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听说2020年将迎来行业大复苏,这是真的吗?

2019-11-13 18:11 次阅读

在年中预测时,就有一些观点认为:当渠道开始削减库存时,往往会一下削减得太深。如果这次产业库存大调整也是这样的话,行业很有可能会在第四季度看到这一点。

在已经过去的第三季度,市场确实迎来了季节性上涨。(通常而言, 从夏季到年底的圣诞季,全球电子行业会经历一场季节性的上涨。)然而,今年秋季的回升势头似乎并没有理想中的那么强劲。

目前,已陆续有多家调研机构,对全球四季度半导体行业的表现以及2020的展望,提出了自己的预判:从全球经济研判到PMI走势,从2020年最有可能的市场推动点,到相关受益的元器件分类预测。

三季度,温和的季节性复苏!

根据Custer Consulting Group公司所收集的地区与企业数据所得出的最新统计显示(截止9月份),全球电子设备出货量在三季度出现正常化的季节性上升迹象。但同比去年增长依然略显疲软。根据初步数据,2019年9月全球电子设备销售较2018年9月下降3.1%,但较2019年8月上升了13.2%(下图)。

全球PCB出货量也证实了第三季度所经历的季节性增长,但尚不清楚是否会达到2018年的峰值(下图)。

季节性上涨与复苏的差距

该机构同时指出,如果将基于美国、欧洲、日本、台湾/中国和韩国地区数据的全球电子设备出货增长模型,与213家OEM公司的销售综合数据进行比较,可以认为人们期待已久的“电子行业复苏”似乎至少还有3-6个月的时间窗口(下图)。

收缩在拐角的半导体

包括全球采购经理人指数、电子设备、PCBs和半导体出货量的月度3/12增长率仍处于收缩区间内(3/12<1),如下图所示。

半导体设备销售也处于转折点

下图以3个月的平均值显示了全球半导体设备发货量销售正在好转中。虽然,我们离2018年5月的最高点还很远。

恢复平衡的PMI指标

9月份全球制造业PMI已回升至收支平衡(下图),表明世界制造业活动摆脱收缩区域。

然而,国际货币基金组织(IMF)在其10月最新更新的全球预测报告中再次下调经济增长预期。IMF指出,贸易战将使全球经济增长降至10年前金融危机以来的最低水平,全球商业环境仍非常脆弱,世界经济同步放缓,前景堪忧。

 “全球经济正在同步放缓,我们再次将2019年的增长率下调至3%,这是全球自金融危机(2008-09)以来最慢的增速,较2019年4月份的世界经济展望预测再次下调0.3个百分点。贸易壁垒上升和地缘政治紧张局势加剧,继续削弱我们估计的增长,预计到2020年,经济增长率将回升至3.4%(该数据同样与4月份预测相比下降了0.2个百分点)。”

四季度:最是乍暖还寒时

回到元器件方面,分析机构VLSI research也肯定了三季度回暖的事实,并认为目前半导体已跳出冰冻期,逐步回暖,4季度半导体的销售表现将有所好转,但仍不稳定。

根据VLSI research的半导体周报显示,与第三季度第一周相比,2019年第四季度的第一周开局表现强劲,已实现连续12周W/Q增长,这是自2017年以来从未出现过的情况,元器件的价格也有所提振。

但进到十月的第二周,情况又有所逆转,一改先前的增长态势。除逻辑器件是唯一保持积极的产品外,DRAM、NAND、汽车电子都表现欠佳。

在第三周,半导体市场继续回暖势头明显:与上季度同期相比继续上涨,但依然低于去年同期,随着行业的回暖和供应过剩状况的改善,复苏趋势正在蔓延。

或许是在假日效应的带动下,10月的最后一周,非内存市场的平均销售价格上涨,带动半导体市场继续增长。由于DRAM的过剩,Memory仍表现不佳,但伴随着市场环境的改善,总体看来2019年第四季度半导体供需将继续改善。

进到11月, NAND和DRAM开始从大跌中复苏。模拟与被动器件、汽车件也扩大了周涨幅。

可能推动2020年复苏的几大增长点

2020年,智能手机开始复苏

在经历2019年的出货下跌后,市场预计智能手机的出货量将在2020年开始复苏。

据Digitimes Research估计,在2019-2024年的5年预测期内,受新兴市场对入门级智能手机的替代需求和5G网络商业化的推动,全球智能手机出货量预计将以3.8%的复合年增长率增长。智能手机出货量将在2020年开始复苏,并在2022年有望达到15亿部以上,2024年有望达到16亿部。

虽然5G并未在2019年带给智能手机太多惊喜!按DigiTimes Research的估计,2019年,支持5G的智能手机出货量将不足1000万部。

但在2020年将增长近20倍至1.75亿部。随着5G网络的日益普及和相关5G服务的普及,5G手机的价格将在预测期内继续下降,并最终在2024年将5G机型的比例提升至全球智能手机出货量的近50%。

持相似观点的机构不在少数,Strategy Analytics也认同:2020年5G手机的销量将飙升。

Strategy Analytics在一份最新发布的报告中预测,尽管2019年开局乏力,5G仍具备良好的起飞条件。一旦价格下跌,2020年5G网络建设规模扩大,增长将是迅速的。

Strategy Analytics同时估计,2019年销售的手机中,5G设备将不到1%,但2020年这一比例将增长至近10%。到2025年,5G手机销量将超过10亿部。

服务器市场库存消化也接近尾声

另据DigiTimes Research的数据表明,由于客户库存水平较高,服务器行业2019年表现疲弱,但随着客户库存消化接近尾声,预计2020年全球服务器出货量将同比增长5%左右。

根据DigiTimes Research最新的5年服务器预测报告,驱动服务器市场从2019年到2024年的主要因素有三个:越来越多的企业开始推动数字化转型,人工智能应用越来越受欢迎,云数据中心公司正热切地推广混合云系统。

预计从2023年开始,5G数据传输量的激增也将提振服务器需求。

DigiTimes Research的数据显示,从2019年到2024年,全球服务器出货量的复合年增长率将达到6.5%。着眼于潜在的需求,微软、亚马逊网络服务(AWS)、谷歌和Facebook都计划在全球建立新的数据中心。

智能家居发力2020

徘徊在不温不火边缘的智能家居市场终于要火了?据Strategy Analytics预计,2019年全球智能家居市场将突破1000亿美元。

据Strategy Analytics统计显示,2019年消费者在智能家居相关硬件、服务和安装费方面的支出将达到1030亿美元,到2023年将以11%的复合年增长率增长至1570亿美元。

根据《2019年全球智能家居市场》(2019 Global Smart Home Market)报告预测,2019年,设备支出将占总支出的54%,即550亿美元,到2023年将以10%的复合年增长率增长至810亿美元。

智能锁市场可以说是最活跃的智能家居市场之一,仅次于智能灯具市场。由数百家初创企业点缀着竞争格局。其潜力也吸引了软件公司、服务提供商以及硬件制造商们的加入。

Strategy Analytics同时认为,随着竞争的加剧,智能锁的平均售价将在未来几年内下降。

2020年全球可穿戴设备支出将增长27%

根据Gartner公司的最新预测,到2020年,全球终端用户在可穿戴设备上的支出将达到520亿美元,比2019年增长27%。

2019年,全球可穿戴设备最终用户支出有望达到410亿美元。终端用户将在智能手表和智能服装上花费最多,其2020年的支出将分别增长34%和52%。

Gartner高级研究总监Ranjit Atwal表示:“更多用户正在用智能手表取代腕带。虽然品牌领导者苹果和三星在智能手表领域的定价很高,但小米和华为等价格较低的厂商将用较低成本的智能手表来制衡高价的智能手表。我们预计智能手表的平均售价将在2020年至2021年间下降4.5%。”

5G吹动元器件复苏的春风

虽然2019年的“5G元年“似乎并没有对元器件增长发挥作用,但产业仍对5G、人工智能等技术迎来新一轮的爆发式增长保持信心。

在5G时代,智能终端的形式不再局限于智能手机,还有智能可穿戴设备、智能家电、智能网联汽车、智能机器人等数以万亿级的终端。

无论是网络设备升级还是终端设备的多样化设计都要依托关键元器件技术的革新,这些都为电子元器件的发展带来了新的发展机遇。

受5G驱动,2020年无源产品市场将迎来反弹

根据DigiTimes于2019年9月30日发表的文章指出,无源元件市场可能在2019年第四季度触底,并在2020年5G商业化方面助力下逐步反弹。

报道引述消息人士的信息,MLCC制造商Yageo和Walsin的产能利用率正在出现回升迹象,而上游材料供应商Leatec Fine Ceramics和Prosperity Dielectrics、电感器生产商Chilisin Electronics和ABC Taiwan Electronics以及渠道分销商Honey Hope Honesty,Nichidenho和Holy Stone也表示可能在第四季度晚些时候看到订单提升。

该消息人士认为,在策略性降低库存调整率后,两家主要的MLCC供应商的产能利用率最近都反弹至50%以上,MLCC价格下跌可能在第四季度缩小至3-5%的范围。

预计从10月份开始,随着中国、美国和欧洲的传统购物季,对笔记本和PC等消费电子设备需求的提升,MLCC的需求也将出现增长,但需求是否会因英特尔CPU短缺的重现而受到影响,还有待观察。

另据半导体供应来源显示,预计到2020年,全球5G智能手机出货量将从2019年的1000万部左右猛增至1.4-2亿部,这将大大推动包括MLCC、感应器和天线在内的各种无源元件的需求,仅MLCC的需求量在2020年可能同比增长20%。

预计2020年及以后,5G基础设施和工业控制应用领域对中低容量MLCC的市场需求将稳步增长。已有公司投入巨资开发LTCC(低温共烧陶瓷)加工技术和陶瓷天线,寻求从5G射频(Radio Frequency)应用中发掘商机。

5G加速手机RF前端成长

根据Yole Développement(Yole)的最新报告显示,2018年至2025年间,射频前端市场的复合年增长率为8%。Yole的RF团队表示,2018年该市场接近150亿美元,而到2025年,将达到258亿美元。

Yole的技术与市场分析师Antoine Bonnabel称:“预计2018-2025年集成模块的复合年增长率将达到8%,而同期分立部件的复合年增长率将达到9%。在分立部件中,天线调谐器将以13%的复合年增长率达到最快增长,因为实现更高的频带和4×4 MIMO的组合,导致天线/天线调谐器的数量不断增加。”

除了RF前端外,行业也同时看好在 5G 拉动下的 PCB 新行情,认为5 G将成为未来3年PCB行业的核心推动力。

微处理器销售有望于2020年小幅反弹

据IC Insights最新预测介绍,由于智能手机出货疲软、数据中心电脑库存过剩以及美中贸易战的全球影响,微处理器市场在2010年至2018年间,连续9年创下年度销售新高的记录,将在今年被打破,预计年底全球MPU收入将下降4%,至773亿美元左右。

但根据IC Insights在2019年McClean报告的年中更新版中,对MPU的展望并预计2020年微处理器销量将温和反弹,增长2.7%至793亿美元(下图),随后预计在2021年达到创纪录的约823亿美元水平。

南亚科总裁预计DRAM价格将在2020年反弹

在10月份营运状况的发布会上,存储器厂南亚科技总经理李培瑛表示,虽然服务器DRAM需求开始有起色,出货量正在上扬,但总体市场仍然低迷,未来库存去化仍是重点。

而就第4季的整体情况分析,李培瑛指出,总体经济不确定性仍将持续。而在第3季旺季效应在出货量上扬,库存降低的情况下,加上云端服务器需求逐渐增加,手机新机搭载量成长,个人电脑出货量下半年优于上半年,消费型电子产品需求稳定,这使得预期第4季DRAM供需平稳,价格持平或小幅涨跌。

另外,李培瑛还强调,因为大厂的库存消化已达健康水位,且至少还有两家厂商酝酿价格反弹,加上2020年在厂商的资本支出方面又偏保守,预计2020年市况一定会反转,只是时间点仍待进一步观察。

不过,根据调查研究单位集邦咨询(TrendForce)的说法,近期DRAM价涨主要是日本强化管制电子材料出口消息所致,但韩国DRAM厂生产实际上并未受到影响,所以如今价格回档,预计2019年第4季合约价将跌5%,且可能会延续到2020年第1季。


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ROHM EEPROM支持SPI总线接口,串行3线接口和2线I2C接口方法。输入电压范围:1.6V~5.5V;2.5V~5.5V;2.7V~5....
发表于 11-15 09:16 146次 阅读
ROHM BR24T系列 EEPROM存储器

电力半导体模块有什么特点?

模块化,按最初的定义是把两个或两个以上的电力半导体芯片按一定的电路结构相联结,用RTV、弹性硅凝胶、环氧树脂等保护材料,...
发表于 11-11 09:02 416次 阅读
电力半导体模块有什么特点?

新手求教,怎么系统的学习一下存储器这个方向的知识?等待中。。。

就是想系统学习下存储器这方面的知识,零散的学习总觉得不对胃口。感谢大神知识。 先看什么书籍后看什么  谢谢 ...
发表于 11-10 13:48 401次 阅读
新手求教,怎么系统的学习一下存储器这个方向的知识?等待中。。。

如何设计抗SEU存储器电路中的FPGA?

随着我国航空航天事业的迅猛发展,卫星的应用越来越广泛。然而,太空环境复杂多变,其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子,它们...
发表于 11-08 07:57 60次 阅读
如何设计抗SEU存储器电路中的FPGA?

压力传感器的应用前景在哪里?

传感器技术是现代测量和自动化系统的重要技术之一,从宇宙开发到海底探秘,从生产的过程控制到现代文明生活,几乎每一项技术都离不开...
发表于 11-08 07:29 134次 阅读
压力传感器的应用前景在哪里?

如何在块存储器中写入和读取矩阵?

你好, 继续这条消息: 我要将数据矩阵存储在fpga而不是LUT的块存储器中作为内存! 因为基于我编写的代码中的上述链接,...
发表于 11-07 07:30 85次 阅读
如何在块存储器中写入和读取矩阵?

精密组件,半导体和材料测量的新标准

A new standard for precise component, semiconductor and material measurements...
发表于 11-06 14:21 92次 阅读
精密组件,半导体和材料测量的新标准

DS2430A有什么基本结构?

DS2430A是256位一线式EE-PROM,具有3引脚TO-92小体积封装形式或6引脚TSOC表面贴封装形式,能安装到印制电路板上或...
发表于 11-06 07:24 139次 阅读
DS2430A有什么基本结构?

LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线串行接口(I 2 C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:23 24次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 138次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 62次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 53次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 69次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 120次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 14次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 14次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 18次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 16次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 10次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 18次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 70次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 90次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 108次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 88次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 82次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
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CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
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CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI