美光DRAM技术路线解读

最近，美光已将其DRAM路线图从三个单元缩减阶段更新为四个阶段，从而使每个芯片具有更大的DRAM容量并降低了每GB的成本。根据规划，这家美国芯片制造商打算通过以下步骤逐步缩小单元或工艺节点的尺寸，从不再主流的20nm节点工艺尺寸到10nm（19nm-10nm范围）节点工艺：

1Xnm –（c19-17nm）较早的DRAM技术处理节点大小

1Ynm –（c16-14nm）当今主流的DRAM位生产技术

1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度，15%的美国DRAM位生产是在这个工艺完成

1αnm工艺节点– 1 alpha – 2021年上半年的量产

1βnm工艺节点– 1 beta –处于早期开发中

1纳米工艺节点– 1gamma–早期工艺集成

1δnm工艺节点– 1delta–探索中，可能需要EUV技术

1 delta节点的大小是Micron DRAM路线图中的一个新条目。我们没有低于1Znm的指示性工艺节点尺寸。

美光表示，随着从1Xnm到1Yn和1Znm的转变，位密度的增长速度减慢了。但是，该公司加快了增长率，从1Znm到1αnm工艺节点尺寸增加了40％。

富国银行分析师Aaron Rakers表示，美光在1Znm DRAM生产中拥有强大的地位。他引用研究公司DRAMeXchange的数据，估计美光在2020年第三季度的1Znm产量占其DRAM位产量的15％，而三星和SK hynix分别为6％和0。

在其他条件相同的情况下，1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm节点。

关于EUV的看法

美光采用深紫外线（DUV）多图案光刻技术在晶圆上布置DRAM单元芯片细节。随着工艺节点尺寸缩小到10nm单元尺寸水平以下，光束的波长成为一个约束。

ASML是芯片行业光刻机的主要供应商，已开发出发出较小波长光的EUV（极端紫外线）光刻机。这项技术可在晶圆上刻蚀较窄的线条，因此可实现更小的工艺尺寸，即晶圆上的DRAM裸片数量更多，因此每个晶圆的容量更高，每GB的成本更低。但是资本支出是巨大的。目前ASML每年仅生产30台EUV光刻机，它们重180吨，每台成本1.2亿美元。

三星在1Znm工艺节点中就使用EUV，SK hynix计划使用EUV技术批量生产1αnmDRAM和1βnmDRAM。美光认为EUV直到2023年或更晚才具有成本竞争力，这意味着他们将在1δnm工艺节点引入EUV。
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