0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

安森美半导体推出了NCP1067x系列高压开关

安森美 来源:安森美半导体 作者:安森美半导体 2020-12-01 15:26 次阅读

如今,对能源效率的需求影响着自动化的所有领域。这包括各种白家电,它们是在家庭自动化概念与如今完全不同的时代构想出来的。

几十年前,当我们开始依赖这些设备时,能源的经济和环境成本没有消费者便利性那么重要,但这种不平衡最近发生了改变,如今人们正在努力加以解决。

尽管制造商尽了最大努力,但许多白家电仍旧常常需要大量能源才能实现自身功能,包括加热水或空气(电烧水壶、烤箱、淋浴器、洗衣机)、冷却空气或其他流体(冰箱)、对流加热(烤面包机和烤箱)或一般运动(洗衣机/烘干机和吸尘器的电动机)。在消费环境下,这些设备的能耗都差不多以kW计算,是业主最大的电力成本来源。

除此之外,越来越多的消费类设备采用越来越复杂的控制功能或用户界面。这些辅助功能本质上都是低功率应用,如传感器、显示屏和触控面板。

从实质上讲,使用旨在提供高电流的电源来为这些辅助功能供电会使效率变得很低,尤其是当这些功能需要在未使用主要功率密集型功能的情况下工作时。

这就提高了对辅助离线电源装置的需求,这种装置可以通过交流电源提供功率相对较低、不到40W(典型值)的直流电源。

这样做的主要目标就是在待机期间也可以尽可能高效地提供电源。为实现这一目标,需要以最具成本、空间和能效优势的方式实现电源功能。

产品设计工程师还需要考虑白家电的安全要求。就电源而言,这通常要求采用隔离式解决方案,但在某些情况下,相关规范要求的电气隔离水平可通过物理设计来实现。

正因如此,市场对面向低功耗辅助离线电源应用空间的低功耗SMPS解决方案(隔离式和非隔离式)的需求不断增长。

完全集成的解决方案

随着半导体制造工艺向更高集成度和更稳健方向发展,这一总趋势使得器件制造商能够开发出单芯片解决方案来实现离线功率转换。

通过将开关型MOSFET控制电路集成至单个器件中,现在可以更加轻松地设计具有更高功率密度的开关型电源,从而提供出色的辅助电源,这类辅助电源不仅可以部署在白家电的多个区域,而且还针对上文所述辅助功能所需的功率进行了优化。

根据具体的应用和功能,辅助电源所需提供的功率会有所不同,从不到1W到高达70W不等。安森美半导体在开发该应用领域的解决方案方面有着悠久的历史,并拥有广泛且不断增长的器件产品组合。

随着超低功耗辅助电源需求的增长,安森美半导体最近推出了NCP1067x系列高压开关。

该系列开关专为采用非隔离式(图 1)或隔离式(图 2)设计的低功耗离线开关型电源而开发。它将控制器和功率MOSFET完全集成在一个SOIC7封装中,尺寸非常小巧。

虽然NCP1067x采用固定频率模式工作,但在负载下降时会自动切换至待机模式,以降低功耗,即采用空载间歇模式。

尽管该器件采用自供电设计,即变压器上无需辅助绕组,但如果包含辅助绕组,则可用于实现自动恢复过压保护功能。此外,还可以通过基于时间的检测功能实现输出短路自动恢复保护。

由于采用了安森美半导体的超高压技术,NCP1067x还搭载了一个RDS(on)低至12Ω的集成式700V功率MOSFET。在连接至230V交流电源的开放式框架配置中,开发人员可以实现能够提供15.5W的电源。

为提高EMI,NCP1067x采用了频率抖动设计,即通过在标称开关频率上增加一个±6%的变量。用于应用抖动的扫描锯齿波形由器件内部生成。非隔离式设计采用了一个反馈引脚,该引脚将小部分的输出电压施加于集成式跨导放大器

对更高击穿电压的需求不断增加

辅助电源设计的另一个关键趋势就是要求功率MOSFET上具有更高的击穿电压(即BVDS)。

通常,这与晶体管的物理尺寸有关,也就是说击穿电压越大,所需的晶体管就越大。在许多情况下,这会导致解决方案尺寸过大和过于昂贵,不适合大多数目标应用。

大多数集成MOSFET的SMPS开关均采用平面工艺。为满足市场对尺寸和成本的限制要求,出现了具有700V BVDS的器件。

不过,BVDS越高,提供的电源浪涌和峰值电压保护能力就越大,因此终端产品就越稳健。为此,越来越多的公司推出具有更高BVDS但仍能提供低成本、小型BoM解决方案的开关。

为此,安森美半导体开发了一款开关模块,该模块集成了SMPS控制器和采用自身SUPERFET 2超级结技术构建的功率MOSFET,以便打造出能够提供800V BVDS、同时又仍可采用双列直插式塑料封装的模块。

这一革新产品系列首次为制造商提供了一种既可提高产品性能又能满足市场商业需求的可行解决方案。

FSL5x8电流型开关系列采用PDIP-7封装,并包含PWM控制器和SUPERFET 2功率MOSFET。

通常,实现800V击穿电压需要使用控制器和单独的分立式MOSFET。然而,安森美半导体的SUPERFET 2技术成功将这两个器件集成至一个小型封装中。

这样,设计人员只需使用一个适用于隔离式(图 3)和非隔离式(图 4)反激设计的器件,就可以解决大约40W的高端低功耗离线辅助电源设计问题。

在NCP1067x和FSL5x8产品中,跨导放大器用作比较器,使设计人员能够更轻松地开发非隔离式反激电源,从而优化可用的电路板空间,并最大程度地降低BoM。

当绝大多数低功耗离线PSU在反激模式下运行的情况下,安森美半导体的电源解决方案组合中新增了这两款产品,带来了新的益处,通过更高的集成度,实现更高的性能和可靠性,从而提高功率密度,降低BoM成本。

虽然所有非隔离式PSU设计都只能提供有限的供电功率,但本文概述的发展表明,可以为辅助PSU设计出一种适用于低端和高端低功耗离线PSU应用的开关。由于非隔离式反激转换器通常比隔离式转换器更加高效,所以也可以实现操作成本。

使用辅助离线PSU的主要目的就是为了减少终端产品消耗的待机电流。通过选用针对应用优化的高度集成器件,开发人员如今能够以更小的电路板空间和最低的BoM成本实现这一目标。

责任编辑:lq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电流
    +关注

    关注

    40

    文章

    5997

    浏览量

    129893
  • 安森美半导体

    关注

    17

    文章

    558

    浏览量

    60753
  • 电源装置
    +关注

    关注

    0

    文章

    7

    浏览量

    6159

原文标题:实现具有更高击穿电压和更低待机电流的离线辅助PSU电源装置

文章出处:【微信号:onsemi-china,微信公众号:安森美】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    安森美全新推出的EliteSiC功率集成模块,可破解电动汽车充电难题

    安森美(onsemi)全新推出的EliteSiC功率集成模块,可为电动汽车直流超快速充电桩提供双向充电功能。
    的头像 发表于 03-21 09:59 571次阅读

    安森美推出一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具

    Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有独特功能的领先在线仿真工具,适用于软/硬开关应用,使工程师在开发周期的早期阶段,
    的头像 发表于 03-20 09:58 172次阅读

    深圳市萨科微半导体有限公司,技术骨干来自清华大学和韩国延世大学...

    成为“国产半导体领导者”!萨科微公司“slkor”品牌的SL系列可控硅产品可以国产替代对标替换TI德州仪器、ON安森美、ST意法半导体、IR、MPS、Atmel、AMS等产品的型号BT
    发表于 03-15 11:22

    先楫半导体携手立功科技推出了国产高性能微控制器HPM6800系列

    上海先楫半导体科技有限公司(先楫半导体,HPMicro)推出了国产高性能微控制器HPM6800系列,致力于提供单主控的数字仪表及HMI解决方案
    的头像 发表于 03-13 12:24 353次阅读
    先楫<b class='flag-5'>半导体</b>携手立功科技<b class='flag-5'>推出了</b>国产高性能微控制器HPM6800<b class='flag-5'>系列</b>

    安森美2023年在工业领域的成就

    前不久,我们分享了安森美(onsemi)2023年度精选汽车方案。在2023年,安森美还发布了多项全新工业产品和解决方案,使我们能够不断将创新和愿景付诸实践。我们的持续创新也获得了电力电子行业的认可。今天将为大家盘点安森美202
    的头像 发表于 01-12 09:39 292次阅读

    安森美颁奖,展现安富利新领域新价值

    近日,安森美2023 China EPS Training Certification会议现场, 安富利安森美团队荣获由安森美授予的“Emerging Power and Sensing
    的头像 发表于 12-27 17:10 219次阅读
    获<b class='flag-5'>安森美</b>颁奖,展现安富利新领域新价值

    安森美半导体完成在韩国全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建

    安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。为了支持SiC制造能力的增长,安森美美计划在未来三年内雇用
    的头像 发表于 10-26 17:26 795次阅读

    安森美推出全新Hyperlux图像感测器系列

    Hyperlux系列涵盖了从300万像素(MP)到800万像素及更高像素的产品,用于感知和视觉摄影机应用。 Hyperlux产品系列拥有领先业界的超低功耗和小尺寸,巩固了安森美作为车规级图像
    的头像 发表于 09-04 16:17 532次阅读
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>推出</b>全新Hyperlux图像感测器<b class='flag-5'>系列</b>

    基于NCP2830的1w音频放大器电路设计

      该1w音频放大器电路采用安森美半导体制造的NCP2830音频IC设计。   该音频功率放大器IC专为便携式通信设备应用而设计,几乎不需要外部电子元件。   NCP2830能够在1欧
    发表于 08-01 17:21

    力源信息与安森美设立应用联合实验室

    2023年6月13日,力源信息与安森美(onsemi)应用联合实验室揭牌成立。力源信息董事长兼总经理赵马克先生、力源信息副总经理兼销售及市场总监陈福鸿先生、安森美全球销售执行副总裁MikeBalow
    的头像 发表于 07-31 18:02 771次阅读
    力源信息与<b class='flag-5'>安森美</b>设立应用联合实验室

    安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 动态特性分析

    MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ,作为安森美提供的全方位
    的头像 发表于 06-16 14:40 429次阅读
    <b class='flag-5'>安森美</b> M 1 1200 V SiC MOSFET 动态特性分析

    安森美M1 1200 V SiC MOSFET动态特性分析

    之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供
    的头像 发表于 06-16 14:39 578次阅读
    <b class='flag-5'>安森美</b>M1 1200 V SiC MOSFET动态特性分析

    安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析

    MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ,作为安森美提供的全方位
    的头像 发表于 06-08 20:45 297次阅读
    <b class='flag-5'>安森美</b> M 1 1200 V SiC MOSFET 静态特性分析

    安森美和上能电气推出基于EliteSiC公用事业级组串式逆变器

    安森美帮助我们解决了最具挑战性的技术问题,如系统设计、仿真、热分析和控制算法等。我们采用安森美高能效的EliteSiC产品,能够根据客户的特定需求开发并实施尖端前沿的可再生能源方案。此外,安森美的端到端SiC供应链为我们的长期
    的头像 发表于 05-16 15:24 759次阅读

    安森美半导体NCP1910高性能CCM PFC及LLC组合控制器

    安森美半导体NCP1910高性能CCMPFC及LLC组合控制器.·第一步-设计PFC段·第二步-设计LLC段·第三步-信号交换部分(handshaking):-BO电平-在此Vbuk电平LLC
    发表于 05-08 09:17 0次下载