侵权投诉

中科院微电子所有何能力,能“将”行业大佬Intel一军?

2020-11-11 15:58 次阅读

FinFET技术在半导体制程发展到22nm~5nm时发挥了重要的作用。这项技术最早是由加州大学伯克利分校的胡正明在1999年提出来的,他也因此被称为“FinFET之父”。

另一位半导体界的风云人物——梁孟松,在美国就读期间,导师正是胡正明。

梁孟松后来辗转于台积电、三星和中芯国际。在他任职期间,台积电与三星纷纷押注自主研发,通过“砸钱”慢慢地拉开了与各自“师傅”(Intel和IBM)的距离,形成了独立的发展模式,也奠定了当今集成电路制造产业的全球格局。

台积电和三星都将发展FinFET作为过去十年竞争的利器。但实际上,行业内最早实现FinFET商业化应用的却是Intel公司。2011年,Intel宣布FinFET量产计划。第二年,在Intel推出的酷睿系列产品就采用了FinFET工艺。

Intel在半导体制造核心技术上已经引领世界几十年,研发投入也远超台积电。在技术模仿链上,台积电一直在追随Intel,中芯国际则在追随台积电。

01打向巨头的第一枪

华为在通信领域用专利深耕了二十多年,才达到与国外巨头平起平坐的水平。

在集成电路加工制造领域,中国大陆几十年来一直处在追赶者的角色。

中科院微电子所有何能力,能“将”行业大佬Intel一军?

但谁也没有想到,2018年2月,中科院微电子所向行业大佬Intel打出了中国集成电路半导体产业向海外巨头专利维权的第一枪。指控Intel侵犯中科院微电子所的FinFET专利,要求赔偿至少2亿元,同时请求法院对“酷睿”产品实施禁售。

中科院微电子所有何能力,能“将”行业大佬Intel一军?

从全球能够在FinFET上投入研(烧)发(钱)的玩家来看,数量并不多。除了加工制造的台积电、三星、Intel、IBM、格罗方得、中芯国际之外,其它一些企业/机构只有中科院微电子所、AMD英飞凌意法半导体、比利时IMEC等。

据美国专利咨询公司LexInnova在2016年发布的全球FinFET专利调查报告显示,中科院微电子所的FinFET专利数量排在第11位,也是中国大陆唯一进入前20位的企业。但是其整体专利质量却位列全球第一,这一指标超越了全球著名的半导体公司Intel、IBM、三星、台积电等。

这个专利质量的评比应该是综合的专利统计数据(例如专利引证率等指标)和专家打分的方式。无论怎样,这也是中国在半导体领域,甚至是电子信息领域中,唯一一个由国外专业咨询机构评选出的,在专利质量上能力压国际巨头,排名全球第一的机构。这个头衔,就连华为都不曾有过,在5G标准必要专利上,国外咨询机构承认华为5G专利数量位列第一,但没有一家机构敢说华为的5G专利质量能够达到全球第一。这也从侧面证实了,中科院微电子所在FinFET的研发上确实位居国际前沿。

顶着这个“全球第一”专利质量的光环,Intel曾在中国和美国两地试图5次去无效掉中科院微电子所的这件FinFET专利,最终都以失败告终。由此可见中科院微电子所用来诉讼专利的价值。

但是,这一战似乎在11月4日迎来了转折点。

在Intel对中科院微电子所的这件中国专利ZL201110240931.5发起的第二次无效请求中,国家知识产权局支持了Intel提交的新证据和理由,最终裁定该专利权利要求8、10、14无效。而无效的理由则是因为中科院微电子所在先申请的一篇专利(CN10268957A)构成了本申请的“抵触申请”,使得该专利权利要求8、10、14不具备新颖性。

02关键专利争夺战,才刚刚开始

这个“自己被自己打败”的结果,确实有点意外。但这并不是终审结果,中科院微电子所还可以提起继续上诉,来“夺回”这一关键专利。可以说,Intel扳回的这一局,只是拉开了这场关键专利争夺战的序幕。

1.“抵触申请”认定或是争议点

“抵触申请”的存在是因为专利从申请到公开一般都要经过很长的时间,例如发明要有18个月,所以在此期间申请的新专利,有可能因为在先申请的专利还未公开而无法判断其新颖性。

因此如果要满足“抵触申请”的条件,是非常严格的,至少以下主体和时间的要件都要同时满足:(1)在先专利或申请由任何单位或者个人在中国申请;(2)在先专利或申请的申请日早于在后申请的申请日;(3)在先专利或申请的公布或公告日在在后申请的申请日当天或之后。

除此之外,还要满足专利法第22条第2款有关新颖性的规定,即权利要求的技术特征已被对比文件全部公开,且本领域技术人员根据两者的技术方案可以确定两者能够适用相同的技术领域,解决相同的技术问题,并具有相同的预期效果,则认为两者为同样的发明。

在2008年专利法第三次修改之后,对“抵触申请”的适用范围作出了较大调整,将之前的只有“他人”申请的专利才能作为抵触申请的要件修改为“任何单位或个人”,也就是将“自我抵触”包含在内,这与欧洲专利局的做法相同了。

中科院微电子所的此次无效也正是适用了“自我抵触”的情形。

虽然中科院微电子所也承认Intel的新证据材料满足“抵触申请”要件,但是对于两件专利的新颖性判断标准上还是存在争议的。

中科院微电子所认为争议有三点:

(1)Intel引入的证据内容来自该专利的两个实施例:一个方法实施例,一个产品实施例,不能用两个实施例来评价新颖性。

(2)本专利与证据相比,二者解决的技术问题不同,预期效果不同。

(3)权利要求8与证据相比存在区别技术特征:一是“……与鳍相交”没有被证据所公开,权8中相交是指栅电极跨在鳍上形成立体交叉关系,而证据中的伪栅条208未跨在鳍上,未形成立体交叉关系;二是证据中的侧墙与本专利中的电介质墙形状、位置、作用都不相同,除了形状不同外,中科院微电子所认为本专利电介质墙的作用是用作栅极侧墙,而证据中侧墙作用是用作掩膜层。

虽然这三点内容最终并未被复审的合议组所采纳。但是这三点疑问,一定会继续成为接下来的争议焦点。

对于第一点,中科院微电子所提出的疑义从严格意义上看是有道理的。也就是对不同实施例的组合能否用来评价新颖性?争议点在于本案这种具有“影子式”的方法和产品实施例,是否能认定为不同实施例,这一点可能后续在法庭上会继续有争议,这不是技术问题,而是法律问题,类似的在先判例感觉在中、美两国应该都会有。

对于第二点,可能是中科院微电子所未来能否翻盘的关键。在新颖性判断要件中,除了技术特征要完全相同外,对于解决的技术问题,预期效果也是非常重要的衡量指标,如果不同,也不能认为是“抵触申请”。在合议组的决定中,有一句话值得关注“一个技术方案所解决的技术问题,不仅只限于提出该技术方案时声称要解决的技术问题,还包括该技术方案能够解决的技术问题”。基于这样一种判断,合议组认为“虽然证据文件没有明确提出所解决的技术问题与本专利解决的技术问题相同,但是因为采用了同样的……侧墙结构和……电隔离的工艺顺序“,因此就认为”同样能够解决本专利所遇到的问题,进而达到同样的技术效果”。因此争议的焦点就变成,能否从在先的抵触申请毫无意义的导出本专利所要解决的技术问题,这决定着本专利所声称要解决的技术问题及采取的方案是否是首次提出,这个分歧点还是有些主观判断在内的,因此也会成为后期激辩的重点。法律可能要在复审员是否存在“事后诸葛亮”和申请人对技术差异的详细陈述中,寻找平衡点。

这有点像辉瑞公司研发“万艾可”药物时,最开始专利要解决的技术问题是治疗高血压,而不是治疗男性勃起障碍。但是现临床效果出来后发现要解决的技术问题已经完全改变了,但实际上发明的药物化学结构并没有改变,因此就变成能否因为药物化学结构没变就认为“万艾可”新用途的专利不具有新颖性的问题。虽然中科院微电子所的这个专利与“万艾可”的例子在原理上有点类似,但还不完全一样,因此后续走向如何,应该会有很大争议。

对于第三点,虽然中科院微电子所提出了两点区别技术特征,看似从结构、形状、位置等多方面确实存在不同,但是最终判断依据是按照权利要求文字所要求的内容来判断,上述申诉理由的区别特征实际上在权利要求文字中并未体现出来,也就是权利要求的上位概括并未体现出该区别,合议组不予认定也是有道理的。但是这也不能归咎于专利代理水平不高,实际上为了让权利人获得更好的创新保护,一定程度的上位概括还是需要的。从中科院微电子所将这条理由列在最后一点也可以看出,可能代理律师评估后也会认为这一条被采纳的可能性不如前面两条。

2.不要过度消费“自己打败自己”

在中科院微电子所的关键专利的部分权利要求被自家在先专利所“抵触”之后,一些不明真相的舆论有点将案件的重点“带跑偏了”。

出现了一些想当然的评论:“自家专利被自己打败,不重视专利代理将承担严重后果!”、“关键技术交由不同专利代理机构,就要承担风险!”等等。

实际上,中科院微电子所在专利方面的工作已经是国内非常高的水平了。目前这起案件的“抵触”结论也并非是终审结果,如果按照上述的分析来看,后续还有很大的回旋空间。

而且中科院微电子所目前依然拥有这件有效专利。Intel也很知趣的只是要求无效掉权利要求8、10、14,目的可能也只是为自己增加谈判筹码而已。

因为Intel很清楚这件专利在行业中的价值和地位。

从中科院微电子所自己对这件涉诉专利的评价来看,重要性不言而喻:

涉案专利涉及当今最先进的晶体管器件的关键结构和核心工艺。该专利是在“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(02专项)的支持下,围绕集成电路先进制造技术进行布局的若干专利组合中的核心专利之一,能够有效提升芯片集成度并降低制造成本。

此外,还有人认为这件专利在2011年就提出用侧墙做栅极切断,不仅时间早,而且在工艺上更易实施,尤其是受到光刻的限制后,所以这件专利的基础性地位还是很高的,其它一些知名大厂的工艺可能也会涉及该专利的技术。

03中科院微电子所让Intel忌惮的“三个大杀器”

半导体制造,一直以来都是美国卡中国脖子的关键所在。

FinFET技术原理虽然是由华人提出,但是美国占据了创新和专利产出的绝对优势。中国大陆只有中芯国际和中科院微电子所能形成一定气候。

与中芯国际偏向后端应用不同,中科院微电子所的创新和专利更接近于对基础原理的探究。因此,高端人才、先导技术和高质量专利、以及非制造实体这三个杀手锏,就成为Intel不得不对其忌惮三分的理由。

1.卧虎藏龙:中科院不是“一个人”在战斗

中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心的研发人员只有150人,与Intel庞大的研发人员和研发投入相比,显得有点微不足道。但是这个队伍不仅低调,而且“卧虎藏龙”。

以此次被Intel作为证据的专利CN10268957A为例。这件专利的三位发明人分别是朱慧珑、钟汇才、梁擎擎。三个人都有在国外知名半导体巨头的工作经历,尤其是在IBM的工作经验。

朱慧珑:中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家。1990-2009年,先后在美国阿贡国家实验室、伊利诺伊大学、DEC、Intel和IBM等任职,曾是IBM全公司2007年度4名牵头发明家(LeadingInventor)之一;IBM发明大师(MasterInventor);获IBM优秀专利奖两次和IBM公司发明成就奖51次。2009年回国,担任国家重大专项02专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”和“16-14纳米基础技术研究”项目首席专家,在国内首次完成了原型器件的研发并建立了较系统的高质量专利组合。获得已授权美国专利190多件。

钟汇才:毕业于美国北卡罗来纳州立大学电子工程系。自2002年毕业后在世界知名公司包括AMD、IBM、SanDisk等公司从事CPU、Flash等高性能芯片研究与产品开发工作,在美国申请并授权多项美国专利。自2009年回国后,先后承担了国家“973”计划、国家科技重大专项02专项、科技部重大仪器专项、中国科学院信息先导项目、国家重点研发计划等重大课题研究任务,发表文章20多篇,申请中国、美国与欧盟专利200多项,其中以第一发明人身份申请并授权100项中国专利与国际专利。在这些重大的专利成果中,已确认美国Intel公司的28纳米以下的微电子芯片自2014年对钟汇才以第一发明人申请的美国专利US9070719、中国专利CN102956457B构知识产权的的侵权,由中国科学院微电子所对Intel公司发起进行诉讼。

梁擎擎:毕业于美国佐治亚理工学院。后进入IBM工作,曾获得IBM杰出技术成就奖,IBM发明奖,并曾收录于“美国名人录”2008-2009杂志。

Intel在集成电路制造领域最大的技术竞争者是谁?就是IBM。

在美国专利咨询公司LexInnova的FinFET专利数量排名中,IBM以1885件排名第一,是Intel(854件)的两倍多。在一些影响FinFET性能的关键技术上,例如高k栅介质/金属栅的研究上,IBM的专利成果甚至要早于Intel七八年,这项技术同样是也中科院微电子所的强项。

所以,中科院微电子所并不是“一个人”在战斗,其背后的“隐藏”实力才是Intel所忌惮的。除了IBM,中科院微电子所专家们的背景还包括三星、AMD、联华等国际知名半导体企业工作经历,可以说是实打实的一只具有国际先进水平的高质量科研团队。可以想象,除了这件诉讼专利外,中科院微电子所的专利武器库中应该还有很多储备弹药可以使用。怪不得Intel不敢小觑。

2.先导研发+高质量专利

中科院微电子所不仅承担了各类国家重大专项,同时也是中科院先导专项的重要承担单位。正是国家在这些基础性、前瞻性技术上的不断投入,吸引人才,紧跟国际先进水平,才使得微电子所的科研水平一直位居世界前列。

FinFET技术上,如何体现先导研发和基础性?

从技术特点上看,FinFET与传统平面FET的区别主要在“鳍”上,这也是胡正明的创新之处。因此对“鳍”的后续改进,就成为各家争夺的焦点。其它诸如栅堆栈、衬底、互联、源漏的设置都要围绕鳍的变化而进行。

中科院微电子所正是在“鳍”的创新上投入了大量的基础性研究,有超过一多半的专利都是围绕“鳍”在研发,这或许也是为何其专利质量能排在全球第一的重要因素之一。

另一家在“鳍”上进行广泛布局的巨头就是与中科院科研人员有背景关联的IBM公司。可见,半导体行业中这种技术的传承性特点还是很明显的。

不仅技术紧跟国际最前沿,中科院微电子所在专利上的工作其实也是可圈可点的。

在其官方网页的介绍中,有这么一段描述:

先导中心实现了22纳米CMOS、高k栅介质/金属栅工程、16/14纳米技术节点的FinFETs、5纳米及以下纳米线和堆叠纳米片器件等关键技术的突破,研究水平迈入世界前列;提出了“专利指导下的研发战略”,在关键工艺模块上形成了较为系统的知识产权布局(专利2024项,含国际专利607项),部分关键专利被Intel、IBM、台积电、三星等国内外半导体领先企业广泛引用和部分应用。

也就是在和国外高手“较量”之前,微电子所就已经意识到专利的重要性作用,将其全面贯穿到先导技术的研发中,而且这些产出的成果已经被国际大厂所广泛引用。

重视专利布局,就是另一个让微电子所的FinFET专利质量能够达到全球第一的硬指标了。

这也是Intel不得不忌惮的一点。

3.具有NPE的潜质

中科院微电子所的发展定位决定了其只需要考虑前端研发,而不必考虑后端生产制造。科研成果的转化,如果以专利许可的方式进行,就十分符合“专利非实施实体”(Non-PracticingEntity,NPEs)的特点。

从过去十多年的NPEs发展历史来看,往往是一些大公司“挥之不去”的噩梦。因为这些NPEs手中握有高质量的专利,但又并不直接从事生产制造,因此被他们缠上的大公司往往无法“对等”应对,多数情况不得不选择“花钱免灾”。

苹果、三星、华为这些巨头,几乎是所有NPEs都想咬上一口的“唐僧肉”。

因此,Intel在中科院微电子所面前,完全施展不开一家半导体巨头的威风,反而更像是一块任人宰割的案板肉。

近年来,中科院微电子所也正在向着技术转化和专利许可的目标前进,不仅以1100万美元成功将1493件专利许可给武汉新芯,而且还成立了一家专注于知识产权运营的服务公司。目的不言自明,就是要盘活中科院微电子所的这些高价值专利。

此次选择主动起诉Intel,更像是“莱克星顿的枪声”,打响的是中科院微电子所希望在集成电路半导体行业彻底盘活专利,走向市场的决心。

04写在最后:Intel之后,下一个是谁?

11月9日,国家科技重大专项02专项专家组组长、中科院微电子所前所长叶甜春在中国半导体封测年会上发表演讲《新形势下我国集成电路发展的回顾与展望》,总结了重大专项在知识产权方面取得的进展:自02专项实施以来,共申请专利30429件,其中发明专利25221件,实用新型1849件,国际专利3358件。

如果根据国外经验,如果在一个核心专利组合中,有5%-10%是核心专利,那就应该是一个成功的专利包。从02专项取得的3万件专利来看,如果其中有1500-3000件是核心专利,中国在卡脖子领域的情况都会大大好转。但是实际情况来看,目前还远远达不到这一数量。

此次中科院微电子所与Intel交战的核心专利,正是来自国家科技重大专项02专项的支持。可以说,今天的收获,与十年前的播种是分不开的。

专利布局和搞基础研究的道理一样的,不能想着今天申请一个,明天就去起诉别人。要能耐下心来,仔细研究,知己知彼,才能获得高质量的专利产出。

Intel应该是第一个“撞”到中科院微电子所枪口上的巨头,但绝对不会是最后一个。

朱慧珑研究团队已经开始研究3nm以下代替FinFET的全环栅GAA技术了。这也是三星也非常看好的技术。那,下一枪会不会对准三星?完全有可能。

实际上,台积电、AMD、格罗方德,甚至是苹果,都有可能进入到中科院微电子所的“专利射程”。

扳机何时扣动,就要看中科院科学家们的心情了。
责任编辑:tzh

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苹果春季产品发表会蓄势待发,MiniLED供应链也渐入佳境,据说可以相信量产良率很快将拉高至9成以上....
的头像 电子魔法师 发表于 02-24 13:56 183次 阅读
MiniLED供应链也渐入佳境,量产良率或拉高至9成以上

苹果造芯的发展史

这一枚小小的金属,竟卡住了我国无数尖端行业的咽喉,成了科技巨头们的阿喀琉斯之踵。
的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 12:59 208次 阅读
苹果造芯的发展史

台积电3nm工艺进度超前背后的原因分析

在2021年国际固态电路会议(ISSCC)的开幕演讲中,台积电董事长刘德音以《揭秘创新未来》为主题,....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 12:08 282次 阅读
台积电3nm工艺进度超前背后的原因分析

同一个SSD在Intel和AMD平台上性能不同

1代酷睿桌面处理器(Rocket Lake-S)将于3月份上市开卖,泄露的跑分显示,终极一代14nm....
的头像 如意 发表于 02-24 11:59 304次 阅读
同一个SSD在Intel和AMD平台上性能不同

三星开发可折叠OLED面板向OPPO、小米和谷歌供货

据韩媒TheElec获悉,三星显示器目前正在开发可折叠的OLED面板,向OPPO、小米和谷歌供货,使....
的头像 电子魔法师 发表于 02-24 11:55 191次 阅读
三星开发可折叠OLED面板向OPPO、小米和谷歌供货

Intel测试称PCIe 4.0 SSD搭配11代酷睿性能高出Zen3 11%

11代酷睿桌面处理器(Rocket Lake-S)将于3月份上市开卖,泄露的跑分显示,终极一代14n....
的头像 工程师邓生 发表于 02-24 11:40 355次 阅读
Intel测试称PCIe 4.0 SSD搭配11代酷睿性能高出Zen3 11%

集成AMD GPU的三星Exynos SoC将发布

AMD在官方文档中使用了“Radeon宇宙”的说法,描述的是集成AMD GPU技术的产品,包括自家的....
的头像 如意 发表于 02-24 11:39 254次 阅读
集成AMD GPU的三星Exynos SoC将发布

渠道、行业市场SSD最新报价

春节假期刚过,企业陆续开始复产复工,然而本周市场仍然延续节前的“缺料”氛围,尤其是近期接连发生的福岛....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 11:31 141次 阅读
渠道、行业市场SSD最新报价

工程师开发出新技术,为计算机芯片的集成添动力

工程师们开发了一种技术,使他们不仅可以将折叠的DNA分子形成的显微装置精确地放置在特定位置,而且可以....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 11:29 127次 阅读
工程师开发出新技术,为计算机芯片的集成添动力

铠侠和西部数据推出第六代162层3D闪存技术

新一代3D NAND技术已迎来新的战局,继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D ....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-24 11:22 145次 阅读
铠侠和西部数据推出第六代162层3D闪存技术

Intel 17年研发投入多年增幅竟未超过5%

Intel这些年虽然在处理器等技术和产品方面进步有些缓慢,但事实上,Intel的研发投入一直都是行业....
的头像 如意 发表于 02-24 11:21 54次 阅读
Intel 17年研发投入多年增幅竟未超过5%

华为被困,三星竟扶不上墙

受到国外不利因素的影响,华为手机的销量去年有所下跌。
的头像 如意 发表于 02-24 11:17 152次 阅读
华为被困,三星竟扶不上墙

丰田四家工厂因日本地震再遭停产

据外媒报道,当地时间2月23日,田汽车官网发文称,由于地震影响导致零部件供应不足,宣布位于日本本土四....
的头像 如意 发表于 02-24 11:15 223次 阅读
丰田四家工厂因日本地震再遭停产

三星Galaxy Z Fold 3渲染图、上市时间曝光

作为三星的当家旗舰,Note系列似乎已经“寿终正寝”。虽然三星为Galaxy S21 Ultra加入....
的头像 lhl545545 发表于 02-24 11:15 300次 阅读
三星Galaxy Z Fold 3渲染图、上市时间曝光

回顾Intel 17年研发投入 多年增幅未超过5%

Intel这些年虽然在处理器等技术和产品方面进步有些缓慢,但事实上,Intel的研发投入一直都是行业....
的头像 工程师邓生 发表于 02-24 10:59 205次 阅读
回顾Intel 17年研发投入 多年增幅未超过5%

半导体制冷片的工作原理是什么?

半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即...
发表于 02-24 09:24 0次 阅读
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半导体常见的产品分类有哪些

半导体材料 半导体的功能分类 集成电路的四大类 ...
发表于 02-24 07:52 0次 阅读
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硅是如何导电的?

  本征半导体   没有杂质的纯净的晶体才算得上本征半导体,比如硅、锗。   本征半导体是不导电的,为什么这么说呢?  ...
发表于 02-20 14:43 0次 阅读
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半导体光刻蚀工艺

半导体光刻蚀工艺
发表于 02-05 09:41 808次 阅读
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CPU/主板的特色介绍

Intel第六代处理器 Skylake CPU、GPU、主板完全解析...
发表于 02-02 07:23 0次 阅读
CPU/主板的特色介绍

FD6288的典型应用原理图

  FD6288 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT 设计,可在高达+...
发表于 01-28 17:07 202次 阅读
FD6288的典型应用原理图

半导体芯片开封后需要观察注意点有哪些?

切开剖面观察金丝情况,及金球情况,表面铝线是否受伤,芯片是否有裂缝,光刻是否不良,是否中测,芯片名是否与布线图芯片名相符。...
发表于 01-28 16:26 101次 阅读
半导体芯片开封后需要观察注意点有哪些?

华为三星苹果高通的差异

华为三星苹果高通的差异 买IP做集成不宜包装为掌握核心科技 ...
发表于 01-28 07:21 101次 阅读
华为三星苹果高通的差异

模拟集成电路的困难有哪些

模拟集成电路的困难有哪些?
发表于 01-22 06:31 0次 阅读
模拟集成电路的困难有哪些

MM74HC02 四路2输入 或 门

02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 15:02 134次 阅读
MM74HC02 四路2输入  或  门

MM74HC00 四路2输入NAND门

00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 14:02 236次 阅读
MM74HC00 四路2输入NAND门

MM74HCU04 六路反相器

U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 11:02 179次 阅读
MM74HCU04 六路反相器

MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
发表于 08-02 03:02 89次 阅读
MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 120次 阅读
MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
发表于 08-02 02:02 191次 阅读
MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 224次 阅读
MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-02 02:02 73次 阅读
MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
发表于 08-01 22:02 110次 阅读
MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 186次 阅读
MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 177次 阅读
MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 171次 阅读
MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 22:02 242次 阅读
MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 136次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 125次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 142次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 203次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 166次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
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NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
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NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.