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2020年MCU行业十大事件大盘点

荷叶塘 来源:电子发烧友网 作者:程文智 2020-12-29 07:28 次阅读

电子发烧友报道(文/程文智)2020年还有几天就将结束,这一年是下一个十年的开局之年,可这个开局并不完美。年初的新冠疫情几乎打乱了所有行业的发展节奏,全年的中美贸易冲突让很多国家和地区也深受影响。不过技术的创新依然在向前发展,5G如期而至、人工智能开始落地、自动驾驶也在稳步推进、SpaceX升级版货运龙飞船首飞成功、中国嫦娥五号“揽月”而归等等。

在这些科技事件的背后,有一个产品在默默提供支持,那就是MCU。而今年的MCU行业也不平静,比如给大多数MCU企业提供IP核的Arm公司卖身Nvidia、MCU缺货与涨价之声从年初延续到了年底、RISC-V内核的MCU开始多了起来……,为此,<电子发烧友>特意盘点了2020年MCU行业发生的十大事件,供大家回顾。

一、MCU缺货涨价潮从年初延续到了年尾

2020年12月份,多家MCU厂商都宣布涨价。ST在前几天正式发布了涨价通知,2021年1月1日起,全线产品涨价;在ST宣布涨价之前,盛群(合泰)、凌通、松翰、闳康、新唐这五大台湾MCU厂商也公开称因成本上涨,同步调升产品报价,部分品项调幅超过10%,且有产品交期甚至拉长至10个月。另外,日本MCU厂商瑞萨电子也在不久前发布了涨价通知,交期拉长至4个月以上。

MCU缺货涨价的原因可能有以下几个:

一是,从晶圆到芯片出货时间周期约要半年。一个芯片从设计、制造、封装、测试,再到出货,其实是需要很长一段时间的。即使不算设计和试产的时间,拿一个使用成熟工艺的成熟芯片来说,从晶圆制造开始,到封装测试,再到出货,一般也需要半年左右的时间。因此,芯片原厂都是按照订单排期,预先安排产能的,毕竟晶圆备货都是需要真金白银的,要是备货太多没卖出去对原厂的伤害也很大。

二是,芯片原厂减少了晶圆备货。今年年初的新冠疫情,突入其来,一时间各行各业都受到了影响,不少工厂停工,贸易也受阻,不少企业裁员的裁员,减少支出的减少支出,上半年时,大家对未来预期普遍都不看好。原厂看到这种情况后,在上半年做计划的时候,不约而同地都选择了减少晶圆备货,据说有的原厂减少了1/3以上的备货。

三是,华为受到美国政府的打压,导致华为在晶圆代工厂加大了订单,导致国内6、7、8月份国内的主要封装家工厂订单基本都是以华为为主,国内其他的半导体厂商基本很难拿到产能。只能往后排。

四是,由于中美贸易冲突的问题,华为受美国影响较大,华为很多芯片类产品因为制裁原因不能生产了,比如华为的麒麟处理器芯片,智能电视用的鸿鹄芯片、安防芯片、服务器存储芯片、巴龙系列芯片等等。

特别是安防使用的IPCSoC芯片,华为之前在这块市场占了70%以上的份额,现在一下子都不能生产了,但是市场需求却没有变小,这就需要其他企业的产品来填补这块市场。因此,国内其他企业纷纷下单给晶圆代工厂,但这类芯片很多都是新进入的企业的新设计方案,流片试产都需要占用晶圆代工厂的产线,新芯片良率提升往往需要时间,现在这些新增的产品将会大大降低晶圆代工厂和封装厂的生产效率,出货缓慢。

五是,国内电子行业在下半年开始整体恢复,特别是海外市场,上半年积压的海外订单一下子全爆发了,但是很多工厂在上半年的时候基本没有备货。一时间订单暴增,芯片原厂之前的产能难以满足需求。

六是,晶圆代工厂在淡季的时候一般会把产线给MOSFET这类利润比较低的产品,但一旦到了旺季,一般都会让步给利润高的IC,下半年国内和国外都是旺季。因此,很多MOSFET和利润不高的MCU等产品,比较难拿到产能。

七是国内新基建和信创产业需求大涨,原来削减了备货计划的原厂又开始加大备货了,开始给晶圆厂下大订单,这样在大客户挤压的挤压下,小订单新客户,以及小客户的需求排期往往被延期。

也正是在这些多重因素叠加,半导体市场开始了产能紧张,货源紧张的情况,再加上晶圆代工厂和封装厂涨价的因素影响,芯片原厂也不得不调高芯片价格。

二、NVIDIA400亿美元收购Arm

9月14日,英伟达(NVIDIA)与软银集团(SoftBank)宣布达成一项最终协议,根据该协议,英伟达将以400亿美元的价格从软银集团和其旗下的愿景基金(VisionFund)收购英国芯片设计子公司Arm。

根据协议,英伟达将向软银集团支付120亿美元的现金,以及价值215亿美元的英伟达股票,其中还包括签约时,即刻支付的20亿美元。

双方在联合声明中表示,如果Arm未来的业绩表现达到特定目标,软银还可能获得额外的50亿美元现金或股票。在收购之后,英伟达还将向Arm员工发行15亿美元的股本。

如果英伟达成功收购Arm,这将是今年以来规模最大的并购交易之一,也可能是有史以来最大的半导体交易。

收购Arm将改变英伟达目前过度依赖于GPU产品的现状,通过此次收购,英伟达将可获得更多移动CPU/GPUIP,将极大的丰富自己的产品线,并将使得英伟达可以进入移动处理器领域,同时有望将其在显卡端的优势延展到移动端。

不过,由于英伟达本身与一些Arm现有客户存在竞争关系,这也使得外界担心英伟达收购Arm后会影响Arm的中立性,从而导致Arm的客户转向其竞争对手RISC-V。

三、RISC-V架构的MCU玩家越来越多

10月份时日本MCU厂商瑞萨电子宣布与RISC-V架构嵌入式CPU内核及相关SoC开发环境的供应商——AndesTechnology启动技术IP合作。瑞萨选择AndesCore32位RISC-VCPU内核IP,应用于其全新的专用标准产品中,并将于2021年下半年开始为客户提供样片。

12月份,中微半导体(深圳)股份有限公司(简称CMSemicon),宣布正式发布首款集成RISC-V内核的32位微控制器-ANT32RV56xx。该系列芯片搭载芯来科技(NucleiSystemTechnology)N100系列超低功耗RISC-V处理器内核,集成模拟外设并简化设计,轻松应对消费电子对高算力、低功耗的要求。

同样也是在12月,中科蓝讯也推出了起自主RISC-V内核32位MCU芯片------蓝讯骄龙AB32VG1,该MCU提供了125MHz的运算主频(最高可超频至192MHz),片上集成RAM192Kbyte,Flash1Mbyte,ADCDAC,PWM,USB,SD,UARTI2C等资源。蓝讯骄龙AB32VG1评估板将同步推出,并提供完整的SDK,开发者可使用免费的RT-ThreadStudio集成开发环境快速上手,并便捷的完成代码编写、编译、调试、程序烧写等一系列开发流程。

在他们之前兆易创新与在2019年时就推出了RISC-V内核的MCU产品,平头哥推出并开源了其RISC-V芯片设计平台。

可以看得出来,逐渐开始有越来越多的玩家加入RISC-V阵营,RISC-V的生态也开始变得丰富起来,未来,RISC-V不仅仅会获得关注,更会获得更大的发展。

四、车规级MCU需求增长

12月4日,有媒体报道称半导体产业产能紧张问题传导至汽车产业,由于缺少汽车芯片导致ESP(电子稳定程序系统)和ECU(电子控制单元)两大模块,上汽大众和一汽大众将面临停产风险。

虽然12月5日,一汽大众就做出了回应,称新车生产确实受到了一定的影响,但并没有如外界传言的那样全面停产。从回应中,可以看处,汽车级芯片短缺是确确实实存在的。

车规级芯片可分为MCU、存储芯片、功率器件(IGBT和MOSFET)、ISP、电源管理芯片、射频器件、传感器(CIS、加速传感器等)、GPU/ASIC/FPGA/AI芯片等。

2020年,全球车规级芯片市场规模预计为3000亿人民币,占全球半导体市场份额约10%。据测算,未来车规级芯片单车价值将从2800元提升到12000元。

比如在MCU方面,传统汽车平均每辆车用到70颗以上的MCU芯片,而每辆智能汽车有望采用超过300颗MCU。车规级MCU的需求将大幅提升。

另外,全球车规级芯片企业主要包括恩智浦、英飞凌、瑞萨、德州仪器意法半导体等,前八大公司市占率达63%。目前车规级芯片市场主要被国外厂商占据,国产替代空间巨大。

五、AI与MCU相结合的趋势越来越明显

2020年8月,恩智浦(NXP)发布了eIQ机器学习(ML)软件对Glow神经网络(NN)编译器的支持功能,针对恩智浦的i.MXRT跨界MCU,带来业界首个实现以较低存储器占用提供更高性能的神经网络编译器应用。Glow编译器由Facebook开发,能够集成特定于目标的优化,恩智浦利用这种能力,使用适用于ArmCortex-M内核和CadenceTensilicaHiFi4DSP的神经网络算子库,最大程度地提升i.MXRT685以及i.MXRT1050和RT1060的推理性能。此外,此功能已集成到恩智浦的eIQ机器学习软件开发环境中,在恩智浦的MCUXpressoSDK中免费提供。

ST在2019年就推出了STM32Cube.AI工具包能够与流行的深度学习库进行互操作,将任何人工神经网络转换并应用于STM32微控制器(MCU)。Cube.AI工具是CubeMX的AI扩展包,可以在CubeMX内下载或者单独下载。

STM32Cube.AI支持的神经网络模型框架有Lasagne、Keras、Caffe、ConvNetJs、TensorflowLite、可以导出为ONNX标准的框架(PyTorch™,Microsoft®CognitiveToolkit,MATLAB®以及更多)。

12月,国产物联网操作系统RT-Thread在其开发者大会上推出了面向开发者的端侧AI开发套件AIKit,帮忙解决端侧部署AI的碎片化问题,该工具采用开放式的架构,通过工具侧的平台搭建,把从上游的模型到具体的硬件平台用的引擎和运行库顺畅地整合到一起变成一个RT-Thread的整合框架工程。因此,RT-Thread的AIkit可以一键部署而无需了解处理器优化方法,开发者可以把大部分的精力放到产品研发上。

六、国产MCU出货大增

据北京兆易创新科技公司市场总监金光一介绍,从2013年到2019年,GD32出货量持续攀升,年复合增长率达到201%,反映产品持续发展势头,持续为物联网领域智能硬件的发展助力。截至到2020年10月,MCU的出货量已经超过1.5亿颗,公司已经累计出货5亿颗MCU产品,客户数量超过2万家,MCU已经成为兆易创新占比第二高的产品。

华大半导体有限公司张建文在曾在公开场合透露,华大还提供了中国ETC系统中车载OBU设备需求的MCU,50%的需求量。2020年从疫情爆发到11月份,华大至少为市场提供了2500万颗测温仪芯片。

除了这两家,灵动微电子、国民技术、极海半导体、航顺、中微半导体等MCU厂商在今年的出货量也都增加了不少。

七、Arm中国“星辰”处理器量产

7月,安谋中国(Arm中国)发布了首颗面向中国本土的处理器——“星辰”处理器(STAR-MC1)的研发过程、特点以及落地情况。目前,该处理器已正式进入商用阶段。

STAR-MC1作为“星辰”系列产品的第一款产品,支持现有的Armv8-M架构的所有特点以及最新的指令扩展。根据安谋中国产品研发副总裁刘澍的说法,该款处理器是一款非常紧耦合性的高效微处理器,性能达到1.5DMIPS/MHz-4.02Coremark/MHz,同时继承Armv7和Armv8结构的DSP指令和浮点计算单元。同上一代Arm处理器相比较,在同一主频下,这些新结构体系的升级可以使STAR-MC1的性能提升20%。

八、MCU玩跨界

3月,恩智浦半导体宣布i.MXRT600跨界微控制器(MCU)上市,这是一款面向音频、语音和机器学习等超低功耗、安全边缘应用的理想解决方案。i.MXRT600跨界MCU在功耗、性能和存储器方面具有显著特点。主要包括:

主频高达300MHz的Arm®Cortex®-M33内核。

可选的Cadence®Tensilica®HiFi4音频、语音数字信号处理器(DSP)。运行主频高达600MHz,并支持四组32x32MAC。

多达4.5MB片上SRAM,支持关键指令和数据的“零等待”访问。

28nmFD-SIO(耗尽型绝缘硅)工艺,提供更低的工作电流和漏电流。

内置恩智浦卓越的嵌入式安全技术-EdgeLock400A。

可使用Glow神经网络编译器,优化机器学习性能。

ST也跨界推出STM32MP1,这是第一颗通用型STM32MPU,双核Cortex-A+Cortex-M的多核架构,算力更强;灵活的架构可以满足高性能、硬实时、低功耗和安全性的性能;同时,还传承了STM32的生态系统,不仅有多种硬件开发板、三类软件开发包等,并可将之前基于M4的控制移植到MP1上,从而加快产品开发进度。


九、无线MCU的进击之路

作为STM32RF连接产品组合的补充,STM32WL片上系统在同一芯片上集成了通用微控制器和sub-GHz无线控制单元,是世界上第一颗将LoRa收发器集成到SoC芯片上的无线微控制器。之前,市场上的LoRa无线解决方案,要么是分立的微控制器和收发器,要么是两个组件使用同一封装,但使用不同的裸片,即系统级封装。STM32WL通过实现更简单、更灵活、更高集成度和更节能的设计,赋能物联网应用。

今年10月,STM32WB无线MCU产品线再添新丁,STM32WB55的低成本版本STM32WB35/30将性价比推向极致。

在成本方面,STM32WB55/50相比,STM32WB35的成本更低。STM32WB30则是成本最低的ST蓝牙+802.15.4解决方案。
在外设方面,同STM32WB55相比,STM32WB35没有LCD;
在射频方面,STM32WB55支持动态多协议,STM32WB35/50/30只支持某一种协议;
在封装方面,STM32WB55封装类型最多,STM32WB35/50/30只有QFN48,且和STM32WB55QFN48pin2pin兼容。

今年7月,恩智浦宣布MCUXpresso支持其Wi-Fi®/蓝牙®组合解决方案和i.MXRTMCU跨界处理器,从而大幅简化产品开发。借助这种全新的集成能力,恩智浦扩展了EdgeVerse™边缘计算和安全平台的连接能力。

通过在MCUXpressoSDK中预先集成驱动程序支持,恩智浦为开发人员提供灵活且可扩展的平台,以帮助加快实现合规、大幅缩短产品上市时间并简化Wi-Fi或Wi-Fi/蓝牙组合的部署。这些新平台使MCU、Wi-Fi或Wi-Fi/蓝牙组合设备的强强联手成为可能,从而帮助开发人员灵活地满足物联网、工业、汽车和通信基础设施应用的性能与功耗的要求。

十、MCU应用百花齐放

从ICInsights在今年8月份发布的一份报告来看,2019年,全球MCU市场的规模约为160亿美元,由于受新冠疫情的影响,预计今年会下滑到149亿美元,下降幅度为6%左右。但在国内,MCU市场规模其实是增长的,国内的MCU企业在上半年的出货量基本都实现了正增长。

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其实国内MCU的市场规模也不小,据统计国内2019年的市场规模是366亿元,预计到2024年可以达到484亿元,只是国产MCU产品的市场占有率还不高。在国民技术的钟新利表示,全球来看8位MCU和32位MCU各占一半的样子,但国内主要还是以8位MCU为主,32位MCU目前还处于追赶阶段,增长趋势比较明显。

极海半导体的刘涛也持相同观点,但他给出了另一个数字,那就是国产MCU产品的市占率目前占比还不高,在国内市场,国产MCU的市占率不足10%,工业类国产MCU不到5%,汽车类的国产MCU占比更低,他估计不到1%。

其实近几年来,国产MCU企业的出货量是在稳步提升的,根据<电子发烧友>的观察,国内MCU企业出货量出现正增长的原因,主要是有以下五个因素的驱动,给MCU市场带来了新的增长动力。

首先是,5G和物联网的发展带动了智能家居的兴起;

二是家电MCU更新换代,让MCU市场的规模得到增长;

三是电动行车新国标的落地,加上疫情的影响,电动自行车市场迎来的新的增长机会。比如说在欧洲,由于政府的补贴和疫情期间公共交通的不方便,很多人都选择了电动自行车出行,刺激了国内电动自行车的出口;

四是锂电池管理芯片应用越来越多地用到MCU;

五是中美贸易战,让越来越多的国内系统厂商更加倾向于使用国内的芯片产品。

在刘涛看来,前面提到的需求是一方面,二是国内MCU企业已经具备了32位MCU的开发能力,不仅能够开发M0、M3、M4的开发能力,也具备了M7、A7,以及A9等高端MCU的开发能力;三是国内的购买力比之前也提升了,他举例说,现在的人们就连购买风扇也会首先考虑购买直流变频风扇了,而直流变频风扇就需要MCU的支持。

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结语

从MCU行业的这些事件中可以看出,目前来看MCU前景一片大好,希望所有国内的MCU企业好好琢磨,做好MCU、把中国的芯片技术做到世界领先水平。

本文由电子发烧友网原创,未经授权禁止转载。如需转载,请添加微信号elecfans999。


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所有数据的源头是模拟信号,模拟芯片是集成的模拟电路,用于处理模拟信号。 模拟信号是在时间和幅值上都连....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-19 16:23 503次 阅读
全球前十大模拟芯片公司是如何崛起的?

3D封装竞赛愈演愈烈

日前,台积电计划通过在日本建立一家研究机构来开发3D SoIC封装材料,从而与多家公司建立协同效应。....
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3D封装竞赛愈演愈烈

盘点ISSCC 2021上的新技术

IEEE国际固态电路大会(ISSCC)是模拟和数字最新芯片开发电路的全球展示。每年的这个时候每年举行....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-19 15:12 333次 阅读
盘点ISSCC 2021上的新技术

美国德州大雪致三星/恩智浦/英飞凌生产线全面停摆

据台媒报道,美国德州大雪造成当地电网遭寒流冻损,超过五成的常备发电量被低温冻结而瘫痪,位于达拉斯(D....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-19 14:47 1767次 阅读
美国德州大雪致三星/恩智浦/英飞凌生产线全面停摆

DSP和MCU的区别和联系详解

一、区别 两则的分流造成的主要原因是数字信号处理的简便性,考虑一个数字信号处理的实例,比如有限冲击响....
的头像 MCU开发加油站 发表于 02-19 14:37 264次 阅读
DSP和MCU的区别和联系详解

汽车电子MCU中使用的可行性设计方法

随着集成电路集成度的提高,越来越多的元件集成到芯片上,电路功能变得复杂,工作电压也在降低。当一个或多....
的头像 MCU开发加油站 发表于 02-19 14:32 164次 阅读
汽车电子MCU中使用的可行性设计方法

新唐科技推出全新集成低功耗、电容式触控按键与LCD驱动器

新唐科技推出全新 NuMicro ML56 系列,集成低功耗、电容式触控按键与 LCD 驱动器,采用....
的头像 MCU开发加油站 发表于 02-19 14:29 239次 阅读
新唐科技推出全新集成低功耗、电容式触控按键与LCD驱动器

77GHz毫米波芯片发布,刷新封装天线最远探测记录

从中国电科38所获悉,在2月17日召开的第68届国际固态电路会议(ISSCC 2021)上,该所发布....
发表于 02-19 14:28 836次 阅读
77GHz毫米波芯片发布,刷新封装天线最远探测记录

HOLTEK新推出移动电源Flash单片机

HOLTEK新推出BP45F4NB、BP45FH4NB移动电源MCUHoltek新推出移动电源Fla....
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HOLTEK新推出移动电源Flash单片机

2020年全球MCU销售萎缩幅度将达8%,降至149亿美元

这种增长,背后原因除了芯片的市场需求变化外,还有美国对华为、中芯国际等科技企业的制裁等因素。
的头像 牵手一起梦 发表于 02-19 14:12 393次 阅读
2020年全球MCU销售萎缩幅度将达8%,降至149亿美元

关于博世碳化硅功率器件的几个常识

博世于2019年10月在德国正式宣布其开始碳化硅相关业务。功率碳化硅半导体生产基地位于德国罗伊特林根....
的头像 博世汽车电子事业部 发表于 02-19 11:55 383次 阅读
关于博世碳化硅功率器件的几个常识

如何保证MCU低功耗?

保证MCU低功耗 这五点很重要
发表于 02-19 07:50 0次 阅读
如何保证MCU低功耗?

从架构到RTOS,详解DSP和MCU的区别和联系

DSP处理器几乎都不具备数据的高速缓存。这是因为DSP的典型数据是数据流。也就是说,DSP处理器对每....
发表于 02-19 07:22 109次 阅读
从架构到RTOS,详解DSP和MCU的区别和联系

基于Cortex-M0+内核的MCU选型分析

穿戴式医疗设备的简介 典型低功耗MCU系列的比较 基于Cortex-M0+内核的MCU选型分析 穿戴式医疗设备的MCU选型案例 ...
发表于 02-19 07:07 0次 阅读
基于Cortex-M0+内核的MCU选型分析

基于8051的新型EFM8 MCU的应用

基于8051内核的EFM8 Busy Bee 2亮点及应用领域 基于8051的新型EFM8 MCU的应用 ...
发表于 02-19 06:09 0次 阅读
基于8051的新型EFM8 MCU的应用

i.MX RT跨界处理器

应用处理器与MCU “跨界”处理器—从性能差距到新解决方案领域 降低成本—去除片内闪存 集高性能、低延迟、高能效和安全性...
发表于 02-19 06:06 0次 阅读
i.MX RT跨界处理器

缺芯导致车厂减产,二季度有望缓解

2021年第一季度,汽车圈依旧“芯事”重重,在全球产能紧张的情况下,车用芯片短缺的问题愈演愈烈。福特....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-18 09:38 408次 阅读
缺芯导致车厂减产,二季度有望缓解

STC12C5Axx AD系列MCU的AD转换功能的程序免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是STC12C5Axx AD系列MCU的AD转换功能的程序免费下载。
发表于 02-05 14:05 27次 阅读
STC12C5Axx AD系列MCU的AD转换功能的程序免费下载

STC12C5Axx AD系列MCU的AD转换功能的程序免费下载

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发表于 02-05 14:05 30次 阅读
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2021年台湾半导体产业荣景延续

2021年台湾半导体产业荣景延续,目前除了晶圆代工大厂产能早已被预订一空外,后段封装、测试产能也持续....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-05 10:52 735次 阅读
2021年台湾半导体产业荣景延续

史上最全的PCB封装命名规范

了解管脚焊盘,器件封装的命名规范
发表于 02-05 09:29 1447次 阅读
史上最全的PCB封装命名规范

T1050-8G-TR STMicroelectronics 标准和Snubberless™三端双向可控硅

oelectronics标准和Snubberless™三端双向可控硅可采用通孔或表面贴装封装,适用于通用电源交流开关。它们可以用作静态继电器、加热调节或感应电机启动电路等应用的开/关功能。由于Snubberless版本具有高换向性能,特别推荐用于感性负载。 特性 中等电流三端双向可控硅 夹子结合,热阻低 用于绝缘BTA的低热阻绝缘陶瓷 BTA系列UL1557认证(文件参考号:81734) 高换向 (4Q) 或非常高换向 (3Q, Snubberless™) 能力 封装符合RoHS (2002/95/EC) 指令 ...
发表于 11-20 09:07 34次 阅读
T1050-8G-TR STMicroelectronics 标准和Snubberless™三端双向可控硅

LED1642GWXTTR STMicroelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器

oelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器是低电压40mA、16通道驱动器,设计用于LED面板显示屏。LED1642GW确保20V的输出驱动能力,用户可以以串联方式连接若干个LED。在输出级,16个稳压电流源提供从3mA到40mA的恒定电流,来驱动LED。电流通过外部电阻器进行设定,并可以由一个7位电流增益寄存器在两个子范围进行调整。各通道亮度可通过12/16位灰阶控制分开进行调整。电源电压范围从3V到5.5V。 特性 16个恒定电流输出通道 输出电流:从3mA到40mA 电流可编程通过外部电阻 两个范围内的7位全局电流增益调整 12/16位PWM灰度亮度控制 可编程输出开启/关闭时间 错误检测模式(打开和短路-LED) 可编程短路LED检测阈值 自动节电/自动唤醒 可选择的SDO同步在CLK下降边缘 拉杜尔输出延迟(可选) 供电电压:3V至5.5V 热停机和超温报警 30MHz 4线接口 20V电流发生器分级电压 ...
发表于 11-13 09:07 48次 阅读
LED1642GWXTTR STMicroelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器

STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

relectronics STLUX385A 数字 LED 照明驱动器是 ST MASTERLUX™ 数字器件系列产品,专门用于照明和电源转换。STLUX385A 成功集成了多种架构和应用,从用于 LED 驱动的简单降压转换器、用于功率因数校正的升压转换器、用于可调光 LED 灯串的半桥谐振转换器,一直到 HID 灯镇流器中的全桥控制、无线电源充电器及电视电源等各种应用。 SMED SMED是由内部或外部事件触发的硬件状态机。 例如,在电源应用中,SMED可以关闭调节回路,当它检测到过流或短路时自动关闭电路,从而保护电路。 由于SMED是嵌入的,它们保证了比标准中断驱动微处理器提供的事件反应时间短。 特性 6SMED控制的PWM提供任何功率转换阶段(状态机事件驱动)的完全控制) 集成DALI(数字可寻址照明接口),实现控制、通信和监控功能 集成数字核心,使STLUX易于使用和可编程 新的...
发表于 11-11 09:07 36次 阅读
STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

oelectronics无刷电机驱动器是采用三相桥式配置的功率驱动器。其中包括用于霍尔效应传感器、PWM电流控制器和微控制器、DSP或FPGA的内置解码逻辑。这些器件包括针对过热、过流和欠压条件的保护和诊断特性。这样即可实现稳健可靠的设计。这些驱动器采用多种节省空间的散热增强型封装。STSPIN 3相BLDC电机驱动器IC为电机和运动控制提供了即用型解决方案。 视频 长使用寿命承诺 查看 特色产品 ...
发表于 11-10 09:07 48次 阅读
STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 71次 阅读
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
发表于 11-05 17:07 24次 阅读
ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
发表于 11-05 17:07 40次 阅读
LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
发表于 10-30 14:06 40次 阅读
VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
发表于 10-30 14:06 44次 阅读
PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 40次 阅读
LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 24次 阅读
LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
发表于 10-30 11:06 30次 阅读
LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
发表于 10-30 10:06 54次 阅读
STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 18次 阅读
STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 34次 阅读
LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 41次 阅读
L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 10次 阅读
L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器