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碲镉汞焦平面近十年的发展

MEMS 2020-06-01 14:57 次阅读

摘要:近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。

0引言

近年来,国际上碲镉汞第二代焦平面探测器的日趋成熟,性能趋于理论限,得到广泛应用。基于小像素、双色、甚长波、雪崩探测(APD)和高温工作等技术的三代焦平面探测器取得了实质性的突破,2015年后,在第三代焦平面探测器技术的基础上,技术发展的方向又转向了称之为Swap3(小尺寸、低重量、高性能、低功耗和低成本集为一体)的先进红外焦平面探测器技术。在国内,近十年是第二代碲镉汞红外焦平面应用技术发展最为迅速的十年,基于CdZnTe基的长波碲镉汞材料和Si或GaAs基异质衬底碲镉汞中/短波材料的技术达到了实用化应用的水平,几千元的长线列和中大规模面阵探测器实现了应用。近十年也是三代红外焦平面技术快速发展的十年,小像素、甚长波、多谱段、数字化和APD红外焦平面探测器技术的关键技术取得了突破,为今后碲镉汞红外器件技术的发展奠定了良好的基础。文中将就碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展现状做一扼要的介绍,并以第二代焦平面技术在航天领域中的应用来反映该技术在国内的进展,并对红外焦平面探测器技术的进一步发展给出了展望。

1碲镉汞焦平面近十年的发展

近十年,碲镉汞红外焦平面技术发展主要围绕超大规模、甚长波、双色、APD和高工作温度(HOT)探测等技术来展开的,其中,产品级中/短波红外焦平面器件规模做到了2048 × 2048,最大规模为4096 × 4096;长波红外焦平面器件规模为1280 × 1024;长波640 × 512红外焦平面的截止波长超过了11 μm@80 K;中/长波双色碲镉汞红外焦平面的规模达到1280 × 768;APD焦平面器件则实现了单光子探测和雪崩探测模式成像;HOT红外焦平面探测器的工作温度提高了30 ~ 50 以Sofradir中波红外焦平面探测器的产品为例,探测器的工作温度从90 K提高到130 K(室温背景和f数为2的条件下),实验室演示的水平更是达到175 K,2020年的研究目标已定在了200K。

上述技术进步的取得主要得益于红外探测器阵列芯片小像素加工技术的突破和探测器阵列漏电流的大幅度降低。为了实现超大规模的焦平面探测器,产品级的探测器像元中心尺寸已从以前的30 μm降低到了10 μm,漏电流密度并未受到表面漏电的影响而增加,新的研究成果是中心距5 μm红外焦平面已实现演示成像,其漏电流甚至低于传统探测器漏电流所遵循的“07定律”。探测器漏电流的降低一是得益于p+-on-n芯片技术的日趋成熟,二是得益于材料工艺和芯片加工工艺的不断完善,法国Sofradir和德国AIM的长波面阵、甚长波和高温的红外焦平面器件都已采用了基于As+离子注入的p+-on-n技术,通过完善材料质量和芯片工艺,有效地解决了焦平面器件高温下噪声盲元增殖的问题。

2第二代碲镉汞红外焦平面研究与应用

在红外探测器技术发展中,碲镉汞材料在红外探测器技术领域一直处于主流地位,碲镉汞材料制备的探测器能够覆盖了整个红外波段,从短波到甚长波(1 ~ 16 μm),各个波段的探测器都体展现出了很高的性能。空间应用是红外探测发展碲镉汞红外探测器技术的主要推动力之一,中国科学院上海技术物理研究所(SITP)长期致力于空间用碲镉汞材料与红外焦平面成像器件的研究,针对空间遥感的需求发展了各大气窗的成像焦平面探测器,产品主要分为用于推扫成像的线列焦平面和凝视成像的面阵焦平面两大类型。

2.1碲镉汞外延材料

根据工程应用的不同需求,SITP重点发展了基于碲锌镉衬底的碲镉汞液相外延(LPE)和异质衬底的大面积碲镉汞分子束外延(MBE)的材料制备技术,其中,位错密度较低的碲镉汞LPE材料主要用于长波红外焦平面探测器的研制,而大尺寸的碲镉汞MBE材料则用于满足大规模的中/短波碲镉汞红外焦平面的应用和双色红外焦平面探测器研制的需求。

为了获得低缺陷密度的碲镉汞LPE材料,SITP研发了碲锌镉衬底材料技术,Ф90 mm的晶锭已成为目前的主流技术,最大晶锭尺寸为Ф120 mm,衬底最大尺寸已达到80 mm × 80 mm(见图 1(a))。通过对移动炉体法的Bridgman生长技术的反复优化,并结合新开发的碲锌镉材料热处理技术,掌握了位错密度低于5 × 104cm-2、沉淀物尺寸小于1μm的衬底材料制备技术。为了满足更大尺寸衬底材料的应用需求,开发了基于移动温场的VGF技术,已获得可切衬底片的碲锌镉晶锭材料。

为了满足工程应用对材料批量化制备能力提出的需求,研发了垂直富碲液相外延技术,材料的尺寸从30 mm × 20 mm扩大到了目前的40 mm × 40 mm和50 mm × 50 mm(见 图 1(b)),单炉日产外延片从1片提高到了4片,材料各项参数达到了国际上公认的性能水平。为了满足截止波长12.5 μm探测器对材料电学特 性的要求,SITP开发了Au掺杂LPE材料的制备技术,实现了Au掺杂浓度分布的定量可控。

图1 碲锌镉衬底和碲镉汞外延材料

碲镉汞分子束外延基于GaAs基和Si基衬底,通过改进ZnTe/CdTe缓冲层的生长技术,GaAs基和Si基中波/短波碲镉汞外延材料已经达到了与CdZnTe基碲镉汞外延材料相当的性能水平。在进一步解决组分精确控制技术、材料大面积均匀性技术和批生产相关技术的基础上,并利用Si衬底与焦平面读出电路之间能够实现良好热匹配特性,成功地将Si基碲镉汞外延材料应用于大规模红外焦平面探测器的研制。结合芯片结构设计和加工工艺,在不去除衬底的条件下,成功地规避了GaAs或CdZnTe基材料与读出电路之间热失配所引发的应力导致探测器失效的问题。与此同时,MBE碲镉汞材料生长的主流技术从3 in(1 in=2.54 cm)成功地切换到4 in(见图 1(c)),通过优化外延工艺,MBE外延材料表面缺陷密度的平均值从1 000 cm-2降低到了200 cm-2以下(见图2),一次装高纯汞源可连续生长材料的片数提高了一倍左右,达到了工程应用对碲镉汞MBE材料制备技术提出的各项指标要求。

图2 碲镉汞外延材料宏观缺陷密度平均水平

2.2线列碲镉汞探测器

经过十多年发展,第二代线列碲镉汞探测器技术日趋成熟,主要集中在控制n+-on-p型二极管结构和工艺。扫描型焦平面器件的规模从1 000元发展到8 000元,以及超过万元,拼接基本模块由原来的256元发展到512元和1024元,以及512 × 8TDI焦平面,探测波段涵盖了短波1 ~ 3 μm、中波3 ~ 5μm、长波8 ~ 10 μm及长波11 ~ 12.5 μm。焦平面像元中心距从46 μm发展到28 μm以及14 μm,探测器的温度分辨率NEDT目前达到小于10 mK。线列碲镉汞红外焦平面器件已在空间扫描型红外遥感系统中得到成功应用。图3 为1500元长波红外焦平面探测率统计直方图和遥感成像图片。

尽管不同应用背景对探测器阵列提出不同波段要求,由于碲镉汞材料具有截止波长大范围可调的优势,能符合各种红外应用系统需求。在碲镉汞材料、探测器阵列工艺、读出电路、无盲元精密拼接等关键技术突破基础上,探测率和噪声等效温差得到进一步提升,碲镉汞长波红外焦平面探测率大于1 × 1011cm Hz1/2/W,噪声等效温差小于10 mK。

图3 碲镉汞1500元长波焦平面探测率和遥感热成像

2.3面阵碲镉汞探测器

近十年来,面阵碲镉汞红外焦平面器件发展所采用的主要技术路线为CdZnTe基、GaAs基和硅基HgCdTe焦平面技术,面阵规模从320 × 256的面阵发展到中大规模的640 × 512、1k × 512和1k × 1k焦平面器件,以及2k × 512和2k × 2k焦平面器件。与此同时,面阵焦平面像元尺寸从30、25、18 μm发展到15 μm。

随红外焦平面阵列规模不断扩大,传统CdZnTe衬底尺寸限制,使Si基HgCeTe成为突破衬底尺寸的限制、发展大规格面阵焦平面的一条有效途径,为此,在GaAs碲镉汞分子束外延技术的基础上,SITP重点发展了3 in/4 in硅衬底上分子束外延生长的碲镉汞材料制备技术,在芯片工艺中采用芯片级应力释放结构设计,精确控制了pn结耗尽区位置,降低了芯片表面处理对pn结漏电的影响,还同时采用了硅基碲镉汞材料组分缓变结构、精确控制芯片腐蚀深度等措施,降低了耗尽区漏电,从而改善了pn结特性,获得了25 ~ 30 μm中心距的640 × 512红外焦平面器件和18 μm中心距1024 × 1024红外焦平面器件,短波/中波红外焦平面平均探测率分别大于1×1012 cm Hz1/2/W 、5×1011cmHz1/2/W,噪声等效温差小于15 mK,响应非均匀性小于5%。图4为640 × 512碲镉汞中波红外焦平面组件和成像。

图4 640 × 512中波红外焦平面组件和成像

硅基碲镉汞短波/中波512 × 512、短波2k × 512凝视焦平面器件已在航天红外系统中应用。硅基碲镉汞短波红外焦平面器件暗电流密度小于10-10A/cm-2,2k × 512最高帧频大于250 Hz,读出电路噪声小于195e,50000光子入射条件下探测器信噪比大于120,在空间遥感仪器的高光谱红外相机中成功应用。图5为碲镉汞短波红外焦平面器件高光谱相机成像。

图5 碲镉汞短波红外焦平面高光谱成像

基于分子束外延技术具有制备多层材料的优势,发展了碲镉汞中波/长波双色焦平面器件。在双色材料能带调制、同向pn结成结、深台面成形和金属化、信号同时读出,同时积分的读出电路的研究基础上,研制出中波/长波碲镉汞双色焦平面器件。图6为双色器件的光谱响应,图7为手持前截止波长为6.5 μm滤光片阻挡电烙铁中波辐射成像,但不影响电烙铁长波辐射成像的实验照片。

图6 中波/长波碲镉汞双色焦平面光谱响应曲线

图7 中波/长波碲镉汞双色焦平面器件成像

长波和甚长波红外焦平面探测器在空间有着重要的应用,为了满足应用的需求,重点发展了掺杂型的n+-on-p HgCd e焦平面芯片技术,在探测器芯片加工技术中采用了低损伤探测器阵列芯片工艺及衬底去除技术。获得了截止波长为16 μm的32 × 32焦平面器件,在50K温度下器件的平均峰值探测率为4.9×1010cm Hz1/2/W。图8是参考文献中报道的各种工艺技术路线研制的HgCd e红外探测器的R0A所达到的水平,以及SITP甚长波探测器的性能(图中五角星),结果表明:器件性能已经达到了同类工艺技术的较好水平。

图8 不同工艺的HgCdTe探测器的R0A水平

3碲镉汞红外焦平面的发展展望

碲镉汞红外探测器经过六十多年的发展,从第一代发展到第三代,从2015年开始,碲镉汞红外焦平面技术进入了先进红外焦平面探测器技术的发展时代,该技术具有三个主要的特征。

3.1性能和功能的集成

国际上红外焦平面探测器的功能和性能集成通常用Swap3来描述,目标是制造出同时具有高灵敏度、高空间分辨率、高光谱分辨率且适用范围更广的红外焦平面探测器,通过提高探测器的工作温度,实现探测器组件的小型化、低功耗和低成本,以满足红外焦平面探测器在新技术(信息化和智能化)领域和新兴产业中的发展需求和应用范围。图9是一款AIM公司基于Swap3理念研发的高工作温度(140 ~ 160 K)超紧凑1024 × 768中波红外焦平面成像原型样机,其外形尺寸做到了60 mm × 60 mm × 50 mm。

图9 AIM公司超紧凑中波红外焦平面成像原型样机

3.2技术集成

为了实现Swap3红外焦平面探测器,必须将第三代焦平面探测器研究的技术集成在一起。为制备超大规模的红外焦平面并维持产品的可靠性和低功耗,必须采用超小像素技术,小像素带来的MTF降低的问题需要通过减小吸收层厚度或增加反向偏置来解决,吸收层厚度减小所导致的光吸收效率(直接影响器件量子效率)降低的问题需通过减小材料禁带宽度,或利用雪崩效应产生的增益来弥补,降低禁带宽度和增加反向偏置所导致的漏电流增加需依靠第三代红外焦平面技术中甚长波和高温红外焦平面器件所研发的低漏电流技术(取决于材料与器件的备工艺)制来解决,即只有依靠所有先进技术的集成,才能制备出先进的Swap3红外焦平面探测器。目前小像素的尺寸已从第三代技术的10 μm进一步减小至5 μm,碲镉汞中波HOT器件的工作温度已从120 K进一步提高到近200 K,近期的研究目标已指向200 K以上,相关技术的难度也在不断的增加,并给技术集成带来了更大的挑战。

3.3智能化处理功能的集成

为了提高探测器的灵敏度和目标快速处理能力,读出集成电路(ROIC)必须具有高灵敏度(18位)和数字化输出,以及读出电路具有片上信息处理的功能,以大幅度压缩超大规模红外焦平面探测器输出的数据量,提高红外图像的输出速率。随着人工智能技术的发展,对片上数据处理的需求会越来越大,要求也会越来越高,智能化片上读出电路势必要向3D-IC技术发展。存在的有利因素是HOT技术的发展为智能化读出电路增加一定的功耗提供了可行性。

在未来5 ~10年时间内,先进碲镉汞红外焦平面探测器将在空间科学研究、大气物理研究和军事应用领域获得广泛应用。在空间科学研究中,5 μm像元尺寸/数百万像素的短波红外焦平面探测器将应用于天体物理的研究,高灵敏度的中、长波红外焦平面探测器则将用于外星球的科学研究,而甚长波碲镉汞红外焦平面探测器将被用于大气物理的研究。超大规模的碲镉汞红外焦平面探测器将在高分辨率对地观测、远距离目标识别、高光谱成像探测等领域应用,而大批量的Swap3红外焦平面探测器则将在战术平台(目标告警、精确识别等)和民用遥感技术中应用。

4结论

近十年来,碲镉汞第二代红外焦平面技术在空间科学、空间对地观测和国防领域中获得了广泛应用,基于第三代焦平面技术的超大规模(百万像素以上)、双色探测和甚长波(截止波长大于12.5 μm)红外焦平面探测器实现了实用化,高工作温度(HOT)和雪崩模式的探测器技术取得重大突破。

在应用牵引下,碲镉汞长线列焦平面和凝视焦平面材器在过去十年中也实现了快速发展。在GaAs基和Si基衬底上生长的碲镉汞分子束外延材料和碲锌镉基的液相外延材料均实现了工程应用,异质衬底和碲锌镉衬底的外延材料尺寸分别做到了4 in和50 mm × 50 mm,碲锌镉衬底的最大尺寸已做到80 mm × 80 mm,基于双层钝化的n+-on-p平面结技术,研制出了面阵规模达百万像数和线列规模达几千及上万元的短波、中波和长波红外焦平面芯片,成功用于多个空间对地观测系统和高光谱成像的应用系统。在第三代碲镉汞红外焦平面探测器技术方面,突破了多层掺杂组分异质结材料的分子束外延技术,实现中/长波双色红外焦平面探测器,通过有效地解决了Si基碲镉汞外延材料因缺陷密度高而无法工程应用的关键技术,使Si基2000 × 512短波红外焦平面探测器在高光谱相机中获得了成功应用。通过研发P型材料及其结成结工艺,将红外焦平面探测器的响应波段拓展到了12.5 μm。

目前,碲镉汞红外焦平面探测器技术进入了一个新的发展时期,它将第三代焦平面技术集成起来打造出一种高性能、低成本和超紧凑型的新型红外焦平面探测器探测器(Swap3),并通过发展具备片上数字化和智能化处理功能的读出集成电路技术,实现未来红外探测技术发展所需的Swap3智能化先进红外焦平面探测器。

原文标题:碲镉汞红外焦平面器件技术进展

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系统通信电路如图3所示。本电路中应用单片机AT89C51作为控制芯片,对NRF24L01 主通信模块....
发表于 07-08 10:13 228次 阅读
基于射频的无线通信技术方案

COVID-19新型冠状病毒特性检测芯片各项生物性能指标验证成功

基于量准独家所有的超高灵敏度Nano SPR(纳米表面等离子共振)光学传感芯片技术,武汉新芯凭借自身....
的头像 MEMS 发表于 07-08 09:43 588次 阅读
COVID-19新型冠状病毒特性检测芯片各项生物性能指标验证成功

台湾成功大学用纳米科技制作出COVID-19蛋白检测芯片

许观达指出,一般的新冠病毒检测使用核酸检测,以鼻咽采检非常不舒服且增加传染风险,核酸检测病毒的遗传物....
的头像 MEMS 发表于 07-08 09:31 240次 阅读
台湾成功大学用纳米科技制作出COVID-19蛋白检测芯片

新型微型集成频率梳:有望带来新一代的时钟、望远镜和通信技术

该研究团队利用倒锥光纤将芯片级的分布式反馈激光器与氮化硅基底上制备的含四个高品质因子的微环谐振腔芯片....
的头像 MEMS 发表于 07-08 09:11 113次 阅读
新型微型集成频率梳:有望带来新一代的时钟、望远镜和通信技术

牛海涛团队首先利用微流控芯片模拟肿瘤微环境体外建立仿真实验系统

据了解,近年来肿瘤微环境在探索肿瘤发病机制中的核心作用日益凸显,但目前国内外对膀胱癌肿瘤微环境的研究....
的头像 MEMS 发表于 07-08 09:08 218次 阅读
牛海涛团队首先利用微流控芯片模拟肿瘤微环境体外建立仿真实验系统

单片机和数字电路怎么抗干扰?

LED电源的工程师经常提及“恒流”驱动,其实,在很多电子设备中,有许多用电设备要求供给的电流(而不是....
发表于 07-08 08:43 96次 阅读
单片机和数字电路怎么抗干扰?

哪位大神告诉我,这个芯片是哪家的?

哪位大神告诉我,这个芯片是哪家的?怎么都查不到!拜托...
发表于 07-07 22:30 118次 阅读
哪位大神告诉我,这个芯片是哪家的?

芯片型号查询

请教哪位大神给看看,这个是哪家的芯片?怎么都查不到!多谢多谢,拜托各位大神!...
发表于 07-07 22:27 121次 阅读
芯片型号查询

高通携手Infinite,共同推动智能城市的数字化转型

值得注意的是,该计划是科技巨头Advantage Network的一项任务。最新的合作旨在创建一个端....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-07 17:13 340次 阅读
高通携手Infinite,共同推动智能城市的数字化转型

基于FPGA的硬件加速解决方案

FPGA加速卡采用CAPI接口设计,通过CAPI接口与P&P服务器紧密集成;应用于大数据分析、密码解....
发表于 07-07 16:16 42次 阅读
基于FPGA的硬件加速解决方案

基于ADI ADPD188BI 双光源集成烟雾传感器的智能气体感测模块

随着社会的进步和国民经济的发展,人们对于消防安全的重视程度越来越高,它是保证社会稳定健康发展的重点,....
发表于 07-07 16:00 60次 阅读
基于ADI ADPD188BI 双光源集成烟雾传感器的智能气体感测模块

基于高性能的Arm Cortex-A73的四核心64位处理器

在4K领域,MediaTek为对画面质量有着严苛标准的用户准备了MT9652这样的旗舰型高刷新率智能....
发表于 07-07 15:39 94次 阅读
基于高性能的Arm Cortex-A73的四核心64位处理器

关于LED灯带蓝牙芯片控制的解决方案介绍

LED灯带简介 LED灯带常规分为柔性LED灯带和LED硬灯条两种,但一般也包含了用线材连接LED的....
发表于 07-07 15:33 57次 阅读
关于LED灯带蓝牙芯片控制的解决方案介绍

芯片国产化刻不容缓,IC制造是大陆半导体发展的最大瓶颈

随着信息时代的来临,芯片广泛用于电脑、手机、家电、汽车、高铁、电网、医疗仪器、机器人、工业控制等各种....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-07 15:20 291次 阅读
芯片国产化刻不容缓,IC制造是大陆半导体发展的最大瓶颈

中芯国际即将上市,“国产芯”又进了一大步

中国本土晶圆代工龙头企业中芯国际的火速上市无疑是个让行业振奋的消息!中芯国际最近也更是频频登上网络热....
的头像 牵手一起梦 发表于 07-07 15:12 381次 阅读
中芯国际即将上市,“国产芯”又进了一大步

智能物联行业应用成为国内集成电路行业下游的主要应用领域

从市场需求角度分析,消费电子、高速发展的计算机和网络通信等工业市场、智能物联行业应用成为国内集成电路....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-07 14:17 1030次 阅读
智能物联行业应用成为国内集成电路行业下游的主要应用领域

AI芯片怎样支撑多姿多彩的人工智能应用落地?

目前消费类智能产品大量应用人工智能、大数据等技术,芯片作为硬件载体,承担了“让智能产品发挥作用”的功....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-07 14:12 150次 阅读
AI芯片怎样支撑多姿多彩的人工智能应用落地?

全球智慧城市计划的兴起成为AI边缘芯片组市场的主要推动力之一

用于边缘AI的新芯片技术的开发部分与以下事实相关:在设备上运行AI意味着无需将大量数据发送到中央云中....
的头像 我快闭嘴 发表于 07-07 13:37 418次 阅读
全球智慧城市计划的兴起成为AI边缘芯片组市场的主要推动力之一

异构集成的三个层次解析

  第一层 芯片异构   芯片级别的异构性是设备包内部的异构集成,与芯片概念密切相关。我们正在建造更复杂的系统,更大的系统...
发表于 07-07 11:44 80次 阅读
异构集成的三个层次解析

芯片设计中的低功耗技术介绍

  人们对低功耗设备和设计技术的兴趣激增。通过回顾已提出的降低功耗的技术,深入了解低功耗设计中的一些基本权衡。设计的主要...
发表于 07-07 11:40 71次 阅读
芯片设计中的低功耗技术介绍

芯片里面100多亿晶体管是如何实现的

  如今随着芯片制程的不断提升,芯片中可以有100多亿个晶体管,如此之多的晶体管,究竟是如何安上去的呢?   这是一个Top-...
发表于 07-07 11:36 73次 阅读
芯片里面100多亿晶体管是如何实现的

双端口SRAM如何提高系统的整体性能

SRAM 以其高速、静态的优点广泛应用于各种数字设备中,多被用作不同部件之间的缓冲,尤其在计算机体系架构中扮演着重要的角色...
发表于 07-06 16:26 955次 阅读
双端口SRAM如何提高系统的整体性能

用LM358运算放大器 放大正弦波必须采用双电源吗?

发表于 07-05 10:43 339次 阅读
用LM358运算放大器 放大正弦波必须采用双电源吗?

SiFotonics高速Ge/Si接收芯片解决方案

  概述:  SiFotonics具有世界领先的高速Ge/Si接收芯片成熟解决方案,可提供10G以上高灵敏度PD、APD以及Array芯片...
发表于 07-03 17:20 214次 阅读
SiFotonics高速Ge/Si接收芯片解决方案

电源适配器求助

求大神相助,我司有款电源适配器上面的芯片,丝印70DD,请问有谁知道型号是什么的吗? ...
发表于 07-03 11:15 211次 阅读
电源适配器求助

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 25次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 82次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 171次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 77次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 54次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 79次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 87次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 83次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 96次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 66次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 73次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 118次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 145次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 104次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 70次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 74次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 215次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
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NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
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NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
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AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5