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承诺2027年达标,ST的“碳中和”之路

芯链 来源:电子发烧友网 作者:黄晶晶 2021-10-15 18:05 次阅读

作为一家全球知名的半导体公司,意法半导体STMicroelectronics一直在推动可持续发展战略的实施。在ST,碳达峰已经成为历史,根据ST的规划,到2026年底直接碳排放量将降至最低,与电力相关的间接排放降为零。ST承诺2027年实现碳中和,其中包括直接排放(半导体生产过程中产生的 PFC气体)、间接排放(与能源消耗相关)和运输排放( 产品运输、商务旅行、员工通勤等)几方面的环节。

在全球各国各企业开始实施“碳中和”的发展战略的大背景下,ST作为先锋企业也责无旁贷地进行着众多举措,并且具有许多优秀的可持续发展管理经验。通过这些举措,我们看到这家半导体巨头已经将可持续发展、社会责任等融入到技术产品的研发与生产制造,不断探索公司发展与环境完美和谐的创新方法。

碳中和比降低能耗更重要

日前,意法半导体部门副总裁、企业可持续发展主管Jean-Louis CHAMPSEIX接受包括电子发烧友网在内的媒体采访,他表示,单纯地降低能耗存在着例如产量可能无法提高,或者不能用上新技术等问题。因此,达到碳中和比一味地降低能耗更重要。

ST的减碳方法之一是消除半导体工艺中的直接排放(主要是 PFC)。举例来说,PFC主要发生在前工序,在新加坡制造工厂拥有69个减排系统,通过技术升级改造不断减少PFC的排放。

减少碳排放的同时,也会关注能源消耗。最近,ST刚刚完成了40家最大工厂的6个月全面审核,检查了所有工厂设备的能源效率和水资源改善效果。将降低能耗与设备升级并举。

ST还大量使用可再生能源,计划到2025年可再生能源使用率达到80%,到2027年达到100%。实现途径包括有向工厂附近的第三方可再生能源生产商购买电能,利用工厂内部安装的太阳能发电等。ST在摩洛哥的工厂安装了风力发电机,目前为整个工厂提供50%的电力,未来计划风力发电达到90%。此外,在摩洛哥厂区停车场上建有最大的私有太阳能发电设备,确保可再生能源安全供给,必要时也会从外部采购可再生能源。

最后一种碳中和实现方式非常独特,很少有公司将其纳入碳中和计划,就是交通排放。包含ST产品运输产生的排放和员工差旅通勤产生的排放。例如为员工提供电动或智能出行工具,在停车场加装充电插座,支持员工使用电动汽车等。

ST提供“负责任”的产品

负责任的产品主要是从气候角度(> 90%)评定,是减少了产品本身或使用能耗的产品。主要体现在安全和健康方面,以及社会附加值等。ST的可持续发展技术计划在于,在产品的生命周期内,全程按可持续发展原则开发负责任的产品。

早在10 年前,ST就是半导体行业中唯一一家公开公司,解释了如何在整个产品生命周期内启用负责任的采购、产品生态设计、非常先进的负责任的制造工艺,争取实现产品的负责任使用,并与客户一起解决生命周期终结问题。

ST的目标是至少50%的新产品获得“可持续技术计划”认证,并接受外部第三方审核。去年,超过 63%的新产品获得了该计划的认证。到2025年,ST负责任产品收入预计比2016年增加两倍,到2027年,至少占总营收的三分之一左右。目前可持续技术产品占ST总营收的18.5%。

推动可持续发展的产品策略

同时,ST在GaN产品方面也积极创新。GaN 产品可提高高频电力应用的性能,例如,最先进电动汽车的车载充电机、激光雷达和的48V 轻混解决方案。GaN还可用于笔记本电脑和智能手机等个人电子产品、工业设备和家用电器。ST还拥有领先的微控制器和电源管理产品组合,应用范围广阔。

从应用领域的角度来说主要覆盖三大板块。第一个焦点应用是智慧出行。ST提供电动汽车和充电站使用的碳化硅器件、先进的电池管理产品。在ADAS先进驾驶系统方面,ST处于领先地位,保护汽车的功能安全和网络安全。ST还为下一代汽车架构开发出了极具创新性的 MCU。并拥有 AutoDevKit 生态系统,可以更快地开发汽车ECU原型。

第二个焦点应用是电源管理和能源管理。ST创新的解决方案包括,新的 STSPIN32是一个即插即用的开发板,可以加快无线电动工具设计,还有工业和汽车用高功率IPM模块、用于交错式升压 PFC 的数字电源控制器,以及超低功耗的STM32微控制器及其所有的数字电源生态系统,帮助客户和合作伙伴提高在电源管理方面的创新意识和能力。

第三个焦点应用是基于物联网5G网络技术的智慧城市和智能工作环境。在这个应用领域,ST有新的安全生态系统STSAFE-A110。对于工业物联网应用,ST有主频800mhz的STM32MP1处理器和具有高级嵌入式功能的高精度工业倾角仪。ST飞行时间传感器被用于社交距离监测和免接触控制解决方案。在STM32 cube生态系统中增加对Microsoft Azure云计算平台的支持,以及ST实时PCR聚合酶链反应分子技术能够检测遗传物质,这对当今疫情检测很重要。

ST有效地进行水和垃圾处理

水对半导体制造的前道工序和后道封测都非常重要,半导体生产需要大量使用超纯水。ST每年生产300亿升超纯水,用于生产运营。

自1994年以来,ST已将用水量减少了72%,目标是到2025年水资源消耗比2016年减少20%。每年在中国、菲律宾和马来西亚的所有亚洲封测厂和在新加坡晶圆制造厂,都会进行技术升级,以改进水资源的利用。

以新加坡宏茂桥工厂为例,升级改造前氟化物废水回收仅为 30%,经过升级氟化物废水处理系统后,今年将实现氟化物废100%回收。“我们正在测试一种用一些绿草净化水的新方法,通过草收集到我们想要收集的所有金属和所有颗粒。因此,这是一个化学品更少、能耗更少的双赢方法,可以非常有效地净化水,有利于减少二氧化碳排放。我们有很多与节省水资源相关的创新项目。”他说道。

关于工业垃圾问题,据介绍,在疫情前ST的垃圾回收再利用率达到93%。去年和今年受疫情影响,垃圾再利用、回收或送去再循环的实现只有88%。ST的目标是达到 95%。值得的一提的是,ST深圳工厂已经与一个主要客户合作,该客户认定ST的方法是一个非常有效的零垃圾方法。这些最佳实践正在推广到马来西亚卡兰巴工厂。

可持续发展创造的价值

Jean-Louis CHAMPSEIX认为,可持续发展能够带来非常多的好处。首先,可持续管理可降低多种风险,包括我们员工面临的健康、安全甚至失业风险;降低客户在弹性、声誉和供应方面的风险;降低投资者的风险,加强我们执行长期计划的能力,加快实现可持续增长;还会为整个社会降低风险,在我们经营场所所在社区缓解环境污染和资源稀缺问题。

其次是带来短期和长期的附加值。例如,短期附加值是节能的经济收益,我们每年的电费高达几亿美元,那么每节省6%~10%的电费,每年就能节省数千万美元。自公司成立以来,我们在能源效率方面节省的资金肯定达到数亿美元。另外,ST的保险费极低,我们甚至还获得保费返还,因为我们的风险很低。此外还有留住员工也能够节省成本,获得附加值。

除了对ST本身带来的附加值,对客户也带来了许多附加值,主要体现在三方面。第一是为客户带来更高的机敏捷性、弹性和危机期间的运营能力。第二是创新能力,为他们以及他们的最终客户带来有附加值的负责任的产品。第三是与客户合作开展最先进的可持续发展行动。例如,在清洁能源计划方面,ST生产的所有苹果产品100%使用可再生能源。最近ST还宣布了与施耐德电气的合作项目。在这个过程中,客户帮助ST实现碳中和,ST则帮助客户利用其技术开发更负责任的解决方案。

小结:

ST的可持续发展战略取得了显著的效果,最直接的是,在汽车领域,ST提供负责任的电动或混动汽车解决方案,与上一代发动机相比,电动或混动汽车碳排放量减少75%。采用ST 碳化硅 (SiC) 解决方案的汽车用户在4年内可节省约 2,000美元的电能,减少相关的碳排放量。

在“到2027年实现碳中和”这个目标的道路上,ST同时将在2025年符合COP 21气候协议的1.5°C升温限制,并将在2027年成为一家使用可再生能源的半导体公司。

可以说,ST的“碳中和”之路,是以负责任的态度将负责任的产品,带给客户、员工、社会。这家半导体企业正努力为所有利益相关者创造长期的最大的价值。

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oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
发表于 11-09 12:07 144次 阅读

STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 128次 阅读

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
发表于 11-09 12:07 117次 阅读

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 235次 阅读

ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
发表于 11-05 17:07 95次 阅读

LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
发表于 11-05 17:07 153次 阅读

VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
发表于 10-30 14:06 124次 阅读

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
发表于 10-30 14:06 155次 阅读

LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 87次 阅读

LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 109次 阅读

LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
发表于 10-30 11:06 90次 阅读

STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
发表于 10-30 10:06 221次 阅读

STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 167次 阅读

LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 153次 阅读

L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 198次 阅读

L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 106次 阅读

采用SiC金属氧化物半导体场效应晶体管电源模块解决方案

、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。转换器的核心包含专用器件和通过栅极驱动器控制这...
发表于 10-29 09:08 404次 阅读

低功耗SiC二极管实现最高功率密度解析

相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受...
发表于 07-30 07:14 404次 阅读

EVAL 3K3W TP PFC SIC评估板评测

  随着半导体材料的发展,碳化硅(SiC)在功率半导体中的应用越来越广泛。SiC是第三代半导体材料代表之一。是目前综合性能...
发表于 07-20 09:04 707次 阅读