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GPU的原理和渲染流程详细说明

2020-11-28 10:39 次阅读

GPU是每台电脑不可缺少的组件,缺少GPU,我们的笔记本将无法正常显示图像。即便我们每天都在运用GPU,但是大家真的了解GPU的原理吗?了解GPU渲染流程吗?如果你对GPU以及GPU相关知识具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。

GPU渲染流水线,是硬件真正体现渲染概念的操作过程,也是最终将图元画到2D屏幕上的阶段。GPU管线涵盖了渲染流程的几何阶段和光栅化阶段,但对开发者而言,只有对顶点和片段着色器有可编程控制权,其他一律不可编程。如下图:

简单总结GPU管线,这阶段中主要是对图元进行操作。首先,将由应用阶段加载到显存中的顶点数据(由drawCall指定后)作为输入传递给顶点着色器。接着,顶点着色器首先对图元的每个顶点设置模型视图变换及投影变换(即右乘MVP矩阵),然后将变换后的顶点按照摄像机视椎体定义(即透视投影,或正投影)进行裁剪,将不在视野内的顶点去掉并剔除某些三角面片。最后到几何阶段的屏幕映射,负责把修改过的图元的坐标转换到屏幕坐标系中(即投影到屏幕上)。

到光栅化阶段,这一阶段主要目的是将每个图元转换为多个片段,并生成多个片段的位置,由片段着色器负责计算每个片段的颜色值。同时,在这阶段片段着色器通常会要求输入纹理,从而对每个片段进行着色贴图。每个片段在被发送到帧缓冲区之前,还会经历一些操作,这些操作可能会修改片段的颜色值,其中包括深度测试,模板测试,像素所有权测试,与当前缓冲区相同位置颜色混合等等。

最后,帧缓冲区内容被交换到屏幕进行显示。

下面会对各个阶段每个知识点进行详细的分析理解。

一、顶点着色器

顶点着色器是一段类似C语言的程序(即OpenGL的GLSL,或只支持微软的HLSL,或Unity的Cg),由程序员提供并在GPU上执行,对每个顶点都执行一次运算。顶点着色器可以使用顶点数据来计算改顶点的坐标,颜色,光照和纹理坐标等。在渲染管线中,每个顶点都独立的被执行。原因在于顶点着色器本身不能创建或删除顶点,也无法得到顶点与顶点之间的关系,如无法知道两个顶点是否属于同一个三角网格。正因这独立性,GPU可以并行化处理每一个顶点,提高处理速度。

顶点着色器最重要的功能是执行顶点的坐标变换和逐顶点光照。坐标变换是改变顶点的位置,把顶点坐标从模型空间转换到齐次裁剪空间(即将本地坐标系转换为裁剪坐标系)。通过改变顶点位置可以实现很多酷炫的shader效果,如模拟水面,布料等等,这里后面添加实例学习例子再详细说明。顶点着色器的另一功能是向后续阶段的片段着色器提供一组易变(Varying)变量,用于插值计算。

二、图元装配

在顶点着色器程序输出顶点坐标之后,各个顶点按照绘制命令(DrawArrays或DrawElements)中的图元类型参数和顶点索引数组被组装成一个个图元,并对其进行如下图的图元操作:

注意一点,透视裁剪是比较影响性能的过程,因为每个图元都需要和6个裁剪面进行相交计算并产生新图元。所以一般在x轴,y轴超出屏幕(由glViewPort定义)的部分,这些顶点在视口变换的时候被更高效的直接丢弃,无须产生新图元。

视椎体在OpenGL中可以通过gluPerspecTIve来定义对应的大小结构,在Cocos2dx引擎中,Director类的setProjecTIon方法就定义了cocos的渲染用到的视椎体,大家可以阅读对应的代码了解学习下。

经过视椎体裁剪后的顶点坐标经过透视分离(指由硬件做透视除法),得到范围是[0,1]的归一化的设备坐标,最后映射到屏幕或者视口上。

三、片段着色器

【先补充一点,其实在光栅化之前,要判断图元的朝向,是面向还是背对观察者,以决定是否需要丢弃图元。在OpenGL可通过glFrontFace指令来决定哪个方向为正,并通过glCullFace决定需要保留哪一面(别忘了要先打开剔除状态设置才可以调用指令 glEnable(GL_CULL_FACE);)。这样设计的好处是能减少一些不必要的绘制,并减少对GPU的浪费。】

回到正题,片段着色器同上述的顶点着色器,只是它作用的对象是每一片段,对其进行着色贴图。片元着色器的输入是根据那些从顶点着色器中输出的数据插值得到的,其中最重要的渲染技术之一是纹理采样。在顶点着色器阶段输出每一顶点对应的纹理坐标,然后经过光栅化阶段对三角网格的3个顶点各自纹理坐标进行插值运算后便得到其覆盖片元的纹理坐标,从而在片元着色器中进行纹理采样。如下图:

四、逐片元操作

这里篇幅原因不一一分析每种测试操作,大家可以通过看书了解对应的用途。下面举混合操作来分析一下。下图是简化流程图:

对于不透明的物体,可以直接关闭混合Blend操作,这样片元着色器计算得到的颜色值直接覆盖更新缓冲区的颜色值。但对于半透明物体就必须开启使用混合操作从而让物体看起来是透明的。开发过程中无法得到透明效果的原因,往往有可能是没有开启混合功能的原因。

由于计算机图形的性质,图形管线已构造为计算状态与数据流动作为它们之间的数据流。每个阶段工作在一组元素,如顶点,三角形或像素。下图1[ Shr99 ]给出了典型的OpenGL固定管道。

人们很容易看到这种体系结构如何类似于中描述的流计算模型上一节。这种类型的固定结构的是,直到最近,计算机图形卡制造商的标准可循。虽然类似流计算模式,它提供了很少或没有编程的用户,因此,它是不可用于比处理图形指令的其他任何任务。2000年[ Owe05 ],GPU 小号允许管道的关键部位的可编程性一定程度。

当前GPU 小号允许用户在形式的图形流水线的两个阶段几乎任何类型的功能进行编程顶点程序和片段的方案。这些允许用户分别写在顶点和片段数据的程序。下图示出了更近的映射的OpenGL可编程管线到流模型。

该顶点处理器

顶点处理器输入的顶点值和其相关的数据进行操作。它的目的是执行传统的图形操作,如:顶点变换,正常转化和规范化,纹理坐标生成和改造,照明和颜色计算[ Ros04。因为顶点处理器是能够改变输入的顶点数据的位置,从而影响最终图像的要绘制。由于图像是,在本质上,的存储器阵列,顶点处理器能够分散状操作。另外,最近的处理器能够从纹理存储器读出,从而产生一种特殊的延迟收集动作。我们称之为延迟,因为顶点不能直接从其他顶点元件读取的信息,但它可以读取的任何数据从先前的计算结果,如果它是在纹理存储器编码。在后面的章节中,我们将看到如何利用这一点来执行简单的计算。

顶点处理器可以在SIMD(单指令多数据)或MIMD(多指令多数据)模式下运行; 因此,允许两个,一个处理器单元中的指令和任务并行。由于现代GPU 小号包含多个顶点处理器(最新的NVIDIA 和ATI卡有多达六个),我们可以开始欣赏并行这些体系结构上实现的水平。

该碎片处理器

该片段处理器上的片段和它们相关联的数据进行操作。一些传统上与片段着色器相关联的操作是:质地接入和应用,雾,颜色和与上内插值一般操作。如同顶点着色器,片段着色器可用于在GPU上执行几乎任何种类的计算。因为片段处理器可以访问纹理存储器的随机这是很容易的片段程序内执行聚集操作。实际上,这是很常见的使用纹理信息进行依赖于其他纹理查找窗口; 功能移植算法的流计算模型时来真的很方便。

虽然在目前的GPU架构碎片处理器可以在SIMD模式下运行,是非常严格的那种,他们允许我们将看到,他们还是很容易执行一般的计算操作。加,由于片段的处理片段的处理器数量的计算频率比顶点处理器的数目越高。当前顶级的线卡有十六岁左右的片段处理器。

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发表于 05-20 17:05 104次 阅读
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AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 78次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 83次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 154次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 114次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 132次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 131次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 258次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 197次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 275次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 242次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 414次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 1129次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 160次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 287次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI