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全球最大AI芯片:46225mm²,1.2万亿晶体管

芯智讯 2019-12-09 14:51 次阅读

当地时间8月18日,半导体行业盛会——Hotchips国际大会在美国斯坦福大学举行。在此次会上,芯片初创公司Cerebras在Hot  Chips上展出了号称是“世界上最大”的半导体AI芯片Wafer Scale Engine(以下简称“WSE”)。

全球最大AI芯片:46225mm²,1.2万亿晶体管

据介绍,WSE芯片基于台积电16nm工艺,核心面积超过46225mm²,集成了高达1.2万亿个晶体管。这是个什么概念呢?

目前最大的GPU芯片——NVIDIA用于AI加速的GV100大核心,集成了211亿晶体管(核心面积815mm²)。WSE芯片晶体管数量是这个最大的GPU芯片的60倍,面积则是它的56倍多。

以晶圆的面积来作为比较的话,WSE芯片的面积比8英寸的晶圆的面积还要大,当然,比12英寸的晶圆的面积还是要小一些。也就是说一块12英寸的晶圆可能只能产出一个WSE芯片,这确实有点吓人。全球最大芯片确实不是“浪得虚名”。

史上最大芯片跟网球对比

Cerebras 表示,如果没有多年来与台积电(TSMC)的密切合作,他们不可能取得这个创纪录的成就。台积电是全球最大的半导体代工厂,在先进工艺技术方面处于领先地位。WSE芯片由台积电采用先进的16nm制程技术制造

400000个AI优化的内核

WSE包含40万个AI优化的计算内核(compute cores)。这种计算内核被称为稀疏线性代数核(Sparse Linear Algebra Cores, SLAC),具有灵活性、可编程性,并针对支持所有神经网络计算的稀疏线性代数进行了优化。SLAC的可编程性保证了内核能够在不断变化的机器学习领域运行所有的神经网络算法。

由于稀疏线性代数内核是为神经网络计算进行优化的,因此它们可实现业界最佳利用率——通常是GPU的3倍或4倍。此外,WSE核心还包括Cerebras发明的稀疏捕获技术,以加速在稀疏工作负载(包含0的工作负载)上的计算性能,比如深度学习

零在深度学习计算中很普遍。通常,要相乘的向量和矩阵中的大多数元素都是0。然而,乘以0是浪费硅、功率和时间的行为,因为没有新的信息。

因为GPU和TPU是密集的执行引擎——引擎的设计永远不会遇到0——所以它们即使在0时也会乘以每一个元素。当50-98%的数据为零时,如深度学习中经常出现的情况一样,大多数乘法都被浪费了。由于Cerebras的稀疏线性代数核心永远不会乘以零,所有的零数据都被过滤掉,可以在硬件中跳过,从而可以在其位置上完成有用的工作。

超大的片上内存

内存是每一种计算机体系结构的关键组成部分。靠近计算的内存意味着更快的计算、更低的延迟和更好的数据移动效率。高性能的深度学习需要大量的计算和频繁的数据访问。这就要求计算核心和内存之间要非常接近,而在GPU中却不是这样,GPU中绝大多数内存都很慢,而且离计算核心很远。

WSE芯片包含了比迄今为止任何芯片都要多的内核和本地内存,并且在一个时钟周期内拥有18GB的片上内存。WSE上的核心本地内存的集合提供了每秒9 PB的内存带宽——比最好的GPU大3000倍的片上内存和10000倍的内存带宽。

低延迟、高带宽的独特通信结构

Cerebras WSE芯片内部拥有高达40万个内核,由于这些内核和片上内存都是集成在单个晶圆上互连的单芯片,核心更靠近内存,所有通信也都在芯片上进行,通信带宽高、延迟低,因此核心组可以以最高效率进行协作。

此外,WSE上还使用了处理器间通信结构Swarm,它以传统通信技术功耗的一小部分实现了带宽的突破和低延迟。Swarm提供了一个低延迟、高带宽的2D网格,它将WSE上的所有400,000个核连接起来,每秒的带宽总计达100 petabits。

要知道NVIDIA的NVLink 2.0最大带宽也不过300GB/s,算下来也就是2.4Tb/s,WSE的内部带宽是现有水平的3.3万倍之多。

路由、可靠的消息传递和同步都在硬件中处理。消息会自动激活每个到达消息的应用程序处理程序。Swarm为每个神经网络提供了一个独特的、优化的通信路径。软件根据正在运行的特定用户定义的神经网络的结构,配置通过400,000个核心的最优通信路径,以连接处理器。

典型的消息遍历一个具有纳秒延迟的硬件链接。一个Cerebras WSE的总带宽是每秒100 PB。不需要TCP/IP和MPI等通信软件,因此可以避免性能损失。这种结构的通信能量成本远低于远低于每比特 1 焦耳,比GPU低了近两个数量级。结合了巨大的带宽和极低的延迟,Swarm通信结构使 Cerebras WSE比任何当前可用的解决方案学习得更快。

为AI而生

正如前面所介绍的,Cerebras WSE中的46,225平方毫米的芯片面积上包含40万个AI优化的核心,无缓存、无开销的计算内核,以及和18千兆字节的本地化分布式超高速SRAM内存,内存带宽为每秒9 PB。这些核心通过细粒度、全硬件、片上网状连接通信网络连接在一起,可提供每秒100 petabits的总带宽。更多核心、更多本地内存和低延迟高带宽结构,共同构成了面向AI加速任务的最佳架构。

“Cerebras WSE”专为人工智能设计而设计,其中包含了不少基础创新,解决了限制芯片尺寸的长达数十年的技术挑战 - 如良品率,功率传送、封装等,推动了最先进技术的发展和包装,每个架构决策都是为了优化AI工作的性能。结果是,Cerebras WSE根据工作量提供了数百或数千倍的现有解决方案的性能,只需很小的功耗和空间。”Cerebras Systems首席执行官的Fieldman说。

通过加速神经网络训练的所有元素来实现这些性能提升。神经网络是一种多级计算反馈回路。输入在循环中移动速度越快,循环学习的速度越快,即训练时间越短。可以通过加速循环内的计算和通信来加速输入的循环速度。

“虽然AI在一般意义上被使用,但没有两个数据集或两个AI任务是相同的。新的AI工作负载不断涌现,数据集也在不断变大,”Tirias Research首席分析师兼创始人Jim McGregor在一份声明中表示。“随着AI的发展,芯片和平台解决方案也在不断发展。Cerebras WSE是半导体和平台设计方面的一项惊人的工程成就,它在单个晶圆级的解决方案中提供了超级计算机级的计算能力、高性能内存和带宽。”

Cerebras面临的挑战

Cerebras Systems公司位于美国加州Los Altos,拥有194名员工。Andrew Feldman是Cerebras Systems公司的CEO,他曾创建微型服务器公司SeaMicro,并以3.34亿美元的价格卖给了AMD

Cerebras CEO Fieldman与 SeaMicro box最初版本合影

芯片尺寸在AI任务中非常重要,因为大尺寸芯片可以更快地处理信息,在更短的时间内给出答案。这能够减少“训练时间”,使研究人员能够测试更多想法,使用更多数据并解决新问题。谷歌、Facebook、OpenAI、腾讯、百度和许多企业都认为,今天制约AI发展的基本限制是训练模型需要的时间太长。因此,缩短训练时间有望消除整个行业取得进步的主要瓶颈。

当然,芯片制造商通常不会制造这么大的芯片。在单个晶片的制造过程中通常会出现一些杂质。如果一种杂质会导致一块芯片发生故障,那么晶圆上的多种杂质就会导致多块芯片出问题。实际制造出的芯片产量仅占实际工作芯片的一小部分。如果晶圆上只有一个芯片,它有杂质的几率是100%,杂质会使芯片失效。但Cerebras设计的芯片留有冗余,一种杂质不会导致整个芯片都不能用。

不过即便如此,Cerebras WSE芯片的面积也已经超过了单个8英寸晶圆的面积,这也意味着制造一个WSE芯片可能就需要一个12英寸的晶圆,并且对于这个正方形的芯片来说,用12英寸的晶圆来生产还会有较大的浪费。此外,由于单个12英寸晶圆只能生产一个WSE芯片,这也使得WSE芯片的量产和良率提升将会变得非常的困难,成本也将极其的高昂。

如此大的面积将使得WSE芯片在后续的应用当中也将会遇到很多的问题,比如需要定制巨大的PCB板,贴片也是问题,还需要非常多的周边器件来配合,这也使得最终的终端产品体积将会非常的巨大,另外其功耗、散热也是很大的问题。根据官方的数据显示,WSE芯片的功耗为15千瓦。

所以,有网友质疑称,“这么大的芯片贴在PCB上,要是稍微出现热胀冷缩或者翘曲,焊球阵列可能得崩掉一片”。不过也有业内人士表示,“WSE芯片可以不需要PCB,数据直接接光模块传输”。

此外,要想很好的利用这颗芯片,必须要配套的系统和软件。官方称,WSE仅支持在极少数系统中运行,但是并未指出可以在哪些系统中运行。

而且WSE内部拥有40万个内核,如何合理的调配这40万个内核也是一个大的难题,如果不能最高效的让这40万个内核同时工作,那么做这么大个芯片其实是没有太大意义的。也就是说需要适合的任务和算法来配套发挥出WSE芯片的能力才有实际的意义。这就像超级计算机一样,如果没有适合的足够多的任务来满负荷运转,其实是会存在非常大的浪费的。

值得注意的是,随着摩尔定律的推进越来越困难,芯片的制造封装开始由传统的2D转向2.5D/3D,目前chiplet多个小芯片组合或堆叠在一起的2.5D/3D封装成为大势所趋,再加上新的高速互联技术的不断涌现,未来,WSE芯片这类的单晶圆芯片在低延迟上的优势可能将会被进一步弱化,但是WSE芯片所面临的量产、良率、成本、功耗、散热等问题却是非常难以解决的。

原文标题:4.6万mm²!40万核心!全球最大AI芯片意义何在?

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NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

低压降(LDO)线性稳压器专为需要低噪声工作,快速响应时间和低压差的便携式电池供电应用而设计。该器件无需外部噪声旁路电容即可实现低噪声性能。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,以及电流限制和温度限制保护电路。 NCP500 LDO线性稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器一起使用,要求最小输出电容为1.0 mF。标准电压版本为1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 150 mA时超低压降170 mV 快速启用20微秒的开启时间 1.8 V至6.0 V的宽工作电压范围 出色的线路和负载调节 高精度输出电压2.5% 启用可以通过1.0 V逻辑直接驱动 非常小的QFN 2x2封装 无铅封装可能有售。* G-Suffix表示无铅铅...
发表于 08-13 17:36 54次 阅读
NCP500 LDO稳压器 150 mA 低压差 低噪声

NCV663 LDO稳压器 100 mA 超低Iq

系列低静态电流低压降(LDO)线性稳压器最初设计用于手持通信设备和便携式电池供电应用,可用于需要超低静态电流的汽车应用。它应该用作后置调节器件,因为该产品不能防止汽车电池工作所固有的高输入瞬态电压。 该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻器,以及电流限制和温度限制电路等保护功能。 NCV663设计用于低成本陶瓷电容器,需要最小0.1μF的输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。提供无铅电镀选项。 标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V. 特性 超低静态电流2.5 uA典型 低输出电压选项低至1.5V,输出电压精度为+/- 2%。 温度范围-40C至125C 集成保护:电流限制,热关断 AEC合格 PPAP Capable 应用 终端产品 信息娱乐:卫星广播,导航系统 Body ElectronicS 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 14:02 20次 阅读
NCV663 LDO稳压器 100 mA 超低Iq

NCP7800 线性稳压器 1 A 高PSRR

0系列由3引脚,固定输出,正线性稳压器组成,适用于各种应用。这些稳压器非常坚固,内置电流限制,热关断和安全区域补偿。通过足够的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。这些产品可直接替代流行的MC7800系列,提供增强的ESD保护。 特性 优势 输出电流超过1.0 A 适用于各种各样的应用程序 无需外部组件 设计简单并且非常划算 内部热过载保护 可在各种操作条件下使用 内部短路电流限制 坚固耐用 标准版3 Lea中提供d晶体管封装 出色的功耗 增强型ESD容差:HBM 4 kV(5 V和8 V选项),3 kV(12 V和15 V选项)和MM 400 V 降低最终产品装配过程中受损的风险 这些是无铅设备 符合监管要求且环保 输出晶体管SafeArea补偿 输出电压提供4%容差 对于更严格的公差和扩展的工作范围请参阅MC7800 应用 终端产品 电源 船上监管后 工业和消费者应用 冰箱,空调,家用电器 电视,机顶盒,天线驱动器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 41次 阅读
NCP7800 线性稳压器 1 A 高PSRR

NCV7693 3通道控制器 带有汽车LED灯诊断功能

3是一种驱动多个外部开关元件的设备,可实现3个独立功能。可以通过适当选择占空比和电池电压来调节每个LED串中的平均电流。该设备的目标应用是汽车后组合灯。每个驱动器都有自己的诊断功能,可以检测开路负载,接地短路或电池.LED平均亮度水平可通过适当的占空比控制和与开关晶体管串联的外部电阻轻松编程。多串LED可通过单个NCV7693器件运行。该器件采用TSSOP-14封装。 特性 3x脉冲宽度调制(PWM)控制 每个功能的独立诊断反馈 外部切换用于宽电流范围灵活性的装置 外部电阻器定义最大电流 打开LED灯串诊断 短 - 电路LED灯串诊断 热关断诊断和保护 PWM输入引脚上的短路保护 多个LED灯串控制 TSSOP-14包 AEC-Q100合格且PPAP能力 应用 后组合灯(RCL) 日间行车灯(DRL) 雾灯 中央高位刹车灯(CHMSL)阵列 转向信号 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 11:02 33次 阅读
NCV7693 3通道控制器 带有汽车LED灯诊断功能

NCP502 LDO稳压器 80 mA 低Iq

系列固定输出低静态电流低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP502系列具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP502设计用于低成本陶瓷电容器。 LDO线性稳压器采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,2.9,3.0,3.1,3.3,3.4,3.5,3.6,3.7,3.8和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 典型值为40μA的低静态电流 优良线路和负载调节 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 应用 手机 电池供电消费品 手持式仪器 可携式摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 10:02 15次 阅读
NCP502 LDO稳压器 80 mA 低Iq

NCP512 LDO稳压器 80 mA 低压差 低Iq

固定输出低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP512具有40μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP512设计用于低成本陶瓷电容。 LDO采用微型SC70-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.2,2.5,2.7,2.8,3.0,3.1,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流40μA典型 低压差250 mV,80 mA 低输出电压选项 输出电压精度2.0% 工业温度范围-40° C到85°C 应用...
发表于 07-30 10:02 12次 阅读
NCP512 LDO稳压器 80 mA 低压差 低Iq

NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

固定输出LDO线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP699系列具有40 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的内部电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP699设计用于低成本陶瓷电容器。该器件采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.4,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.1,3.3,3.4和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 优势 极低地电流为40 uA典型 最大限度地降低功耗 150 mA时的低压差340 mV和3.0 V Vout 延长电池使用量。保留更长的监管 启用控制(高电平有效,支持低于1伏逻辑) 输出电压精度为2.0% 工作温度范围-40C至+ 85C 使用1 uF陶瓷或钽电容器稳定 应用 终端产品 移动电话 电池供电的消费产品 HandHeld Instruments 打印机和办公设备 摄像机和相机 打印机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 38次 阅读
NCP699 LDO稳压器 150 mA 带使能

NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

列固定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5 uA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP698系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP698设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.3,1.5,1.8,2.5,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可提供无铅电镀选项。 特性 优势 超低静态和接地电流 最小化功耗 低压差 延长电池使用时间。保留更长的监管。 低输出电压选项 输出电压准确度为2.0% 温度范围-40C至85C 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 09:02 44次 阅读
NCP698 LDO稳压器 150 mA 超低Iq

NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

定输出低压差(LDO)线性稳压器专为需要低静态的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列具有2.5μA的超低静态电流。每个器件都包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP562系列提供用于ON / OFF控制的使能引脚。 NCP562设计用于低成本陶瓷电容器,需要0.1μF的最小输出电容。该器件采用微型SC82-AB表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,3.5和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。可以使用无铅电镀选项。 特性 典型值为2.5μA的低静态电流 低输出电压选项 输出电压精度为2.0% -40°C至85°C的温度范围 NCP562提供启用引脚 Pb - 免费套餐可用 应用 终端产品 电池供电仪器 手持式仪器 摄像机和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 51次 阅读
NCP563 LDO稳压器 80 mA 超低Iq

NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

固定输出低静态电流低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 NCP511具有40μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管,用于设置输出电压的电阻,电流限制和温度限制保护电路。 NCP511设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为1.0 5F。 LDO采用微型TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低典型值为40μA的静态电流 100 mA时100 mV的低压差电压 出色的生产线和负荷调节 最大工作电压6.0 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.0% 工业温度范围-40°C至85°C 无铅封装可用 应用 手机 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 08:02 38次 阅读
NCP511 LDO稳压器 150 mA 超低压差 低Iq

MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

0负线性稳压器用于补充流行的MC78M00系列器件。 可提供-5.0,-8.0,-12和-15 V的固定输出电压选项,该负线性稳压器采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数操作下非常坚固条件。通过充分的散热,可以提供超过0.5 A的输出电流。 规格: MC79M00B MC79M00C 公差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 DPAK,TO-220 DPAK,TO-220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 也可用于表面贴装DPAK(DT)封装器件类型/标称输出电压MC79M05 -5.0 VMC79M 12-12 V MC79M08-8.0 VMC79M15-15 V 无铅封装可能有效。 G-Suffix表示 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 07:02 77次 阅读
MC79M LDO稳压器 500 mA 5 V 负极

MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电路而设计。该器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案,同时将功率损耗降至最低。线性稳压器由1.0 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限制组成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3表面贴装功率封装。 应用包括有源SCSI-2端接器和开关电源的后置调节。 特性 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流超过800 mA 热保护 短路保护 输出调整为1.4%容差 无需最低负载 节省空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8表面贴装电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 55次 阅读
MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

00低压降(LDO)线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。 MC78LC00系列具有1.1μA的超低静态电流。每个LDO线性稳压器包含一个电压基准单元,一个误差放大器,一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00低压降(LDO)线性稳压器设计用于低成本陶瓷电容器,要求最小输出电容为0.1μF。 LDO采用微型薄型SOT23-5表面贴装封装和SOT-89,3引脚封装。标准电压版本为1.5,1.8,2.5,2.7,2.8,3.0,3.3,4.0和5.0 V.其他电压可以100 mV步进。 特性 低静态电流1.1μA典型 出色的线路和负载调节 最大工作电压12 V 低输出电压选项 高精度输出电压2.5% 工业温度范围-40°C至85°C 两个表面贴装封装(SOT-89,3针或SOT-23,5针) 无铅封装可用 应用 电池供电仪器 手持式仪器 Camcorde rs和相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 95次 阅读
MC78LC LDO稳压器 80 mA 超低Iq

MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

固定输出负线性稳压器旨在作为流行的MC7800系列器件的补充。该负电压调节器提供与MC7800器件相同的七电压选项。此外,负系统MC7900系列还提供MECL系统中常用的一个额外电压选项。 这些线性稳压器具有-5.0 V至-24 V的固定输出电压选项,采用限流,热关断和安全区域补偿 - 使其在大多数工作条件下非常坚固。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。 规格: MC7900AC MC7900B MC7900C 容差 2% 4% 4% 温度范围 0°C至+ 125°C -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125° C 包装 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO-220 D2PAK,TO -220 特性 无需外部组件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 2%电压T可用油酸(参见订购信息) 无铅包可能有货。 G-Suffix表示无铅铅涂层。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 50次 阅读
MC7900 线性稳压器 1 A 5 V 负极

NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 可编程扩频 EMI降低 打嗝过流保护 短路事件期间降低功率 个别复位引脚可调延迟 电压监控 带有可湿性侧面...
发表于 07-30 05:02 65次 阅读
NCV97310 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 47次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

10是3输出稳压器,由低Iq电池连接的3 A 2 MHz非同步开关和两个低压1.5 A 2 MHz同步开关组成;所有都使用集成功率晶体管。高压开关能够以4.1 V恒定的开关频率将4.1 V至18 V电池输入转换为5 V或3.3 V输出,提供高达3 A的电压。在过压条件下,最高可达3 A. 36 V,开关频率折回1 MHz;在高达45 V的负载突降条件下,稳压器关闭。电池连接降压稳压器的输出用作2个同步开关的低压输入。每个下行输出可在1.2 V至3.3 V范围内调节,具有1.5 A电流限制和恒定的2 MHz开关频率。每个开关都有独立的使能和复位引脚,提供额外的电源管理灵活性。对于低Iq工作模式,低压开关被禁用,待机轨由低Iq LDO(高达150 mA)供电,具有典型功能Iq为30 uA。 LDO稳压器与高压开关并联,并在切换器强制进入待机模式时激活。所有3个SMPS输出均采用峰值电流模式控制,内部斜率补偿,内部设置软启动,电池欠压锁定,电池过压保护,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。错误标志可用于诊断。 特性 优势 打嗝过流保护 在短路事件期间降低功耗 具有可调延迟的单个复位引脚 电压监控 可编程扩频 EMI降低 带有可...
发表于 07-30 04:02 41次 阅读
NCV97310A 具有3个降压稳压器的多输出电源管理单元(PMU)

NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...
发表于 07-30 02:02 58次 阅读
NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 01:02 46次 阅读
NCV8843 降压稳压器 1.5 A 340 kHz 具有同步功能

MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极

0 / MC78M00A正线性稳压器与流行的MC7800系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:
发表于 07-29 21:02 67次 阅读
MC78M 线性稳压器 500 mA 5至24 V 高PSRR 正极