10-08 10:27 426次 阅读
wt7510开关电源工作原理 浅谈wt7510开关电源应用

重庆成立集成电路学院 将培养产业人才加速集成产业发展

半导体产业的发展离不开人才培养的基石和行业科普这片土壤。

的头像 半导体动态 发表于 09-30 17:21 1068次 阅读
重庆成立集成电路学院 将培养产业人才加速集成产业发展

杭州IC重磅! 2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛报名开始

众所周知,大到关乎国防安全的军事装备、雷达卫星,中到作为基础设施的互联网、数据中心,小到生活中常用的....

的头像 罗欣 发表于 09-30 14:25 832次 阅读
杭州IC重磅! 2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛报名开始

LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

发表于 09-17 16:30 26次 阅读
LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

发表于 09-17 15:48 4次 阅读
LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

LM57-Q1 具有电阻可编程温度开关的汽车类温度传感器

LM57-Q1器件是一款具有模拟温度传感器输出的精密双路输出温度开关,适用于宽温度范围的应用(例如汽车级) 。跳变温度(T TRIP )可从-40°C至160°CV TEMP 是AB类模拟电压输出,该电压输出与温度成正比,负温度系数(NTC)可编程。两个外部1%电阻设置T TRIP 和V TEMP 斜率。数字和模拟输出具有保护功能,并且可监视系统过热事件。 内置的热滞后功能(T HYST )可防止数字输出发生振荡.T OVER 和 T OVER 数字输出将在芯片温度超过T TRIP 时置为有效,在芯片温度低于T TRIP 与T HYST 的差值时置为无效。 T OVER 为高电平有效,并且采用推挽结构。 T OVER 为低电平将T&sub> OVER 与TRIP-TEST相连,可以输出发生跳变后将其锁存。将TRIP-TEST驱动为高电平会将数字输出置为有效。处理器可检查T OVER 或 T OVER < /sub> 的状态,从而确认它们是否已切换至激活状态。这样一来,便可以在系统装配后现场验证比较器和输出电路的功能。当TRIP-TEST为高电平时,V TEMP 引脚为跳变基准电压。系统随后...

发表于 09-13 14:58 0次 阅读
LM57-Q1 具有电阻可编程温度开关的汽车类温度传感器

LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

发表于 09-13 14:35 13次 阅读
LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密性 TO 封装

LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

发表于 09-06 17:29 14次 阅读
LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密对数和对数比放大器

TMUX6104 36V、低电容、低泄漏电流、4:1 精密模拟多路复用器

TMUX6104是一款现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器.TMUX6104提供4:1单端开关功能,并且使用双电源(±5V至±18V)和单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。此外,该器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能所有数字输入均具有兼容TTL逻辑的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,这些阈值可确保TTL和CMOS逻辑兼容性。 TMUX6104具有非常低的导通和关断泄漏电流以及超低的电荷注入,因此该器件可用于高精度测量应用中,低功耗是一个关键问题。当开关处于OFF位置时,该器件还可通过阻断到达电源的信号电平来提供出色的隔离能力。电源电流低至17μA,使得该器件可用于便携式应用中,中对于效率,高电源密度和稳健性的需求。 特性 低导通电容:5pF 低输入泄漏:1pA 低电荷注入: 0.35pC 轨至轨运行 宽电压范围:±5V至±18V(双电源)或10V至36V(单电源) 低导通电阻:125Ω 转换时间:88ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连(集成下拉电阻器) 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流...

发表于 09-03 15:32 18次 阅读
TMUX6104 36V、低电容、低泄漏电流、4:1 精密模拟多路复用器

TMUX136 双路 SPDT 低电容 6.1GHz 模拟开关

TMUX136器件是一款高性能6GHz 2通道2:1开关,同时支持差动和单端信号。该器件具有2.3V至4.8V的比较V CC 范围,支持断电保护功能,当V CC 引脚断电时,强制所有I /O引脚进入高阻抗模式.TMUX136的部分引脚支持1.8V控制电压,允许它们直接与低电压处理器的通用I /O(GPIO)相连。 TMUX136采用小型10引脚UQFN封装,尺寸仅为1.5mm×2mm ,非常适合PCB面积有限的情况。 特性 V CC 范围为2.3V至4.8V 高性能开关特性:< ul> 带宽(-3dB):6.1GHz R ON (典型值):5.7Ω C ON (典型值):1.6pF 电流消耗:30μA(典型值) 特殊特性: I < sub> OFF 保护防止在断电状态下产生泄漏电流 1.8V兼容控制输入(SEL, EN ) 静电放电(ESD)性能: 5kV人体放电模型(A114B,II类) 1kV带电器件模型( C101) 紧凑型10引脚UQFN封装(1.5mm×2mm,间距为0.5mm) < small>所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器   Configuration Number of Channels (#) Power Supply Type Vss (Min) (V) V...

发表于 09-03 14:34 56次 阅读
TMUX136 双路 SPDT 低电容 6.1GHz 模拟开关

MUX508 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX508和MUX509(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX508提供8:1单端通道,而MUX509提供4:1差分通道或双4:1单端通道。 MUX508和MUX509在双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。两种器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V,V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可确保TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX508和MUX509这两款多路复用器的导通和关断泄漏电流都非常低,因此能够以最小误差切换高输入阻抗源信号。该器件的电源电流低至45μA,因此适用于便携式进行VTT放电。 特性 低导通电容 MUX508:9.4pF MUX509:6.7pF 低输入泄漏电流:10pA 低电荷注入:0.3pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:92ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 人体放电...

发表于 09-03 14:32 0次 阅读
MUX508 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX509 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX508和MUX509(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX508提供8:1单端通道,而MUX509提供4:1差分通道或双4:1单端通道。 MUX508和MUX509在双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。两种器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V,V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可确保TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX508和MUX509这两款多路复用器的导通和关断泄漏电流都非常低,因此能够以最小误差切换高输入阻抗源信号。该器件的电源电流低至45μA,因此适用于便携式进行VTT放电。 特性 低导通电容 MUX508:9.4pF MUX509:6.7pF 低输入泄漏电流:10pA 低电荷注入:0.3pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:92ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 人体放电...

发表于 09-03 14:28 0次 阅读
MUX509 36V 低电容、低泄漏电流、精密模拟多路复用器

MUX36D08 36V、低电容、低电荷注入、高精度模拟复用器

MUX36S16和MUX36D08(MUX36xxx)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(mux).MUX36S16提供16:1单端通道,而MUX36D08提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX36S16和MUX36D08在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX36S16和MUX36D08的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于便携式应用。 特性 低导通电容 MUX36S16:13.5pF MUX36D08:8.7pF 低泄漏电流:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:85ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:4...

发表于 09-03 11:27 28次 阅读
MUX36D08 36V、低电容、低电荷注入、高精度模拟复用器

MUX507 MUX50x 36V 低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器

MUX506和MUX507(MUX50x)是现代互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器(MUX).MUX506提供16:1单端通道,而MUX507提供8:1差分通道或双8:1单端通道.MUX506和MUX507在由双电源(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能正常运行。器件在由对称电源(如V DD = 12V,V SS = -12V)和非对称电源(如V DD = 12V, V SS = -5V)供电时也能保证优异性能。所有数字输入具有兼容晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)的阈值。当器件在有效电源电压范围内运行时,该阈值可保证TTL和CMOS逻辑电路的兼容性。 MUX507和MUX507的导通和关断泄漏电流较低,允许此类多路复用器以最小误差转换高输入阻抗源传输的信号。电源电流低至45μA,支持其应用于功耗敏感型应用。 特性 低导通电容 MUX506:13.5pF MUX507:8.7pF 低输入泄漏:1pA的 低电荷注入:0.31pC 轨到轨运行 宽电源电压范围:±5V至±18V或10V至36V 低导通电阻:125Ω 转换时间:97ns 先断后合开关操作 EN引脚与V DD 相连 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA ESD保护HBM:20...

发表于 09-03 11:24 31次 阅读
MUX507 MUX50x 36V 低电容、低电荷注入、精密模拟多路复用器

LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

发表于 08-06 17:13 141次 阅读
LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类 Δ-Σ 低功率双路 PLL

LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器

LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需½谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

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LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JESD204B 的航空级 40MHz 至 15GHz 宽带合成器