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收购Siltronic后,环球晶全球市占将登上第二宝座

2020-12-02 14:58 次阅读

随着台积电等晶圆代工厂持续扩建新厂,制程向3纳米及2纳米世代微缩,DRAM制造技术采用极紫外光(EUV)制程,NANDFlash的3D堆叠将倍增至200层以上,硅片已成为重要关键材料。早在2019年9月,韩国唯一的半导体硅片生产商,也是全球五大硅片生产商之一的SKSiltron签署了一项协议,以4.5亿美元的价格收购杜邦(DuPont)的碳化硅部门,以增强在先进材料领域的地位。2020年2月29日完成,SKSiltron已完成对杜邦碳化硅晶圆事业部的收购。此举也被视为韩国针对材料技术的自立化政策的一环。

无独有偶,近日,据彭博社报道,中国台湾环球晶(GlobalWafers)拟以37.5亿欧元(约合45亿美元)收购德国硅晶圆大厂SiltronicAG,SiltronicAG是全球半导体市场的领导者之一,并被公认为是高度专业化硅晶片设计和生产的技术领导者。这项交易将是环球晶的最大交易,此次合并Siltronic之后环球晶将能手握更大的硅片产能及更先进技术,掌握数位转型大趋势带来的庞大商机。

种种迹象都表明,硅片市场龙头强者恒强,集中度更高的局面越来越显现,硅片垄断的现象恐加剧,国产硅片亟需突围。

硅片是半导体行业的“粮食”

全球半导体芯片和器件中90%以上都是以半导体硅片为材料制造的。因此,半导体硅片是半导体行业的“粮食”,虽然全球市场总规模不大,但是至关重要。

收购Siltronic后,环球晶全球市占将登上第二宝座

根据尺寸分类,半导体硅片的尺寸(以直径计算)主要有50mm(2英寸)、75mm(3英寸)、100mm(4英寸)、150mm(6英寸)、200mm(8英寸)与300mm(12英寸)等规格。根据制造工艺分类,半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。

芯片越小越好,但半导体硅片越大越好。半导体硅片的直径越大,在单片硅片上可制造的芯片数量就越多,单位芯片的成本随之降低。在摩尔定律的影响下,半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。硅片的尺寸越大,相对而言硅片边缘的损失会越小,有利于进一步降低芯片的成本。例如,在同样的工艺条件下,300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上,可使用率(衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标)是200mm硅片的2.5倍左右。

目前,全球市场主流的产品是300mm(12英寸)和200mm(8英寸)直径的半导体硅片,12英寸硅片为主流方向,使用比例超过70%。。按终端应用领域来看,300mm主要应用在智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD(固态存储硬盘)等较为高端领域,目前出货面积占比60%以上。200mm硅片主要应用在移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等领域,目前出货面积20%以上。

收购Siltronic后,环球晶市占将登上第二宝座

根据全球各硅片厂第一季美元营收,环球晶及Siltronic合并后,全球市占率将达30%,超越第二大厂日本胜高(SUMCO)的25%,逼近第一大厂日本信越(Shin-Etsu)的33%。也就是说,环球晶顺利完成收购案,全球市占将坐二望一。

环球晶前三季合并营收412.22亿元,归属母公司税后净利96.66亿元,每股净利22.21元。环球晶若顺利合并Siltronic,每季营收规模将可增加逾3亿欧元(约新台币102亿元),获得0.8~1亿欧元EBITDA挹注,以及逾0.6亿欧元的营运现金流量。

Siltronic总部位于慕尼黑,公司定位为直径最大300毫米的硅晶片的全球领先制造商之一,是智能手机,计算机,导航和数字显示器等产品中使用的硅晶片的领先制造商。SiltronicAG成立于2004年,而其业务起源可追溯到1953年开始从事高纯度硅的研究与开发。

细数Siltronic的历史,1953年,公司便开始了高纯硅领域的初步研究与开发;1958年,半导体生产开始;1961年,公司的高纯度硅生产设施开始工业规模生产;1962年开发出第一个硅片;1968年Wacker-Chemitronic有限公司成立;1978年在美国俄勒冈州波特兰市成立WackerSiltronicCorporation;1984年Wacker-Chemitronic的首批200mm晶圆生产出来;1990年,开始了第一个300mm晶圆研发项目;1994/1995年,Wacker-Chemitronic作为唯一股东成立了WackerSiltronic;1995年又收购了弗莱伯格公司;1995年,Wacker-Chemitronic将晶圆业务转让给WackerSiltronic;1998年Burghausen300毫米试验生产线第一期扩展阶段的初始运营;2002年,公司名称更改为WackerSiltronicAG;2004年300mm硅晶圆制造厂在Freiberg开始生产;2004年,公司更名为SiltronicAG;2006年,新加坡300mm晶圆厂开始建设;2008年,新加坡合资公司的第一批晶圆于2008年1月30日发货;2014年,公司收购SiltronicSiliconWaferPte的78%股权。

环球晶目前主要据点包括台湾、美国、日本、韩国等半导体生产重镇,欧洲布局部分,只有2016年收购丹麦Topsil取得8英寸以下硅片产能。此次合并后环球晶将可取得Siltronic位于德国Freiberg及Burghausen的12英寸硅片厂、位于新加坡12英寸及8英寸硅片厂、位于美国波特兰(Portland)的8英寸硅片厂,在同为半导体生产重镇的德国及新加坡建立据点。

这不是环球晶第一次收购,其实环球晶这些年的发展离不开一个人,她就是环球晶董事长徐秀兰。朋程董事长卢明光2007年接任中美晶董事长,挖角徐秀兰回到中美晶任职。中美晶于2008年为了取得磊晶技术并购美商GlobiTech,2011年切割环球晶独立后,徐秀兰就开始主导环球晶的并购案,包括2012年并购当时全球第六大厂日本CVS,2016年并购丹麦Topsil半导体事业群,2016年底完成对美商SunEdison的收购。

2021年硅片需求旺盛

据MoneyDJ的报道中指出,硅片的一大应用主力为晶圆代工或者是IDM厂商,逻辑IC的产品需求强劲,支撑12英寸硅片供需缺口缩小,而电源管理以及驱动IC产品,则推动8英寸硅片的需求向上,12英寸硅片的另一大出海口为存储,若明年存储市况可望随资料中心的建置而再向上,对12英寸硅片的需求则更有帮助。台积电、联电都是台系主要的硅片厂大客户,而台积电等晶圆代工大厂目前几乎是全制程订单接满,这也对上游的硅片的需求也更稳固。

硅片除了前文所述的尺寸之分,还可以按应用分为轻掺硅片以及重掺硅片,前者应用在消费性、逻辑IC的领域,今年以来轻掺市场需求都相当不错;重掺硅片主要是应用在电源以及MOSFET相关,偏车用以及工业用领域。

在重掺硅片部分,今年上半年因为疫情的原因,车厂大幅关闭,致使8英寸重掺硅片需求下降,但随着下半年车市复苏,车用硅片已有谷底反弹的迹象,虽然还未能恢复过去的水准,但已有慢慢改善,另外,工业用市场也多以使用重掺硅片较多,今年也是受到冲击较大。

至于重掺硅片应用在MOSFET领域,则主要以6英寸重掺硅片为主,包括应用在手机、电脑以及游戏机的电源管理IC,今年前三季需求都很好,6英寸以下的重掺硅片厂商主要以环球晶、合晶为主。

另外,5G的需求的爆发将各类的基础建设或应用开展,5G应用对SOI产品的需求提升(根据制造工艺分类,半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片)。以12英寸硅片来看,2019~2020年全球12英寸硅片约为供过于求的水准,今年供过于求的幅度已有缩小,明年可望供需缺口更缩小,产业更健康,报价才有机会进一步回升。

据SEMI10月公布年度半导体产业硅片出货预测报告中指出,2020年全球硅片出货量将较去年增长2.4%,2021年将延续此成长力道,并可望于2022年攀至历史新高。SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶表示:“尽管受到地缘政治紧张情势,以及全球半导体供应链移转与新冠疫情的影响,今年硅片出货量仍将稳定复苏。此外,疫情加速了全球企业IT以及服务的数位转型。我们看好未来两年持续成长。”

国内硅片发展情况

作为半导体产业的基础材料,硅晶圆被视为国家安全战略发展的关隘,发展硅晶圆产业迫不及待。与国际主要半导体硅片供应商相比,中国大陆半导体硅片企业技术较为薄弱,市场份额较小。2019年,全球前五大半导体硅片企业信越化学、SUMCO、环球晶圆、Siltronic、SKSiltron合计销售额占全球半导体硅片行业销售额比重高达92%。多数大陆企业以生产200mm及以下抛光片、外延片为主。

这几年,在国家相关政策以及产业基金的大力支持下,我国大硅片业务这几年也迎来快速发展期。国内从事硅片的企业也取得了很大的进展,主要有沪硅产业(子公司上海新昇)、中环股份、立昂微电、有研半导体、超硅半导体、合晶科技以及金瑞泓、超硅、奕斯伟等等。

2017年12月,国内首条12英寸半导体硅片生产线由杭州中芯晶圆建成。目前国内已投产的12英寸晶圆产线已超20条,宣布在建的有8条,建成后产能将超65万片/月。据中泰证券研究所的数据指出,几大硅片企业的产能情况大致如下:

中国大陆半导体硅片行业规模最大的企业沪硅产业,也被行业称为中国第一大硅晶圆厂,先后收购并控股Okmetic、上海新昇、新傲科技,参股soitec,板块布局日趋完善。2018年11月,上海新昇成为国内第一个实现300mm硅片大规模量产的企业。2019年,公司300mm半导体硅片产能从2018年的10万片/月进一步提升至15万片/月。目前累计实现销售已超过170万片。正在建设二期30万片/月产能将于2021年底达成,届时将会形成产能规模效应。

上海新傲科技能够提供100mm(4英寸)、125mm(5英寸)和150mm(6英寸)SOI晶片和SOI外延片,能批量提供8英寸SOI片。还可以提供4-6英寸的规格与要求的外延硅产品和外延加工服务,现已开始批量提供8英寸外延片。

沪硅产业打破了我国300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面,推进了我国半导体关键材料生产技术“自主可控”的进程。

杭州立昂微电创办之初即引进美国安森美公司具有国际先进水平的全套肖特基芯片工艺技术、生产设备及质量管理体系,建立了6英寸半导体生产线,成为国内先进水平的功率器件生产线。2009年开始,公司成为硅基太阳能专用肖特基芯片市场的全球主要供应商。2011年,公司完成股份制改造。2012年收购日本三洋半导体和日本旭化成MOSFET功率器件生产线。

立昂微电在其2020年第三季度财报中指出,公司的12英寸硅片项目已通过数家客户的产品验证,并实现小规模的生产和销售。目前项目正处于持续扩建过程中,计划将于2021年12月底前完成月产15万片的产能建设。

天津中环股份围绕硅材料展开,专注单晶硅的研发和生产,以单晶硅为起点和基础,定位战略新兴产业,朝着纵深化、延展化方向发展。公司正在快速推进集成电路用8-12英寸大直径硅片项目的实施,加快产品结构的战略升级和应用领域的持续拓展,已成为全球综合产品门类最全的半导体硅片供应商之一。

中环股份目前已具备3-12英寸全尺寸半导体硅片产品的量产供应能力,涵盖抛光片、外延片、退火片等多种生产加工工艺。晶体技术领域,8英寸区熔单晶的技术能力和品质水平不断提升,公司自主研发生产的区熔硅片市场份额已实现国际领先;12英寸直拉单晶取得重要技术研发进展,应用于19纳米的COPFree晶体技术已完成内部评价,并进入客户评价阶段,同时结合28纳米COPFree硅片产品的客户认证,公司已具备进入Logic、Memory等高端半导体硅片材料领域的技术实力,与此同时,公司已完成12英寸应用于CIS、PowerDevice产品的超低阻单晶的研发。

据国内知情人士透露,目前国产4-6英寸的硅片已可以满足国内需求,8英寸也已经日渐成熟,进入了大规模国产替代阶段。但12英寸才刚进入初级阶段,产品只能用在档控片中,12英寸硅片还面临EPI、位错等诸多难题待解决。

结语

当今,中美贸易战仍未落幕,加上新冠肺炎疫情再起,全球半导体市场进入新的竞局,地缘政治将影响未来全球半导体市场的多元样貌,除了中美两大系统之外,台湾、日本、韩国、欧盟等地域也会更加强自有优势。也因此,环球晶出手抢下Siltronic的另一战略上考量,就是在全球半导体生产重镇都建立起滩头堡,以应对未来地缘政治快速且剧烈的变局。SKSiltrons为防日本出口贸易收购杜邦碳化硅晶圆事业部。在硅片需求旺盛的2021年,国产大硅片还任重道远。
责任编辑:tzh

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MTO-EV033开发板有坑:直接给VM上电,再从CLK输入矩形波,开发板是没法驱动步进电机,因为还需要给芯片各使能引脚接高...
发表于 01-04 15:25 101次 阅读
【MTO-EV033开发板试用体验连载】性能好得令人发指

这几款是什么芯片,请问谁有用过,请大侠指教下

发表于 12-31 09:03 464次 阅读
这几款是什么芯片,请问谁有用过,请大侠指教下

请问如下芯片是何芯片?如何替换

西屋取暖器数显控制板上用。
发表于 12-29 17:51 428次 阅读
请问如下芯片是何芯片?如何替换

求 Kv56 芯片的相关学习资料!!!

发表于 12-29 17:41 909次 阅读
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半导体芯片行业的运作模式有哪些

半导体芯片行业的运作模式
发表于 12-29 07:46 0次 阅读
半导体芯片行业的运作模式有哪些

集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
发表于 12-28 11:21 101次 阅读
集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

晶圆级三维封装技术发展

先进封装发展背景 晶圆级三维封装技术发展 ...
发表于 12-28 07:15 0次 阅读
晶圆级三维封装技术发展

芯片制造全工艺流程解析

芯片制造全工艺流程详情
发表于 12-28 06:20 0次 阅读
芯片制造全工艺流程解析

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 75次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 129次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 227次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 109次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 85次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 160次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 107次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 129次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 153次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 120次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 114次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 259次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 221次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 152次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 122次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 110次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 290次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 122次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 247次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 613次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5