侵权投诉

基于UCC21225A隔离双路栅极驱动和参考设计

2019-08-04 10:28 次阅读

The UCC21225A is an isolated dual-channel gatedriver with 4-A source and 6-A sink peak current in a5-mm x 5-mm LGA-13 package. It is designed todrive power transistors up to 5-MHz with best-in-classpropagation delay and pulse-width distortion.

The input side is isolated from the two output driversby a 2.5-kVRMS isolation barrier, with 100-V/nsminimum common-mode transient immunity (CMTI)。

Internal functional isolation between the twosecondary side drivers allows working voltage up to700-VDC.This driver can be configured as two low-side, twohigh-side, or a half-bridge driver with programmabledead time (DT)。 A disable pin shuts down bothoutputs simultaneously when it is set high, and allowsnormal operation when left open or grounded.

The device accepts VDD supply voltages up to 25-V.A wide input VCCI range from 3-V to 18-V makes thedriver suitable for interfacing with both analog anddigital controllers. All the supply voltage pins haveunder voltage lock-out (UVLO) protection.

With all these advanced features, the UCC21225Aenables high power density, high efficiency, androbustness in a wide variety of power applications.

UCC21225A主要特性:

1• Universal: Dual Low-Side, Dual High-Side or Half-Bridge Driver

• 5 x 5 mm, Space-Saving LGA-13 Package

• Switching Parameters:

– 19-ns Typical Propagation Delay

– 5-ns Maximum Delay Matching

– 6-ns Maximum Pulse-Width Distortion

• CMTI Greater than 100-V/ns

• 4-A Peak Source, 6-A Peak Sink Output

• TTL and CMOS Compatible Inputs

• 3-V to 18-V Input VCCI Range

• Up to 25-V VDD with 5-V UVLO

• Programmable Overlap and Dead Time

• Rejects Input Transients Shorter than 5-ns

• Fast Disable for Power Sequencing

• Safety-Related Certifications:

– 3535-VPK Isolation per DIN V VDE V 0884-11:2017-01

– 2500-VRMS Isolation for 1 Minute per UL 1577

– CQC per GB4943.1-2011 (Planned)

UCC21225A应用:

• Server, Telecom, IT and Industrial Infrastructures

• DC-DC and AC-to-DC Power Supplies

• Motor Drive and DC-to-AC Solar Inverters

• HEV and BEV Battery Chargers

图1. UCC21225A框图

图2. UCC21225A功能框图

图3. UCC21225A典型应用电路图

10kW三级三相连接电网太阳能逆变器的参考设计TIDA-0160610-kW

This reference design provides an overview on how toimplement a three-level, three-phase, SiC-basedDC/AC grid-tie inverter stage. A higher switchingfrequency of 50 kHz reduces the size of magnetics forthe filter design and as a result a higher power density.SiC MOSFETs with switching loss ensures higher DCbus voltages of up to 1000 V and lower switchinglosses with a peak efficiency of 99%. This design isconfigurable to work as a two-level or three-levelinverter.

参考设计TIDA-0160610-kW主要特性:

• Rated Nominal and Max Input Voltage at 800-Vand 1000-V DC

• Max 10-kW/10-kVA Output Power at 400-V AC50- or 60-Hz Grid-Tie Connection

• Operating Power Factor Range From 0.7 Lag to0.7 Lead

• High-Voltage (1200-V) SiC MOSFET-Based Full-Bridge Inverter for Peak Efficiency of 98.5%

• Compact Output Filter by Switching Inverter at50 kHz

• 《2% Output Current THD at Full Load

•Isolated Driver ISO5852S With Reinforced Isolationfor Driving High-Voltage SiC MOSFET andUCC5320S for Driving Middle Si IGBT

• Isolated Current Sensing Using AMC1301 for LoadCurrent Monitoring

• TMS320F28379D Control Card for Digital Control

参考设计TIDA-0160610-kW应用:

• Solar String Inverters

• Solar Central Inverters

图4.参考设计TIDA-0160610-kW外形图

图5.参考设计TIDA-0160610-kW框图

参考设计TIDA-0160610-kW主要指标:

图6.二级三相逆变器架构图

图7.二级单相逆变器腿图

图8.三级T型三相逆变器架构图

图9.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(1):逆变器栅极驱动器

图10.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(2):逆变器栅极驱动器

图11.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(3):ISO HV卡

图12.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(4):ISO HV卡

图13.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(5):ISO HV卡

图14.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(6):电源控制卡

图15.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(7):电源控制卡

图16.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(8):电源控制卡

图17.参考设计TIDA-0160610-kW电路图(9):电源控制卡

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

随着半导体工艺技术步入纳米阶段,在单一芯片中集成上亿晶体管已经成为现实,据ITRS(Internat....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-22 10:12 65次 阅读
NoC技术的应用优势、关键技术难点及发展趋势分析

摩尔定律也促进了人工智能的大发展

摩尔定律指出,每隔18~24个月,同样计算力的芯片可以用一半左右的价格买到,这是通过在同样的芯片面积....
的头像 倩倩 发表于 01-18 16:38 409次 阅读
摩尔定律也促进了人工智能的大发展

晶体管交流调压器电路图

它能将100~270V电压自动调节在180~240V之间,适用电网电压不稳定地区家庭中的电视机、电冰....
的头像 陈翠 发表于 01-18 16:00 59次 阅读
晶体管交流调压器电路图

iPhone 12系列的5nm A14芯片超125亿颗晶体管

今年的iPhone 12系列依然有不少看点,比如首次支持5G网络、后置四摄(加入ToF)、搭载5nm....
的头像 汽车玩家 发表于 01-17 09:10 442次 阅读
iPhone 12系列的5nm A14芯片超125亿颗晶体管

基于氮化镓场效应晶体管的EPC9144演示板具备快速转换性能

EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-16 09:48 216次 阅读
基于氮化镓场效应晶体管的EPC9144演示板具备快速转换性能

FPGA系统设计的静态功耗和动态功耗分析与进行仿真建模

功耗一般由两部分组成:静态功耗和动态功耗。静态功耗也称为待机功耗,是指逻辑门没有开关活动时的功率消耗....
的头像 牵手一起梦 发表于 01-16 09:46 186次 阅读
FPGA系统设计的静态功耗和动态功耗分析与进行仿真建模

中科院研发出了一种2nm及以下工艺的新型晶体管

目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了....
发表于 01-16 08:48 268次 阅读
中科院研发出了一种2nm及以下工艺的新型晶体管

模拟电子设计导论PDF电子书免费下载

本书适合作为模电翻转课堂和电子设计竞赛培训的教材,立足于电子系统设计,基于TI模拟技术及MCU平台,....
发表于 01-15 16:15 93次 阅读
模拟电子设计导论PDF电子书免费下载

怎么样才能设计实现射频功率放大器的稳定性

射频功率放大器在通信系统中已经得到大量应用,在实现信号放大功能中属于关键性构成组件部分。研制射频功率....
发表于 01-15 16:14 100次 阅读
怎么样才能设计实现射频功率放大器的稳定性

我国研发出新型垂直纳米环栅晶体管 国产2nm芯片有望

近日,中科院对外宣布,中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺....
的头像 半导体动态 发表于 01-15 09:40 1031次 阅读
我国研发出新型垂直纳米环栅晶体管 国产2nm芯片有望

GP2Y1010AUOF灰尘传感器的使用说明

GP2Y1010AUOF 是日本夏普公司开发的一款光学灰尘浓度检测传感器。此传感器内部成对脚分布的红....
发表于 01-14 17:02 106次 阅读
GP2Y1010AUOF灰尘传感器的使用说明

IGBT RBSOA失效的原因有哪些?应该如何改善

一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时,器件在较低的关断电流下就发生了损坏。失效分析显....
发表于 01-14 16:16 86次 阅读
IGBT RBSOA失效的原因有哪些?应该如何改善

汽车交流发电机电压调节器原理

交流发电机端电压受转速和负载变化的影响较大,因此必须配用电压调节器来控制电压。电压调节器的功用是:在....
发表于 01-14 08:58 166次 阅读
汽车交流发电机电压调节器原理

CPU如何控制单极性晶体管

MOSFET是场效应管,是一种压控型半导体器件,具有三个电极,分别为漏极、源极和栅极,有NMOS和P....
的头像 陈翠 发表于 01-11 10:18 579次 阅读
CPU如何控制单极性晶体管

CPU如何控制双极性晶体管

三极管是一种流控型器件,具有三个电极,分别为基极、集电极和发射极。通过基极微小的电流可以驱动集电极和....
的头像 陈翠 发表于 01-11 10:16 498次 阅读
CPU如何控制双极性晶体管

GP2Y1010AU0F灰尘传感器的使用程序免费下载

Sharp‘s GP2Y1010AU0F 是一款光学空气质量传感器,设计用来感应空气中的尘埃粒子,其....
发表于 01-10 16:49 82次 阅读
GP2Y1010AU0F灰尘传感器的使用程序免费下载

制作三管调频无线话筒的详细资料说明

该话筒采用直接调频方式,中心频率为90MHz,发射功率约0.5W,最大频偏士50kHz,发射距离不小....
发表于 01-10 11:45 108次 阅读
制作三管调频无线话筒的详细资料说明

MOS管的基础知识合集免费下载

MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(M....
发表于 01-09 08:00 209次 阅读
MOS管的基础知识合集免费下载

IGBT的基本结构是怎么样的

绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会....
发表于 01-08 16:39 191次 阅读
IGBT的基本结构是怎么样的

如何使用ADS进行射频功率放大器的设计与仿真

近年来随着无线通信的迅速发展,现代通讯系统对发射机的要求越来越高,射频功率放大器作为发射机的重要部件....
发表于 01-07 16:49 113次 阅读
如何使用ADS进行射频功率放大器的设计与仿真

中芯国际产能翻3-5倍,或试产更7nm工艺

作为中国半导体行业最薄弱但也是最重要的环节,芯片工艺一直是国内的痛点,所以国内最大的晶圆代工厂中芯国....
的头像 汽车玩家 发表于 01-07 10:12 1196次 阅读
中芯国际产能翻3-5倍,或试产更7nm工艺

plc输出晶体管好坏判断方法

PLC模块的DO输出点,一般可以分为晶体管输出的和继电器输出的,比如西门子200的SR20和ST20....
的头像 电子魔法师 发表于 01-05 10:19 732次 阅读
plc输出晶体管好坏判断方法

三星3nm制程2022年量产,整体表现比预期好

报道称,与三星电子的5nm工艺相比,3nm制程能将芯片尺寸缩小35%,功耗降低50%,性能提升30%....
的头像 汽车玩家 发表于 01-03 16:18 1121次 阅读
三星3nm制程2022年量产,整体表现比预期好

SPTECH硅NPN功率晶体管2KW8629的数据手册

本文档的主要内容详细介绍的是SPTECH硅NPN功率晶体管2KW8629的数据手册免费下载。
发表于 01-03 08:00 96次 阅读
SPTECH硅NPN功率晶体管2KW8629的数据手册

如何设计半导体激光器的驱动电路

半导体激光驱动电路是激光引信的重要组成部分。 根据半导体激光器特点, 指出设计驱动电路时应当注意的问....
发表于 12-30 08:00 133次 阅读
如何设计半导体激光器的驱动电路

高电子迁移率晶体管在通信行业的应用

1977年在日本厚木的富士通实验室担任电子工程师时,IEEE终身Fellow三村隆史(Takashi....
的头像 汽车玩家 发表于 12-28 09:37 1084次 阅读
高电子迁移率晶体管在通信行业的应用

AO4606互补增强型场效应晶体管的数据手册免费下载

AO4606采用先进的沟道技术mosfet,提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补mosfet可用....
发表于 12-24 08:00 131次 阅读
AO4606互补增强型场效应晶体管的数据手册免费下载

AO3401 P沟道增强型场效应晶体管的数据手册免费下载

AO3401采用先进的沟道技术,在低至2.5V的栅极电压下提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和操作....
发表于 12-24 08:00 150次 阅读
AO3401 P沟道增强型场效应晶体管的数据手册免费下载

典型的按摩器数码管显示电路

下图所示为一种典型的按摩器数码管显示电路。该电路的控制核心是微处理器EM78156,它接收操作电路的....
的头像 电子魔法师 发表于 12-22 10:31 868次 阅读
典型的按摩器数码管显示电路

磁敏晶体管的工作原理_磁敏晶体管的特性

本文主要阐述了磁敏晶体管的工作原理及磁敏晶体管的特性。
发表于 12-20 11:16 157次 阅读
磁敏晶体管的工作原理_磁敏晶体管的特性

新型的铁电半导体场效应晶体管已被成功研制出

据美国普渡大学官网近日报道,该校工程师将晶体管与铁电随机存取存储器结合成一种新设备,该设备集信息处理....
的头像 独爱72H 发表于 12-19 16:03 1428次 阅读
新型的铁电半导体场效应晶体管已被成功研制出

中科院科学家研发出新型垂直纳米环栅晶体管技术

众所周知,手机芯片对于手机就像主机对于电脑一样,十分重要。而在前段时间高通发布的合作伙伴中有很大一部....
的头像 独爱72H 发表于 12-18 16:57 1555次 阅读
中科院科学家研发出新型垂直纳米环栅晶体管技术

PT33-3B外延平面光电晶体管的数据手册免费下载

PT33-3B是一种高速高灵敏度的NPN硅NPN外延平面光电晶体管,在标准的5毫米封装中成型。由于是....
发表于 12-17 16:40 94次 阅读
PT33-3B外延平面光电晶体管的数据手册免费下载

华为麒麟1020加入5nm工艺制程,其性能将提升50%

据消息,目前台积电正在积极备战5nm,华为已经在考虑将5nm工艺用在其下一代旗舰芯片——麒麟1020....
的头像 牵手一起梦 发表于 12-17 14:45 1244次 阅读
华为麒麟1020加入5nm工艺制程,其性能将提升50%

博通全新Tomahawk 4网络芯片发布,集成了310亿颗晶体管

半导体巨头博通宣布,基于台积电7nm工艺,打造了全新的Tomahawk 4网络芯片,可以单芯片承载6....
的头像 汽车玩家 发表于 12-16 16:00 1284次 阅读
博通全新Tomahawk 4网络芯片发布,集成了310亿颗晶体管

大联大友尚集团推出基于Realtek产品的蓝牙胆石机音响解决方案

大联大控股宣布,其旗下友尚推出基于瑞昱(Realtek)RTL8763BF的蓝牙胆石机音响解决方案。
发表于 12-12 16:23 419次 阅读
大联大友尚集团推出基于Realtek产品的蓝牙胆石机音响解决方案

新型的铁电半导体场效应晶体管已被成功研制

据美国普渡大学官网近日报道,该校工程师将晶体管与铁电随机存取存储器结合成一种新设备,该设备集信息处理....
的头像 独爱72H 发表于 12-12 15:45 1470次 阅读
新型的铁电半导体场效应晶体管已被成功研制

一种由亚麻线制成的晶体管

近日,美国塔夫茨大学的工程师团队开发出一种由亚麻线制成的晶体管,并创造出完全由细线制成的电子器件。这....
的头像 IntelligentThings 发表于 12-11 14:59 1081次 阅读
一种由亚麻线制成的晶体管

世界上最薄、最轻的用于生物仪器的差分放大器

可是当与坚硬的电子器件接触时,柔软的生物组织例如皮肤很容易红肿发炎。因此,长时间监测日常生活中的生物....
的头像 IntelligentThings 发表于 12-11 14:55 1137次 阅读
世界上最薄、最轻的用于生物仪器的差分放大器

中国科学家成功研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管

不得不说,从上个世纪中期一直到现在,芯片技术都是高科技领域的尖端技术,现在的一部智能手机都要用到几十....
的头像 独爱72H 发表于 12-10 16:32 2337次 阅读
中国科学家成功研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管

新型垂直纳米环栅晶体管,或是2nm及以下工艺的备选

目前全球最先进的半导体工艺已经进入 7nm,下一步还要进入 5nm、3nm 节点,制造难度越来越大,....
的头像 汽车玩家 发表于 12-10 15:40 1917次 阅读
新型垂直纳米环栅晶体管,或是2nm及以下工艺的备选

业界再一次出现对晶圆级处理器的商业尝试

这家公司的答案是,全世界需要更多,更便宜的训练计算资源。而训练也需要几分钟而不是几个月,为此,您需要....
的头像 半导体行业观察 发表于 12-10 14:34 1142次 阅读
业界再一次出现对晶圆级处理器的商业尝试

Cerebras Systems宣布推出有史以来最大的芯片Wafer Scale Engine

大多数芯片是在12英寸硅晶圆上制造的,并在芯片工厂中批量处理。但Cerebras Systems芯片....
的头像 半导体行业观察 发表于 12-10 14:05 1519次 阅读
Cerebras Systems宣布推出有史以来最大的芯片Wafer Scale Engine

全球最大AI芯片:46225mm²,1.2万亿晶体管

目前最大的GPU芯片——NVIDIA用于AI加速的GV100大核心,集成了211亿晶体管(核心面积8....
的头像 芯智讯 发表于 12-09 14:51 1530次 阅读
全球最大AI芯片:46225mm²,1.2万亿晶体管

MC1413和MC1413B与NCV1413B晶体管的数据手册免费下载

这些阵列中七个NPN达林顿连接晶体管非常适合在各种工业和消费应用中驱动灯、继电器或打印机锤子。它们的....
发表于 12-04 08:00 108次 阅读
MC1413和MC1413B与NCV1413B晶体管的数据手册免费下载

三极管共集电极放大电路和共基极放大电路的详细说明

晶体管除了在大多数情况下都接成共射极的形式外,还可接成共集电极和共基极的形式。下面分别介绍。先介绍共....
发表于 12-04 08:00 509次 阅读
三极管共集电极放大电路和共基极放大电路的详细说明

中国半导体技术新突破,成功研发3纳米晶体管

最近,国产芯片一直是个热议的话题,随着科技的发展,芯片在我们日常生活中的应用无处不在,最常见的就是我....
的头像 独爱72H 发表于 12-03 17:02 2398次 阅读
中国半导体技术新突破,成功研发3纳米晶体管

FPGA与GPU类比一下就明白了

电路模拟是 FPGA 的经典主流用例,这也是 FPGA 最早出现的原因。FPGA 的关键在于硬件设计....
的头像 嵌入式ARM 发表于 12-03 15:28 1309次 阅读
FPGA与GPU类比一下就明白了

晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

课题:晶体管β参数测试电路的设计 要求用Proteus仿真,采用适当的A/D芯片,最好串行转换,液晶显示。 已尝试用发光二级管...
发表于 11-30 18:30 384次 阅读
晶体管β参数测试电路的设计,如何用Proteus仿真?用液晶屏显示?

晶体管β参数测试电路的设计

自己做的仿真总是出错,不知道为什么会亮两个灯,也不知道为什么电容报错。有哪位大神可以帮我一下么...
发表于 11-30 14:41 278次 阅读
晶体管β参数测试电路的设计

满足“电老虎”移动计算的需求

提高频率是减小尺寸的一种行之有效的方法。对于移动系统而言,实现高效解决方案同样重要,这是延长电池寿命....
的头像 MEMS 发表于 11-30 10:30 1171次 阅读
满足“电老虎”移动计算的需求

GaN Systems和安森美半导体的半桥评估板展示氮化镓的下一个性能飞跃

这评估板的优势包括显著减小损耗、重量、尺寸(布板尺寸可减小达80%)和系统成本(可节省达60%的BO....
的头像 安森美半导体 发表于 11-29 14:58 1308次 阅读
GaN Systems和安森美半导体的半桥评估板展示氮化镓的下一个性能飞跃

晶体管规格书中insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2?

如附件图片所示,为什么insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2? 加个平方是什么意思? ...
发表于 11-28 16:24 227次 阅读
晶体管规格书中insertion power gain 的写法为啥是|s21| 2?

哪里可以找到Xilinx芯片晶体管通道长度的规格?

嗨, 有没有办法在Xilinx FPGA芯片的数据表中找到晶体管沟道长度规格? 作为我项目的一部分,我正在比较基于标准单元的设...
发表于 11-11 07:10 124次 阅读
哪里可以找到Xilinx芯片晶体管通道长度的规格?

FPGA的功耗概念是什么?如何进行低功耗设计?

芯片对功耗的苛刻要求源于产品对功耗的要求。集成电路的迅速发展以及人们对消费类电子产品——特别是便携式(移动)电子产品——...
发表于 11-06 07:57 104次 阅读
FPGA的功耗概念是什么?如何进行低功耗设计?

【每日电路赏析】威尔逊电流镜电路

电流镜电路可以用晶体管和MOSFET来搭建,尽管我们可以用这两个简单的有源器件或直接使用一个放大器电路,但其输出并不完美...
发表于 11-05 16:27 6821次 阅读
【每日电路赏析】威尔逊电流镜电路

两个共发射极晶体管放大器怎么连接成直接耦合二级放大器?

两个共发射极晶体管放大器连接成的直接耦合二级放大器...
发表于 11-04 09:00 85次 阅读
两个共发射极晶体管放大器怎么连接成直接耦合二级放大器?

使用EDA工具进行功率RF晶体管的恒定失配分析

This Article wirtten by John Pritiskutch and Craig Rotay (STMicroelectronics)  describes a Constant ...
发表于 11-01 09:14 110次 阅读
使用EDA工具进行功率RF晶体管的恒定失配分析

调试模式崩溃该怎么办?

大家好,我有一个电路控制螺线管通过一个高侧P场效应晶体管。它在调试模式下工作正常,但是,当我通过手动覆盖的外部按钮给螺线...
发表于 11-01 06:12 165次 阅读
调试模式崩溃该怎么办?

互补晶体管怎么匹配?

互补晶体管的匹配
发表于 10-30 09:02 100次 阅读
互补晶体管怎么匹配?

NCP5425 双同步降压控制器

5是一款高度灵活的双降压控制器,内置栅极驱动器,可与多个配置的两个输入电源和一个或两个输出一起使用。该器件包含两个采用前馈电压模式控制方法的独立同步双NFET降压调节器所需的所有电路。 NCP5425可以采用4.6至12伏的单电源供电,支持单相或双相单相输出。当用作双输出控制器时,第二个输出跟踪第一个输出的电压瞬变。支持低噪声应用的功率消隐以及独立的逐周期电流限制。该器件采用20引脚TSSOP封装,允许设计人员最小化PCB面积。 特性 4.6至13.2伏的操作 双同步降压设计 两个独立电源的可编程功率共享和预算 0.8伏+/- 1%低电压参考输出 1.5A峰值功率驱动 使用ROSC Pin对噪声敏感应用进行消隐 可编程频率,150 kHz至750 kHz操作 可编程软启动 周期间过流保护 独立可编程电流限制 快速瞬态响应的100%占空比 内部斜率补偿 控制器之间的异相同步 可配置为单相两相输出或两相单相输出 这些是Pb - 免费设备 输入欠压锁定 通过使用COMP Pins启用/关闭 电源排序 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:39 60次 阅读
NCP5425 双同步降压控制器

NCP1587 低电压同步降压控制器

7和NCP1587A是低成本PWM控制器,设计采用5V或12V电源供电。这些器件能够产生低至0.8V的输出电压。这些8引脚器件提供最佳集成度,以减小电源的尺寸和成本。 NCP1587和NCP1587A提供1A栅极驱动器设计和内部设置的275kHz(NCP1587)和200kHz(NCP1587A)振荡器。栅极驱动器的其他效率增强特征包括自适应非重叠电路。 NCP1587和NCP1587A还集成了外部补偿误差放大器和电容可编程软启动功能。保护功能包括可编程短路保护和欠压锁定。 特性 优势 输入电压范围4.5至13.2V 多功能性 电压模式PWM控制 易于使用 0.8V +/- 1%内部参考电压 增强绩效 可调输出电压 多功能性 电容可编程软启动 易于使用 内部1A门驱动器 增强性能 可编程电流限制 易于使用 应用 终端产品 图形卡 台式计算机 服务器/网络 DSP和FPGA电源 DC-DC稳压器模块 DSP和FPGA电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-09 11:38 100次 阅读
NCP1587 低电压同步降压控制器

NCV8852 P沟道 100%占空比 非同步降压控制器 汽车级

2是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式过流保护,打嗝模式短路保护。其他功能包括可编程开关频率,低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 带内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压范围内的良好瞬态响应 0.8 V 2%参考电压 精确的电压调节 3.1 V至36 Vdc的宽输入电压范围,44 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO ) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 在启动期间降低浪涌电流并避免输出过冲 睡眠模式下的低静态电流 睡眠电流非常低 可编程固定频率170 kHz至500 kHz 允许设计灵活性 外部时钟同步高达600 kHz 允许频率同步和扩频操作 逐周期电流限制保护(CL) 保护针对过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热缩(TSD) 热保护IC 100%工作周期操作 低转化率 ...
发表于 07-29 20:02 286次 阅读
NCV8852 P沟道 100%占空比 非同步降压控制器 汽车级

NCP81251 单相同步降压稳压器 集成功率MOSFET 用于VR12嵌入式CPU

51是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为VR12嵌入式CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14 A的TDC输出电流。工作在高达1.2 MHz的高开关频率允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。电流模式RPM控制与输入电源和输出电压的前馈确保稳定运行宽操作条件。 特性 优势 5V至20V输入电压范围 优化用于超极本和笔记本应用 带SVID接口的可调输出电压 可编程DVID前馈以支持快速DVID 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kH z~1.2MHz开关频率 减小输出滤波器尺寸和成本 输入电源电压和输出电压的前馈操作 快速线路瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止出现故障 5 V至20 V输入电压范围 1.0 V / 1.1 V固定启动电压 带SVID接口的可调输出电压 最多14个TDC输出电流 500 kHz~1.2 MHz开关频率 当前模式RPM控制 可编程SVID地址和I...
发表于 07-29 20:02 20次 阅读
NCP81251 单相同步降压稳压器 集成功率MOSFET 用于VR12嵌入式CPU

NCV8853 汽车级非同步降压控制器

3是一款可调输出非同步降压控制器,用于驱动外部P沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式过流保护,打嗝模式短路保护。其他功能包括可编程开关频率,低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 带内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压范围内的良好瞬态响应 0.8 V 2%参考电压 精确的电压调节 3.1 V至36 Vdc的宽输入电压范围,44 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO ) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 在启动期间降低浪涌电流并避免输出过冲 睡眠模式下的低静态电流 睡眠电流非常低 电力良好(PG) 简单数字电源监控 外部时钟同步高达600 kHz 允许频率同步和扩频操作 逐周期电流限制保护(CL) 防止过电流条件 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热缩(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 汽车信息娱乐 仪表 集群 汽车系统...
发表于 07-29 20:02 206次 阅读
NCV8853 汽车级非同步降压控制器

NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

6是一款非同步升压控制器,设计用于在启动 - 停止车辆运行电池电压下降期间提供最小输出电压。控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制,保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压低于7.3 V时,NCV8876使能,当电源电压低于6.8 V时启动升压操作。 使用 NCV8876评估板SystemVision设计和模拟环境验证参数和功能性能,并通过实时虚拟测试更好地了解功能和行为。 特性 优势 自动启用低于7.3 V (工厂可编程) 紧凑型SOIC8封装的额外功能 -40 C至150 C操作 汽车级 2 V至45 V操作 通过曲柄转动和装载转储进行操作 低静态曲线睡眠模式(...
发表于 07-29 20:02 111次 阅读
NCV8876 汽车级启停非同步升压控制器

NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

1是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 在宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 精确的电压调节 宽输入电压范围3.2 V至40 Vdc,45 V负载转储 适用于各种应用 输入欠压锁定(UVLO) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 Decr缓解浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭电流 周期 - 循环电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关机(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启停系统 SEPIC(同相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 274次 阅读
NCV8871 非同步升压控制器 汽车级

NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

3是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 LED PWM调光能力 0.2 V 2%参考电压恒流负载 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 宽输入电压范围为3.2 V至45 V 精确的电流/电压调节 输入欠压锁定 适用于各种各样的应用程序 内部软启动 禁用启动在欠压条件下 睡眠模式下的低静态电流 降低浪涌电流 逐周期电流限制保护 电流非常低 打嗝模式过流保护 防止过电流情况 热关机 热保护IC 应用 终端产品 LED照明,背光,前照灯 启停系统 升压,SEPIC(非反相降压升压) 直接注气 汽车系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 20:02 223次 阅读
NCV8873 非同步升压控制器 汽车级

NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2%参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应,较小尺寸的滤波元件,基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V,45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护(SCP) 防止短路故障 热关断(TSD) 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC(非反相降压 - 升压),升压,反激...
发表于 07-29 19:02 223次 阅读
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz

NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

1-1是一款可调输出,同步降压控制器,可驱动双N沟道MOSFET,是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器(LDO),为开关模式电源(SMPS)底栅驱动器提供电荷,从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围(4.5 V至40 V)下工作,并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定,内部软启动,低静态电流睡眠模式,可编程频率,SYNC功能,平均电流限制,逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2%参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器(LDO) 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO(欠压锁定) 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠...
发表于 07-29 19:02 318次 阅读
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...
发表于 07-29 19:02 50次 阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用

NCP1589L 同步降压控制器 低电压 轻负载效率和瞬态增强

9L是一款低成本PWM控制器,采用5 V或12 V电源供电。该器件能够产生低至0.8 V的输出电压,转换电压低至2.5 V.它易于操作,并提供最佳的集成度,以减小电源的尺寸和成本。它在斜坡脉冲调制模式下工作,可实现出色的负载阶跃和释放响应。除快速瞬态响应外,它还包括1.5 A栅极驱动器设计和轻载效率功能,如自适应非重叠电路和二极管仿真。它通常在连续电流导通模式下工作在200~500 kHz范围内,在轻负载时随电流减小,以进一步节省功耗。保护功能包括可编程过流保护,输出过压和欠压保护以及输入欠压锁定。 特性 VCC范围4.5 V至13.2 V 可调节工作频率升压引脚工作电压为35 V 斜坡脉冲调制控制精密0.8 V内部基准电压可调输出电压内部1.5 A栅极驱动器输入欠压锁定可编程电流限制轻载中的自适应二极管模式仿真这是一个无铅设备 应用 图形卡台式电脑服务器/网络 DSP& FPGA电源 DCDC稳压器模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 86次 阅读
NCP1589L 同步降压控制器 低电压 轻负载效率和瞬态增强

NCP1589D 同步降压控制器

9D是一款低成本PWM控制器,采用5 V或12 V电源供电。该器件能够产生低至0.8 V的输出电压,转换电压低至2.5 V.它易于操作,并提供最佳的集成度,以减小电源的尺寸和成本。它在斜坡脉冲调制模式下工作,可实现出色的负载阶跃和释放响应。除快速瞬态响应外,它还包括1.5 A栅极驱动器设计和轻载效率功能,如自适应非重叠电路和二极管仿真。它通常在连续电流导通模式下工作在200~500 kHz范围内,在轻负载时随电流减小,以进一步节省功耗。保护功能包括可编程过流保护,输出过压和欠压保护以及输入欠压锁定。 特性 VCC范围4.5 V至13.2 V 可调节工作频率升压引脚工作电压为35 V 斜坡脉冲调制控制精密0.8 V内部基准电压可调节输出电压内部1.5 A栅极驱动器 80%最大占空比可编程电流限制轻载中的自适应二极管模式仿真这是一个无铅设备 应用 图形卡台式电脑服务器/网络 DSP& ; FPGA电源 DCDC稳压器模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 80次 阅读
NCP1589D 同步降压控制器

NCP5212 单路同步降压控制器

2是一款用于高性能电池供电系统的同步降压控制器。它包括一个高效PWM控制器。提供引脚以允许两个器件进行交错操作。内部电源良好电压监视器跟踪SMPS输出。 NCP5212还具有软启动序列,用于Vcc和开关的UVLO,过压保护,过流保护,欠压保护和热关断。它打包在QFN-16中。 特性 准确率为0.8%; 0.8 V参考 4.5 V至27 V电池/适配器电压范围 可调输出电压范围:0.8 V至3.3 V 两个NCP5212设备之间的同步交错 轻载时省电运行的跳过模式 无损电感电流检测 可编程瞬态响应增强(TRE)控制 可编程自适应电压定位(AVP) 输入供应前馈控制 内部软启动 集成输出放电(SoftStop) 内置自适应栅极驱动器 PGOOD指示 过压,欠压和过载租金保障 热关机 应用 终端产品 笔记本电脑系统电源 笔记本电脑系统电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 85次 阅读
NCP5212 单路同步降压控制器

NCP1579 低电压同步降压控制器

9是一款低成本PWM控制器,采用5V或12V电源供电。这些器件能够产生低至0.8V的输出电压。这些8引脚器件提供最佳集成度,以减小电源的尺寸和成本。 NCP1579提供1A栅极驱动器设计和内部设置的275kHz振荡器。栅极驱动器的其他效率增强特征包括自适应非重叠电路。 NCP1579还集成了外部补偿误差放大器和电容可编程软启动功能。保护功能包括可编程短路保护和欠压锁定。 特性 优势 输入电压范围4.5至13.2V 多功能性 电压模式PWM控制 易用性 0.8V +/- 2.0%内部参考电压 增强绩效 可调输出电压 多功能性 电容可编程软启动 易用性 内部1A门驱动器 增强性能 可编程电流限制 易用性 应用 终端产品 STB Blue-Ray DVD 液晶电视 DSP和FPGA电源 DC-DC稳压器模块 STB 蓝光DVD 液晶电视 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 77次 阅读
NCP1579 低电压同步降压控制器

NCP1589A 低电压同步降压控制器

1589A或NCP1589B是一款低成本PWM控制器,设计采用5V或12V电源供电。该器件能够产生低至0.8V的输出电压。该器件能够将电压转换为低至2.5V。该10引脚器件提供最佳集成度,以减小电源的尺寸和成本。 特性 VCC范围从4.5到13.2V 升压引脚工作电压高达30V 电压模式PWM控制 精密0.8V内部参考 内部1.5A栅极驱动器 输入欠压锁定 可编程电流限制 应用 终端产品 图形卡 服务器/网络 图形卡 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 77次 阅读
NCP1589A 低电压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...
发表于 07-29 17:02 78次 阅读
NCP3030 同步PWM控制器

NCP3012 同步PWM控制器

2是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.8V的输出电压。 NCP3012提供集成栅极驱动器和内部设置的75kHz振荡器,能够与外部频率同步。 NCP3012具有外部补偿跨导误差放大器,内部固定软启动。 NCP3012将输出电压监控与电源良好引脚相结合,以指示系统处于稳压状态。双功能SYNC引脚使器件与更高频率(从模式)同步,或输出180度异相时钟信号以驱动另一个NCP3012(主模式)。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压和欠压保护以及输入欠压锁定。 NCP3012采用14引脚TSSOP封装。非常适合需要电源干扰最小的噪声敏感应用。 (医疗,网络等) 特性 优势 输入电压范围为4.7 V至28 V 能够运行各种输入电压 75 kHz操作 效率高 0.8 V +/- 1%参考电压 准确的系统调节 缓冲外部+1.25 V参考 附加调节1 mA输出以供额外使用 电流限制和短路保护 系统级保护 PowerGood输出引脚 电源排序功能 启用/禁用引脚 电源排序功能 输入和输出电压保护 增强的系统级保护 外部同步 能够同步到更高频率或180°异相 应用...
发表于 07-29 17:02 79次 阅读
NCP3012 同步PWM控制器

NCP3011 同步PWM控制器

1是一款同步降压控制器,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.8 V的输出电压.NCP3011提供1.0 A栅极驱动器和内部设置的400 kHz振荡器。 NCP3011具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。 NCP3011将输出电压监控与PowerGood引脚相结合,以指示系统处于稳压状态。双功能SYNC引脚使器件与更高频率(从模式)同步,或输出180°异相时钟信号以驱动另一个NCP3011(主模式)。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压和欠压保护以及输入欠压锁定。 NCP3011采用14引脚TSSOP封装。 特性 优势 输入电压范围为4.7 V至28 V 能够运行各种输入电压 400 kHz运行 效率高,体积小 0.8 V +/- 1%参考电压 准确的系统调节 缓冲外部+1.25 V参考 附加1 mA输出 电流限制和短路保护 系统级保护 PowerGood输出引脚 电源排序功能 启用/禁用引脚 电源排序功能 输入和输出电压保护 增强系统级保护 外部同步 能够同步到更高频率或180°异相 符合AEC-Q100和PPAP(NCV3011) 适用于汽车应用 应用 终端产...
发表于 07-29 16:02 72次 阅读
NCP3011 同步PWM控制器

NCP5217 单相同步降压控制器

7A是一款用于高性能电池供电系统的同步降压控制器。 NCP5217A包括一个高效PWM控制器。提供引脚以启用或禁用强制PWM操作模式。内部电源良好电压监视器跟踪SMPS输出。 NCP5217A还具有软启动序列,用于VCC和开关的UVLO,过压保护,过流保护,欠压保护和热关断。 IC封装在QFN-14中。 特性 0.8%准确度0.8 V参考 4.5 V至27 V电池/适配器电压范围 可选择省电模式/强制PWM模式 无损电感电流检测 可编程自适应电压定位(AVP) 输入供应前馈控制 内部软启动 集成输出放电(软停止) 内置自适应栅极驱动器 PGOOD指示 过压,欠压和过流保护 热关闭 应用 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 16:02 102次 阅读
NCP5217 单相同步降压控制器