侵权投诉

半导体行业步入以5G为主线的新一轮创新周期

2020-12-11 14:24 次阅读

今年以来,居家经济火爆,5G手机、汽车、物联网等渗透率快速提升,驱动半导体需求增长。尤其是近期,以8寸晶圆制造的产能紧缺为发端,半导体产业链缺货、涨价行情逐步蔓延。机构认为,电子行业已步入以5G为主线的新一轮创新周期,展望2021年,苹果开启5G超级周期,产业链向国内转移,设计、制造、封测、设备等产业链各环节国产替代加速,消费电子龙头有望崛起,半导体行业景气度将迎来复苏。

2020年三季度机构重仓持股申万电子二级分类行业配置比例资料来源:Wind、华西证券研究所

半导体涨价行情仍在持续。东吴证券表示,近期,以8寸晶圆制造的产能紧缺为发端,半导体产业链缺货、涨价行情逐步蔓延,消费电子、汽车电子等终端应用市场的需求有望持续提升,从而有助于加速本土厂商导入相关半导体供应链。

全球半导体景气度正在体现。根据SEMI最新发布全球半导体设备市场报告,2020年第三季度全球半导体制造设备销售金额为194亿美元,同比增长30%;其中,中国大陆地区半导体设备销售额为34.4亿美元,同比增长63%,位居全球第一。中国半导体行业协会发布的数据显示,2020年前三季度中国大陆集成电路产业销售额达到5905.8亿元,同比增长16.9%。

从业绩来看,据中银证券统计,今年三季度A股半导体设备、材料、设计与封测板块主要公司业绩高增长。其中设备板块营收累计同比增长36.2%,单季度同比增长41.3%;材料板块营收累计同比增长25.2%,单季度同比增长29.2%;设计与封测板块营收累计同比增长60.4%,单季度同比增长41.2%。

中信建投指出,电子行业已经步入以5G为主线的新一轮创新周期,展望2021年,苹果开启5G超级周期,产业链向国内转移,消费电子龙头崛起大势所趋。半导体行业景气度将迎来复苏,设计、制造、封测、设备等产业链各环节国产替代加速,本土公司潜力巨大。华西证券认为,国内半导体行业在大环境的驱动下,未来3至5年将迎来较好的发展机遇。

国海证券认为,重大技术变革是推动行业持续增长的内在动力,受益于5G、AI、云计算、汽车电子、物联网等新兴应用的崛起,半导体行业正进入上行周期,全面国产替代将是大势所趋,国产替代空间巨大,加上政策资金的全面支持,看好国产半导体产业的发展前景。2021第一季度半导体行业将迎来拐点,半导体板块表现将加大分化趋势,产业趋势、竞争格局以及技术壁垒是核心影响要素。

天风证券认为,半导体行业迎来行业景气度向上。下游需求全面向好,5G、车用半导体、物联网和摄像头带来新增长点,存储周期有望迎来拐点。5G应用或将快速发展,预计今年5G智能手机单机价值量提升,其中射频前端成长比例最高,有关器件的成本和数量都会得到提升;在基站端,基站数量和单个基站成本将会双双上涨,从而带来市场空间的增长。此外,汽车电子化对半导体的使用才刚开始,且该趋势在中国更明显,受益领域主要集中在传感器、控制、处理器等方面。
责任编辑:YYX

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

TVS器件的特性及选型注意事项

TVS器件是专门用来保护敏感电子元件免受高压瞬变的电子元件。它是由专门设计的p-n半导体结构成的,用....
发表于 04-20 11:35 8次 阅读
TVS器件的特性及选型注意事项

韦尔股份披露年报,公司2020年营业收入198.24亿元

最近几年,韦尔股份频频展开对外并购。2019年8月,韦尔股份完成了收购北京豪威科技及思比科的重大资产....
的头像 MEMS 发表于 04-20 10:44 25次 阅读
韦尔股份披露年报,公司2020年营业收入198.24亿元

一文全面透析5G毫米波紧缩场

一、研究目的与意义 5G相关技术在近年来成为了各国研究人员的一大关注重点。而5G新引入的毫米波段,对....
的头像 微波射频网 发表于 04-20 10:33 36次 阅读
一文全面透析5G毫米波紧缩场

【芯闻精选】联发科5G芯片制程超越高通,已拿下OPPO、vivo、小米订单;曝宁德时代正为苹果提供三元锂电池样

产业新闻   华为高精度地图拟年内商用,正在一线城市采集数据   4月19日消息 据报道,华为在20....
发表于 04-20 09:00 321次 阅读
【芯闻精选】联发科5G芯片制程超越高通,已拿下OPPO、vivo、小米订单;曝宁德时代正为苹果提供三元锂电池样

大事件:华为要卖车了 中国建成全球规模最大的5G移动网络

华为要卖车了 大事件啊!华为要卖车了;这是真的,华为终端官方微博已经放出来了图片,赛力斯华为智选SF....
的头像 inr999 发表于 04-19 19:01 812次 阅读
大事件:华为要卖车了 中国建成全球规模最大的5G移动网络

如何更好的帮助芯片企业创新突破实现技术迭代

进入2021年,全球芯片市场需求爆发,芯片缺货问题持续发酵,半导体巨头一度掀起千亿级芯片扩产大战。在....
的头像 电子观察说 发表于 04-19 17:34 234次 阅读
如何更好的帮助芯片企业创新突破实现技术迭代

工业互联网平台的技术趋势与落地关键

3月4日,中共中央政治局常务委员会召开会议,明确提出“加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度”....
的头像 工业4俱乐部 发表于 04-19 17:27 634次 阅读
工业互联网平台的技术趋势与落地关键

半导体激光器输出特性的影响因素

半导体激光器输出特性的影响因素分析。
发表于 04-19 15:34 8次 阅读
半导体激光器输出特性的影响因素

中国大陆对半导体制造设备的购买量激增

全球芯片短缺也为中国提高产量的动力提供了有利条件。家用电子产品和汽车中使用的芯片制造通常外包给中国,....
的头像 传感器技术 发表于 04-19 15:11 229次 阅读
中国大陆对半导体制造设备的购买量激增

华为存储成绩令人刮目相看,国内三大科技巨头联手共同研发5G芯片

近几年,华为的手机业务在麒麟芯片的加持下,发展得如日中天,一度超过苹果直击三星。若不是芯片禁令,可能....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-19 15:01 374次 阅读
华为存储成绩令人刮目相看,国内三大科技巨头联手共同研发5G芯片

工业互联网如何解决这些“卡脖子”问题?

“卡脖子”,这个词语,在今年两会上,被不断提及。 在今年的政府工作报告中,也开出了许多“良药”。 工....
的头像 工业IoT 发表于 04-19 14:54 94次 阅读
工业互联网如何解决这些“卡脖子”问题?

一周研报:看好半导体的短中长期大逻辑

受益标的包括中芯国际、华虹半导体、北方华创、华峰测控、中微公司、封测及基板公司等;2)受益5G、AI....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-19 14:49 180次 阅读
一周研报:看好半导体的短中长期大逻辑

2020年全球半导体市场收入总额为4662亿美元,较2019年增长10.4%

总体而言,英伟达和联发科的收入增长比例最高,分别为45.2%和38.1%。英伟达的增长主要受游戏相关....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-19 14:45 201次 阅读
2020年全球半导体市场收入总额为4662亿美元,较2019年增长10.4%

三星新工厂项目可能面临来自美国的压力

根据此前消息,除得州晶圆厂外,三星正计划在美国建造另一座价值约170亿美元的芯片工厂。在此之前,台积....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-19 14:37 177次 阅读
三星新工厂项目可能面临来自美国的压力

国内5G NB-IoT产业进行的全面梳理

经过过去几年的发展,5G NB-IoT 产业在国内的已经领先于国际 2-3 年,头部行业应用已经进入....
的头像 物联网技术 发表于 04-19 14:36 189次 阅读
国内5G NB-IoT产业进行的全面梳理

海思埋头自研IP,沉淀技术

由于美国的制裁,台积电等晶圆代工厂自2020年9月15日后便不能为华为生产芯片,不论5nm,7nm ....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-19 14:23 225次 阅读
海思埋头自研IP,沉淀技术

台积电魏哲家:整体半导体需求依旧强劲,产能短缺将至2022年

台积电财务长黄仁昭表示,由于 5G、高效运算等应用趋势推升,为应对未来需求成长,决定调高今年资本支出....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-19 14:15 139次 阅读
台积电魏哲家:整体半导体需求依旧强劲,产能短缺将至2022年

全球性危机时代下的供应链重构:企业注重数据洞察以降低自身风险

近80%的受访企业指出,他们已加速落实供应链数字化转型的策略,而50%的受访企业将在未来两年内全面改....
的头像 西西 发表于 04-19 11:58 217次 阅读
全球性危机时代下的供应链重构:企业注重数据洞察以降低自身风险

关于华为创新不止,共赢5G未来主题演讲详解

在2021华为全球分析师大会上,华为无线产品线副总裁甘斌就“创新不止,共赢5G未来” 进行主题发言。....
的头像 华为无线网络 发表于 04-19 11:46 286次 阅读
关于华为创新不止,共赢5G未来主题演讲详解

平湖重点打造了平湖经济技术开发区重点发展数字经济产业

随着5G、人工智能、云计算等新一代信息技术的逐渐成熟,传统产业和新一代信息技术正逐渐呈现双向融合的趋....
的头像 高工机器人 发表于 04-19 10:56 292次 阅读
平湖重点打造了平湖经济技术开发区重点发展数字经济产业

长电科技郑力:车载芯片成品制造的挑战与机遇

在上个月结束的 SEMICON China 展会上,长电科技 CEO 郑力先生以《车载芯片成品制造的....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-19 10:29 297次 阅读
长电科技郑力:车载芯片成品制造的挑战与机遇

环旭电子采用模块化设计推出SOM7225 5G模块 抢攻物联网装置市场

随着全球进入5G时代,各手机领导品牌竞相推出5G智能型手机,代表着物联网已经不是未来,而是现在。
发表于 04-19 09:49 213次 阅读
环旭电子采用模块化设计推出SOM7225 5G模块 抢攻物联网装置市场

基于PowerWise芯片组实现便携式超声波系统的设计

目前医院常提供的B超和彩超都是超声诊断系统,一般都是台式设备,外型庞大。要想设计出便携式超声诊断系统....
的头像 电子设计 发表于 04-18 11:20 635次 阅读
基于PowerWise芯片组实现便携式超声波系统的设计

美国白宫半导体峰会!

“我一直在强调,中国和世界没有在等,美国也没有理由要等,”拜登在对媒体公开的环节时催促道,“美国现在....
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-18 10:01 224次 阅读
美国白宫半导体峰会!

“35岁以下科技创新35人”中国区榜单即将迎来第五届

“科学研究的进展及其日益扩充的领域将唤起我们的希望。”这句话似乎格外适合刚刚过去的一年。 面对疫情之....
的头像 DeepTech深科技 发表于 04-18 09:28 715次 阅读
“35岁以下科技创新35人”中国区榜单即将迎来第五届

2020年半导体制造设备的全球销售额比上年增长19%

SEMI数据显示,2020年中国大陆市场的半导体设备销售额较上年增长39%,至187.2亿美元,排名....
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-18 09:27 160次 阅读
2020年半导体制造设备的全球销售额比上年增长19%

罗马尼亚将禁止中国和华为公司参与该国5G网络的部署!

罗马尼亚国会议员、IT&C和国家安全委员会成员Pavel Popescu表示:“政府刚刚批准了这项对....
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-18 09:21 2584次 阅读
罗马尼亚将禁止中国和华为公司参与该国5G网络的部署!

科技强大的美国还是输给了中国的5G技术

美国5G现状 1、美国各大运营商并没有发布准确的5G基站数,根据各方信息判断,美国现有5G基站数应该....
的头像 Les 发表于 04-17 11:05 518次 阅读
科技强大的美国还是输给了中国的5G技术

浅谈ALD在半导体先进制程的应用

说明:若有考虑不周,欢迎留言指正。 原子层沉积在半导体先进制程的应用 随着集成电路工艺技术的不断提高....
的头像 求是缘半导体 发表于 04-17 09:43 238次 阅读
浅谈ALD在半导体先进制程的应用

缺货助攻来的替补机会,国产元器件一定要珍惜

电子发烧友报道(文/黄山明)今年的半导体市场,呈现大范围产能紧缺、涨价缺货的状态,并且已经波及到了整....
的头像 Simon观察 发表于 04-17 09:00 2341次 阅读
缺货助攻来的替补机会,国产元器件一定要珍惜

电源技术发展潜在的三大挑战

“未来ADI将专注于工业、通信和汽车三大领域80%的电源市场。”ADI电源产品中国区市场总监梁再信(....
的头像 Les 发表于 04-16 15:54 215次 阅读
电源技术发展潜在的三大挑战

未来储存器在中国会有怎么样的发展?

在这个以数据信息为管理中心的时代,半导体存储器已变成一个重要发展战略销售市场,它受到包含移动化、云计....
的头像 Les 发表于 04-16 15:21 254次 阅读
未来储存器在中国会有怎么样的发展?

详谈如何防止5G产生新的数字类鸿沟

毫无疑问,更普及的5G技术正在成为现实。Gartner、CCSInsight和Counterpoin....
的头像 beanxyy 发表于 04-16 15:08 132次 阅读
详谈如何防止5G产生新的数字类鸿沟

意法半导体携行业领先解决方案亮相慕尼黑电子展

electronica China慕尼黑上海电子展是电子行业展览,也是行业内重要的盛事。这些年,展会....
的头像 意法半导体IPG 发表于 04-16 14:50 187次 阅读
意法半导体携行业领先解决方案亮相慕尼黑电子展

广和通4G/5G模组赋能智能电网

第42届中国电工仪器仪表产业发展技术研讨会暨展会在武汉光谷希尔顿酒店隆重召开,本届大会吸引了来自电网....
发表于 04-16 14:35 46次 阅读
广和通4G/5G模组赋能智能电网

高通完成基于5G独立组网模式下的双连接数据呼叫

高通技术公司今日宣布成功完成基于5G独立组网(SA)模式下Sub-6GHz FDD/TDD频段和毫米....
的头像 Qualcomm中国 发表于 04-16 14:31 205次 阅读
高通完成基于5G独立组网模式下的双连接数据呼叫

拜登宣称“中国欲主导半导体供应链,美国不能坐视”

美国的半导体产业曾享有先发优势。在生产端逐渐转移至亚洲、本土专注研发后,如今供应端被“扼住喉咙”。拜....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-16 14:03 321次 阅读
拜登宣称“中国欲主导半导体供应链,美国不能坐视”

美国邀请19家企业讨论全球半导体芯片短缺问题

会议消息一出,除欧美媒体报道以外,亚洲地区的一些媒体也关注到了此事。韩联社就在报道中提到,三星电子将....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-16 14:00 371次 阅读
美国邀请19家企业讨论全球半导体芯片短缺问题

浅谈5G毫米波技术及基站解决方案

自 2015 年开始,网络逐渐从 4G 网络往 5G 网络过渡,当中最明显的一个变化就是网络频率的增....
的头像 Qorvo半导体 发表于 04-16 13:46 385次 阅读
浅谈5G毫米波技术及基站解决方案

压电MEMS传感器全球领导者Vesper近日宣布完成了新一轮800万美元融资

“Applied Ventures很高兴能领投这一轮投资,将Vesper纳入我们从材料到系统的投资组....
的头像 MEMS 发表于 04-16 11:50 315次 阅读
压电MEMS传感器全球领导者Vesper近日宣布完成了新一轮800万美元融资

Mavenir和赛灵思展开协作,加速Open RAN生态系统发展

Mavenir 和赛灵思展开协作,以领先的 Open RAN 大规模 MIMO 产品组合加速 Ope....
的头像 FPGA开发圈 发表于 04-16 11:43 193次 阅读
Mavenir和赛灵思展开协作,加速Open RAN生态系统发展

基于EWT和卷积神经网络的5G配电网故障诊断方法

配电网拓扑结构复杂、分支众多、潮流分布不平衡,且存在通信网络覆盖不完善问题,给精确故障诊断带来很大难....
发表于 04-16 11:42 11次 阅读
基于EWT和卷积神经网络的5G配电网故障诊断方法

浅谈华为提出迈向智能世界2030的九大技术挑战与研究方向

在2021华为全球分析师大会上,华为董事、战略研究院院长徐文伟发布了迈向智能世界2030的九大技术挑....
的头像 华为 发表于 04-16 11:30 404次 阅读
浅谈华为提出迈向智能世界2030的九大技术挑战与研究方向

创通联达采用设备虚拟化技术和5G通讯技术的“小达云展厅”

第九届中国电子信息博览会(CITE 2021)在深圳圆满落幕。展会期间,数千家来自电子信息技术产业的....
的头像 Thundersoft中科创达 发表于 04-16 11:17 242次 阅读
创通联达采用设备虚拟化技术和5G通讯技术的“小达云展厅”

开启全新征程,中国铸就全球电子产业坚固底座

凛冬离去,雪融青草,春风如约而至。追随着春暖花开的脚步,慕尼黑上海电子展览会正式迎来了自己的20岁生....
的头像 e星球 发表于 04-16 10:41 277次 阅读
开启全新征程,中国铸就全球电子产业坚固底座

智慧路灯系统有哪些功能

智慧路灯在今年又迎来了一个发展风口,5G建设、车路协同、新基建等都为智慧路灯行业的发展给到了相当的推....
发表于 04-16 10:09 56次 阅读
智慧路灯系统有哪些功能

研究人员提出利用5G移动网络容量过剩的新方法

佐治亚理工学院的研究人员提出了一种利用5G移动网络容量过剩的新方法。新技术将5G网络变成了一个无线电....
的头像 微波射频网 发表于 04-16 09:26 169次 阅读
研究人员提出利用5G移动网络容量过剩的新方法

5G移动市场风云变化 美光尖端存储芯片发力四大应用市场

2021年全球移动存储在5G市场前景如何?不同价位的5G手机对存储容量和响应速度有何需求?主流配置变....
的头像 章鹰 发表于 04-15 22:46 3222次 阅读
5G移动市场风云变化 美光尖端存储芯片发力四大应用市场

华为将于4月18日举行HI新品发布会 高通实现双连接5G数据呼叫

华为将于4月18日举行HI新品发布会 在之前搭载了华为 Hi 认证的北汽极狐已经宣布了会在 4 月 ....
的头像 璟琰乀 发表于 04-15 18:09 1344次 阅读
华为将于4月18日举行HI新品发布会 高通实现双连接5G数据呼叫

请问如何使用数字温度传感器对测色系统进行适当的电压补偿?

本文通过研究硅光电池的光电转换特性随温度变化的规律,设计了使用数字温度传感器DSl8820的一种V—T曲线控制补偿方法,对测色...
发表于 04-13 07:03 0次 阅读
请问如何使用数字温度传感器对测色系统进行适当的电压补偿?

TWLA500在ADC及相关领域有哪些应用?

请问TWLA500在ADC及相关领域有哪些应用?
发表于 04-13 06:51 0次 阅读
TWLA500在ADC及相关领域有哪些应用?

分享IEDM的最初体验

和大家分享一下IEDM的最初体验以及IEDM的最新研究成果...
发表于 04-13 06:50 0次 阅读
分享IEDM的最初体验

半导体C-V测量基础知识,总结的太棒了

关于半导体C-V测量的基础知识,你想知道的都在这...
发表于 04-12 06:27 0次 阅读
半导体C-V测量基础知识,总结的太棒了

高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些?

比特误码率BER与转换误码率CER有什么不同? 高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些? 如何测试内部ADC内核的CE...
发表于 04-09 06:31 0次 阅读
高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些?

非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,阈值开关的机理有哪几种模型?

非晶态半导体的阈值开关机理介绍 阈值开关的机理有哪几种模型? ...
发表于 04-08 06:32 0次 阅读
非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,阈值开关的机理有哪几种模型?

放大器的类型有哪些?其区别是什么?

随着半导体器件的出现和发展,放大器的设计得到了更多的自由。就放大器的类别而言,已不限于A类(甲类)和AB类(甲乙类),而...
发表于 04-07 06:42 0次 阅读
放大器的类型有哪些?其区别是什么?

半导体气敏器件介绍

半导体气敏器件相关资料分享
发表于 04-01 06:01 0次 阅读
半导体气敏器件介绍

半导体热敏电阻的工作原理/型号/主要参数

半导体热敏电阻的工作原理资料下载内容主要介绍了: 半导体热敏电阻的工作原理 热敏电阻的型号 热敏电阻器的主要参数 ...
发表于 03-24 07:15 101次 阅读
半导体热敏电阻的工作原理/型号/主要参数

常见电源管理IC芯片有哪些

常见电源管理IC芯片有哪些
发表于 03-11 06:03 101次 阅读
常见电源管理IC芯片有哪些

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1694次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 377次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 305次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 418次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 738次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 358次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 507次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 821次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1818次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 1595次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 211次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 393次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 372次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 430次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 691次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 716次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 759次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 393次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 347次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 432次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器